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1.
2.
3.
高等数学教学改革研究进展 总被引:21,自引:1,他引:20
通过分析国内外高等数学教学改革研究历史与现状,阐明21世纪高等数学课程地位、作用和价值,及与21世纪相适应的高等数学教学改革意义、方向与方法.并结合个人教学实践分析、总结了具有代表性的高等数学教学理念、教学内容与课程体系、实践教学、计算机技术应用等方面改革成果与经验.最后对高等数学教学改革的继续深入和目前存在问题提出一些观点. 相似文献
4.
研究具有阻尼的半线性波动方程的初边值问题u_(tt)-△u+βu_t=|u|~(p-1)u,x∈Ω,t>0u(x,0)=u_0(x),u_t(x,0)=u_1(x),x∈Ωu|_((?)Ω)=0,t≥0其中γ为正常数,Ω■R~n为有界域,当n≥3时,1
相似文献
5.
"在非水介质中合成了纳米氧化锌,测定了纳米氧化锌的紫外吸收光谱,并用有效质量模型计算了粒子大小,开发并命名了一种称之为纳米粒子过饱和控制生长的技术,该技术涉及将小的纳米粒子悬浊液加入到大的粒子悬浊液中,结果因为不同大小粒子间的溶解度差异小的粒子将全部溶解,大的粒子将整体长大,大粒子悬浊液的粒子数将保持不变,大粒子的生长速度显著比Ostwald老化的高.该技术最显著的特征是只要最初两悬浊液粒子大小的差异足够大,分布不是太宽,则粒子大小的分布将会因为粒子如此长大而变窄." 相似文献
6.
针对Si/Al掺杂量增大使BaO-(1-x)SiO2-xAl2O3-B2O3-0.005Er3+(x=0,0.5,1,摩尔分数)玻璃样品的1 540 nm红外发光和540 nm上转换发光强度呈现相反的变化趋势,讨论了阳离子掺杂对稀土离子周边对称性和电负性变化与荧光行为的内在关系。红外傅里叶透射光谱显示,不同掺杂浓度下样品的最大声子能量没有明显变化,说明光谱随掺杂浓度的变化与玻璃体系的最大声子能量无关。根据Judd-Ofelt理论计算了4I13/2和4S3/2能级的光学参数,通过比较两能级的跃迁几率(A)、寿命(τ)、荧光分支比(β)和受激发射截面(σ)等光学参数,发现4I13/2能级和4S3/2能级的相关参数呈现相反的趋势。最后测试了样品4I13/2能级下1 540 nm的寿命,进一步从电负性角度考虑了样品的发光效率。理论计算和实验结果相符。 相似文献
7.
本文以曲线坐标张量和位形空间概念,直接从动力学基本方程,导出第二类拉格朗日方程。它说明,第二类拉格朗日方程实际上就是牛顿第二定律的协变分量形式,对于质点系可以变换成位形空间的一个位形点加以讨论。 相似文献
8.
9.
利用复合色彩转换膜实现白色有机电致发光 总被引:1,自引:1,他引:0
利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n-(PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6V升至14V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8cd/A(4.35mA/cm2),最高亮度为16800cd/m2(14V). 相似文献
10.
Spherical organic-bonded ZnS nanocrystals with 4.0 4-0.2 nm in diameter are synthesized by a liquid-solid-solution method. The photoluminescence spectrum of sample ([S^2-]/[Zn^2+] = 1.0) shows a strong white emission with a peak at 490nm and - 170 nm full widths at half maximum. By Gauss fitting, the white emission is attributed to the overlap of a blue emission and a green-yellow emission, originating from electronic transitions from internal S^2- vacancies level to valence band and to the internal Zn^2+ vacancy level, respectively. After sealingZnS nanocrystals onto InGaN chips, the device shows CIE coordinates of (0.29,0.30), which indicates their potential applications for white light emitting diodes. 相似文献