排序方式: 共有57条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
3.
建立电感耦合等离子体原子发射光谱标准加入法测定铜精矿中Zn、Pb、As、Cu、Bi、MgO.分别对酸的加入种类和数量进行条件试验,采用盐酸–硝酸–盐酸–氢氟酸–高氯酸溶样,以标准加入法配制系列标准工作溶液,建立校正曲线,有效消除了样品基体对目标物检测结果的影响.目标物的分析谱线分别为Zn 206.2 nm,Pb 182.2 nm,As 197.2 nm,Cu 324.7 nm,Bi 190.2 nm,MgO 279.5 nm.各目标物校正曲线线性相关系数均不小于0.999,检出限为0.0002%~0.0006%,测定结果的相对标准偏差为0.62%~8.92%(n=6).按照该方法测定ZBK337、ZBK340铜精矿标准物质中Zn、Pb、As、Cu、Bi、MgO,测定值均在规定的标准值再现性限范围内. 相似文献
4.
The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) are reported. The low-density InAs QDs (- 5 × 10^8cm^-2) are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence (PL) measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum (FWHM) are 1361 nm and 23 meV (35 nm), respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium (TEG) and tertiallybutylarsine (TBA). The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the ODs, respectively. 相似文献
5.
GaAIAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征 总被引:1,自引:3,他引:1
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10~300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800~880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mw。 相似文献
6.
7.
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-xAs0.9Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算。求得了C1-HH1跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系,并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明,在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分和阱宽,在InP基InGaAlAs/InGaAsSb应变量子阱激光器中能够实现1.6~2.5 μm近中红外波段的激射波长。 相似文献
8.
Low Density Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition 下载免费PDF全文
The self-assembled InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrates with low density (5×10^8 cm^-2) are achieved using relatively higher growth temperature and low InAs coverage by low-pressure metal-organic chemical vapour deposition. The macro-PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280 and 1204nm, corresponding to the ground level (GS), the first excited state (ES1) and the second excited state (ES2) of the QDs, respectively, which are obtained when the GaAs capping layer is grown using triethylgallium and tertiallybutylarsine. As a result of micro-PL, only a few peaks from individual dots have been observed. The exciton-biexciton behaviour was clearly observed at low temperature. 相似文献
9.
气体燃料化学链燃烧技术中的溶胶凝胶Ni基氧载体研究 总被引:1,自引:1,他引:0
高性能氧载体是实现具有CO2富集特性的化学链燃烧技术的关键。选用Ni(NO3)2和Al(OC3H7)3为主要原料,匹配合适的实验操作参数,通过溶胶 凝胶法制备了NiO/NiAl2O4氧载体,其中60%NiO含量、1300℃烧结6h的该种氧载体物化指标较好。在热重分析上研究了NiO/NiAl2O4氧载体与甲烷/空气的还原 氧化反应性,利用XRD、SEM和BET对反应前后的氧载体进行表征。结果表明,制备的氧载体具有良好的还原 氧化反应循环能力。随着循环次数的增多,每次还原阶段被还原的程度缓慢加深,每次氧化阶段被氧化的程度逐渐下降,且还原加深幅度和氧化下降的幅度均逐渐减小,整体上其循环反应性呈缓慢增加的趋势。循环反应过程中,氧载体颗粒间无任何烧结,仍然保持为多孔结构。这些结果初步证明采用溶胶凝胶法制备的NiO/NiAl2O4氧载体具有实现气体燃料化学链燃烧技术的可行性。 相似文献
10.
采用离子束辅助电子束成膜,用双重膜厚监控方法监控各膜层厚度,制备了45°入射、808nm高反、1064nm高透的消偏振二向色镜,并用于全固态355nm激光器.将部分薄膜样品在250℃进行退火处理后,用Lambda950分光光度计测试该样品的光谱性能;用表面热透镜技术测量退火前后该样品的弱吸收值;用激光阈值损伤装置测试该样品在1064nm调Q激光下的损伤阈值;用NIKON显微镜观察样品在不同激光能量辐照下的破斑形貌.实验结果表明:波长为808nm和1 064nm时,薄膜透射率分别为0.04%和99.6%,符合设计要求,满足全固态355nm紫外激光器系统所要求的光学性能指标;退火后的弱吸收值较退火前有所降低;在激光作用下薄膜产生微破坏喷出,说明膜层不会向灾难性破坏演变. 相似文献