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采用本体聚合技术合成全氘代聚苯乙烯(DPS),所得聚合物分子量约250000,分散度约3,氘代率为98.7%。采用热诱导相分离技术制备全氘代聚苯乙烯泡沫。在室温溶解DPS于溶剂中,然后转入轴向冷却模具,进行单向冷却,直到溶剂完全冷冻,最后取出冷冻样置于冷冻干燥仪中进行冷冻干燥,待溶剂完全脱出后即得泡沫。通过对二恶烷/环己烷混合溶剂相图,以及PS一混合溶剂体系的相图的测定, 相似文献
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引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。 相似文献
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在许多激光应用中,用光学系统对只部分地通过系统孔径的离轴光束进行聚焦。本文在衍射理论的基础上得出了若干分析表达式,对于因象散和纵向焦点偏移象差而受损的光学系统中的均匀和高斯离轴光束而言,这些公式给定了衍射焦点、归一化峰值强度以及容限条件。其结果可用在激光束聚焦系统的设计中。 相似文献
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主要讨论了不含k-C-圈的n阶r-一致超图,对不同的k,分别得出了它的极大边数的一个下界,并且得出在有些情况下它的下界是最大的.另外,我们得到了Krn含k-C-圈的一个充分必要条件. 相似文献
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厚胶光刻非线性畸变的校正 总被引:3,自引:0,他引:3
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。 相似文献