ZnS∶Zn,Pb蓝粉在低压阴极射线激发下的应用

通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。     

高等数学教学改革研究进展

通过分析国内外高等数学教学改革研究历史与现状,阐明21世纪高等数学课程地位、作用和价值,及与21世纪相适应的高等数学教学改革意义、方向与方法.并结合个人教学实践分析、总结了具有代表性的高等数学教学理念、教学内容与课程体系、实践教学、计算机技术应用等方面改革成果与经验.最后对高等数学教学改革的继续深入和目前存在问题提出一些观点.     

绿色荧光粉YAGG∶Tb,Gd用于FED的尝试

FED器件的发展迫切需要具有化学和热稳定性 ,高亮度 ,长寿命的新型荧光材料。本文合成了Gd3 +离子共掺杂的YAGG∶Tb获得了YAGG∶Tb ,Gd ,并将其用于 0～ 30 0 0V低压范围 ,对其在不同电压和电流密度下的发光特性进行了测试。结果表明 ,该种材料特性优于ZnO∶Zn并且不存在电压与电流饱和     

用纳米拟薄水铝石溶胶凝胶方法制备YAG∶Ce白光二极管荧光体

用纳米拟薄水铝石颗粒的胶溶的改进溶胶-凝胶法制备了亚微米尺度的YAG∶Ce荧光体。实验发现,在1000℃干凝胶粉开始出现YAG相,在相对较低的1400℃灼烧温度下得到纯相。由于纳米尺度氧化铝颗粒的籽晶成核效应对制备各步骤的贡献,得到在1~3μm之间的较小的荧光体颗粒。在1400℃下得到的荧光体的激发和发射光谱均符合与白光二极管的荧光体的光谱要求。     

纳米氧化锌的过饱和控制生长与大小分布控制.

"在非水介质中合成了纳米氧化锌,测定了纳米氧化锌的紫外吸收光谱,并用有效质量模型计算了粒子大小,开发并命名了一种称之为纳米粒子过饱和控制生长的技术,该技术涉及将小的纳米粒子悬浊液加入到大的粒子悬浊液中,结果因为不同大小粒子间的溶解度差异小的粒子将全部溶解,大的粒子将整体长大,大粒子悬浊液的粒子数将保持不变,大粒子的生长速度显著比Ostwald老化的高．该技术最显著的特征是只要最初两悬浊液粒子大小的差异足够大,分布不是太宽,则粒子大小的分布将会因为粒子如此长大而变窄．"     

导出拉格朗日方程的一种新方法

本文以曲线坐标张量和位形空间概念,直接从动力学基本方程,导出第二类拉格朗日方程。它说明,第二类拉格朗日方程实际上就是牛顿第二定律的协变分量形式,对于质点系可以变换成位形空间的一个位形点加以讨论。     

具有阻尼的半线性波动方程解的衰减估计

研究具有阻尼的半线性波动方程的初边值问题u_(tt)-△u+βu_t=|u|~(p-1)u,x∈Ω,t>0u(x,0)=u_0(x),u_t(x,0)=u_1(x),x∈Ωu|_((?)Ω)=0,t≥0其中γ为正常数,Ω■R~n为有界域,当n≥3时,1相似文献   

不同稀土离子对YAGG：Tb发光性能的影响研究

对不同三阶稀土共振杂的ＹＡＧＧ：Ｔｂ绿色荧光粉的发光亮度和光谱进行了研究，发现Ｇｄ＾３＋对荧光粉的亮度有所提高，同时系统地研究了Ｔｂ，Ｇｄ含量等对基的影响。     

利用复合色彩转换膜实现白色有机电致发光

利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n-(PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6V升至14V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8cd/A(4.35mA/cm2),最高亮度为16800cd/m2(14V).     

White Emitting ZnS Nanocrystals： Synthesis and Spectrum Characterization

Spherical organic-bonded ZnS nanocrystals with 4.0 4-0.2 nm in diameter are synthesized by a liquid-solid-solution method. The photoluminescence spectrum of sample （[S^2-]/[Zn^2＋] = 1.0） shows a strong white emission with a peak at 490nm and - 170 nm full widths at half maximum. By Gauss fitting, the white emission is attributed to the overlap of a blue emission and a green-yellow emission, originating from electronic transitions from internal S^2- vacancies level to valence band and to the internal Zn^2＋ vacancy level, respectively. After sealingZnS nanocrystals onto InGaN chips, the device shows CIE coordinates of （0.29,0.30）, which indicates their potential applications for white light emitting diodes.