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1.
针对Si/Al掺杂量增大使BaO-(1-x)SiO2-xAl2O3-B2O3-0.005Er3+(x=0,0.5,1,摩尔分数)玻璃样品的1 540 nm红外发光和540 nm上转换发光强度呈现相反的变化趋势,讨论了阳离子掺杂对稀土离子周边对称性和电负性变化与荧光行为的内在关系。红外傅里叶透射光谱显示,不同掺杂浓度下样品的最大声子能量没有明显变化,说明光谱随掺杂浓度的变化与玻璃体系的最大声子能量无关。根据Judd-Ofelt理论计算了4I13/24S3/2能级的光学参数,通过比较两能级的跃迁几率(A)、寿命(τ)、荧光分支比(β)和受激发射截面(σ)等光学参数,发现4I13/2能级和4S3/2能级的相关参数呈现相反的趋势。最后测试了样品4I13/2能级下1 540 nm的寿命,进一步从电负性角度考虑了样品的发光效率。理论计算和实验结果相符。  相似文献   
2.
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。  相似文献   
3.
采用吹扫捕集.气相色谱/质谱联用技术(P&T-GC/MS)分析生活污水及饮用水中的挥发性有机物(VOCs).混合吸附剂富集.混合吸附剂是由TenaxGC+硅胶+活性炭组成,三者体积比2:1:1.从生活饮用水中检出了26种挥发性有机物,其中8种列在我国环境属优先污染物中.  相似文献   
4.
通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。  相似文献   
5.
用纳米拟薄水铝石颗粒的胶溶的改进溶胶-凝胶法制备了亚微米尺度的YAG∶Ce荧光体。实验发现,在1000℃干凝胶粉开始出现YAG相,在相对较低的1400℃灼烧温度下得到纯相。由于纳米尺度氧化铝颗粒的籽晶成核效应对制备各步骤的贡献,得到在1~3μm之间的较小的荧光体颗粒。在1400℃下得到的荧光体的激发和发射光谱均符合与白光二极管的荧光体的光谱要求。  相似文献   
6.
采用Cu(Ⅱ)盐与2-羟基-1-萘甲醛缩邻苯二胺双希夫碱(H2L)在二氯甲烷-乙醇溶液中首次合成了2-羟基-1-萘甲醛缩邻苯二胺双希夫碱Cu(Ⅱ)配合物(1),其结构经IR,元素分析和X-射线单晶衍射表征。1属单斜晶系,空间群P2(1)/n,晶胞参数a=11.046 2(11)nm,b=13.6721(12)nm,c=16.6838(15)nm,β=103.7430(10)°,V=2447.5(4)nm3,Z=4,Dc=1.496 Mg.m-3,F(000)=1140,μ=0.93 mm-1,对I2σ(I)衍射点的最终偏差因子R1=0.079,ωR2=0.201 4。  相似文献   
7.
Spherical organic-bonded ZnS nanocrystals with 4.0 4-0.2 nm in diameter are synthesized by a liquid-solid-solution method. The photoluminescence spectrum of sample ([S^2-]/[Zn^2+] = 1.0) shows a strong white emission with a peak at 490nm and - 170 nm full widths at half maximum. By Gauss fitting, the white emission is attributed to the overlap of a blue emission and a green-yellow emission, originating from electronic transitions from internal S^2- vacancies level to valence band and to the internal Zn^2+ vacancy level, respectively. After sealingZnS nanocrystals onto InGaN chips, the device shows CIE coordinates of (0.29,0.30), which indicates their potential applications for white light emitting diodes.  相似文献   
8.
制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。  相似文献   
9.
金含  莫兆军  张晓松  苑琳琳  晏明  李岚 《中国物理 B》2016,25(10):103201-103201
Fluorozirconate glass containing Eu~(3+) ions and chloride ions are prepared by a meltquenching method. The luminescence behavior of Eu~(3+) affected by Cl ions is investigated. With increasing Cl ion concentration, the luminous intensity of Eu~(3+) is significantly enhanced and the quantum efficiency of fluorozirconate glass is improved. Meanwhile, the intensity parameter ?_2 increases according to the Judd–Ofelt calculation, which indicates the decrease of local symmetry. The average lifetime of Eu~(3+) increases by introducing the Cl ions. Moreover, we find two kinds of sites for Eu~(3+)ions in a glass network by analyzing the fluorescence decay. The distribution of Eu~(3+) ions changes with increasing Cl ion concentration.In addition, the excessive Cl ions lead to the separation of the glass phase and the formation of the crystal phase, thus reducing the transmittance dramatically.  相似文献   
10.
通过对ZnS:Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS:Zn,Pb的性能优于ZnS:Ag,Cl和ZnS:Zn,可适用于FED等低压显示器。  相似文献   
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