轻型汽车后桥半轴断裂件的组织及断口特征

采用光学显微镜和扫描电子显微镜等手段，对某轻型汽车40Cr后桥半轴断裂件的组织及断口特征进行了分析结果表明：半轴在调质处理时的淬火温度不够高，使其表层和心部组织中存在较多的铁素体相，造成了工件最终的硬度和疲劳强度不足，导致半轴在使用中发生扭转疲劳断裂．     

用“若a+b=0,则ab≤0”解竞赛题

如果两实数ａ ,ｂ满足ａ +ｂ =0 ,则ａｂ≤0 .应用这个结论解答一些竞赛题十分简捷 .现举例说明 .例 1　ｘ ,ｙ ,ｚ均为实数 ,解方程组ｘ + ｙ =2ｘｙ -ｚ2 =1①②(1987年上海市初中数学竞赛 )解　由①得　 (ｘ -1) + (ｙ -1) =0 .∴ (ｘ -1) (ｙ -1) =ｘｙ-(ｘ + ｙ) + 1≤0 ③①、②代入③得　 (ｘ -1) (ｙ -1) =ｚ2 ≤ 0 ,∴　ｚ =0 ,　ｘ -1=ｙ -1=0 .故方程组的解是　ｘ =1,ｙ =1,ｚ =0 .例 2　已知实数ａ ,ｂ ,ｃ满足ａ +ｂ +ｃ =0 ,ａｂｃ=8.求ｃ的取值范围 .(第一届“希望杯”初二数学竞赛 )解　由已知 (ａ + 12 ｃ) + (ｂ + 12 ｃ)…     

4,5-咪唑双酰腙的合成与表征

以酒石酸为原料，经成环制酸、酯化、肼解、与芳香醛缩合，制备了7个4，5－咪唑双酰腙，并用元素分析，IR，^1H NMR,^13C NMR对它们的结构进行了表征。实验结果表明，酰肼与芳香醛在冰醋酸中进行缩合酰腙化一步，具有反应快速、产率高、条件温和、操作简便等优点。     

2,5-二(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩的合成、表征及在有机薄膜晶体管中的应用

本文合成了2,5-二(2-菲基)-[3,2-b]并二噻吩(PhTT), 表征了其基本的物理和化学性质, 制备了相应的有机薄膜晶体管.     

脱氢松香酸合成新型手性荧光衍生试剂的研究

手性药物开发与应用的兴起,促进了手性分离和检测方法的发展.随着高效液相色谱(HPLC)、毛细管电泳(CE)等现代分析技术的深入发展,手性荧光衍生试剂也得到越来越广泛的应用[1],手性荧光衍生试剂主要用于高灵敏度检测手性药物的光学纯度和不对称合成反应产物对映体过量(ee%值)等.但是手性荧光衍生试剂却很少,且价格昂贵,为了开发新型廉价的手性荧光衍生试剂,我们利用廉价易得的松香衍生物的手性骨架和荧光基团,合成了脱氢松香酸酰氯(A)和脱氢松香酰肼(B),并进一步做了衍生化反应,成功获得了衍生化产物(C,D).     

国内锶的光度分析进展

对国内锶的光度法测定的近年进展概况作了评述,主要涉及自1984年到2006年间在各类显色剂的使用,以及在锶的光度测定中应用催化动力学反应及化学计量学方法等内容,引用文献61篇。     

卤素离子触发亚铁四面体笼的自旋状态转换

合理构筑了3个具有固态自旋交叉特性的亚铁四面体笼状化合物1~3。单晶X射线衍射分析证实了化合物是由6个咪唑席夫碱配体和4个亚铁离子组装形成的边导向封顶胶囊结构。金属中心占据四面体的顶点,而配体组成了四面体的边。这些笼状化合物的内部空腔被咪唑基团环绕,而外部则被取代苯环包围。一个阴离子客体被限域在笼状化合物空腔内,并与笼状化合物主体产生较强的相互作用。当在笼状化合物的乙腈溶液中加入卤素离子（Cl^-和Br^-）时,溶液的颜色和MLCT峰强度会发生明显变化,表明亚铁四面体笼状化合物的自旋状态由低自旋向髙自旋发生了转换。     

香菇生物质基氮掺杂微孔碳材料的制备及其在超级电容器中的应用

采用简易浸泡法和一步碳化/活化法制备香菇生物质基氮掺杂微孔碳材料(NMCs),利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对材料的结构形貌进行表征,并研究了其超级电容特性。测试结果表明,NMCs的微孔比表面积高达1 594 m~2·g~(-1),且拥有更高数量的含氮官能团,其吡啶型含氮官能团比例也有所提高,展现出优异的超级电容特性。在0.5 A·g~(-1)的电流密度下,其比容量高达325 F·g~(-1),当电流密度上升到20 A·g~(-1)时,其比电容仍然高达180 F·g~(-1),表现出优异的倍率性能;同时,在5 A·g~(-1)的电流密度下,电极经历5 000次充放电循环后具有97.7%的比容量保持率,展现出优异的循环稳定性。这主要归因于NMCs超高的微孔比表面积和丰富的含氮官能团。     

通信网络动态优化与控制研究

引入现代控制科学,建立了一般通信网络的状态控制模型与目标控制模型,利用庞特李亚金极大值原理,研究通信网络最优控制的基本条件、本质意义与一般实现途径,证明了哈密尔顿函数协状态变量稳定解的性质及其在通信网动态优化与控制中的作用与地位。     

Effect of Temperature on the Void Growth in Pure Aluminium at High Strain-Rate Loading

With the environment temperature varying from 273 K to 773 K, the dynamic process of void growth in pure aluminium at high strain-rate loading is calculated based on the dynamic growth equation of a void with internal pressure. The result shows that the effect of temperature on the growth of void should be emphasized. Because the initial pressure of void with gas will increase and the viscosity of materials will decrease with the rising of temperature, the growth of void is accelerated. Furthermore, material inertia restrains the growth of void evidently when the diameter exceeds 10 μm. The effect of surface tension is very weak in the whole process of void growth.