a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。     

埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光

用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合     

GROWTH OF PREFERENTIALLY ORIENTED CUBIC BORON NITRIDE FILMS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Preferentially oriented cubic boron nitride films on nickel substrates have been grown using hot-filament-assisted rf plasma chemical vapor deposition method. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the cubic boron nitride films are stoichiometric. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction show that the films are of high quality with well-faceted and (220) preferentially oriented grains, without X-ray diffraction detectable hexagonal boron nitride phase. The nucleation and growth process has been investigated. After 40min deposition, well aligned, well faceted cubic boron nitride nuclei can be seen on the substrnies, and after 2 h deposition, the rectangular grains can be seen on the substrate with their corresponding edges parallel to each other in scanning electron microscopic images. The ratio of the diffraction peak height of (220) face to that of (111) face is about 5.2 in the X-ray diffraction pattern, but the corresponding value of the random cubic boron nitride crystallites is only 0.06.     

离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变 关键词： Si1-x-yGexCy薄膜 离子注入 固相外延     

薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景

立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性、化学稳定性，在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质，制备方法，目前研究工作的进展，存在的主要问题，以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。     

炭球修饰g-C3N4材料的制备及其可见光光催化性能

利用水热法以葡萄糖和氮化碳(g-C_3N_4)为原料,成功地制备了炭球修饰氮化碳(C/g-C_3N_4)复合型光催化剂。通过X射线粉末衍射、扫描电镜、N_2吸附-脱附、紫外可见漫反射、表面光电压和电子顺磁共振分别对样品的结构、组成、形貌、比表面积和光学性能进行了表征。结果显示:直径约20 nm的炭球紧密地排列于g-C_3N_4表层,当葡萄糖与g-C_3N_4用量比(质量分数)为1%时,复合催化剂1%C/g-C_3N_4的光催化性能最好。C/g-C_3N_4与单一g-C_3N_4相比,不仅比表面积明显增大,还扩展了可见光的响应范围,且提高了催化剂光生电子与空穴的分离效率。在400 W金卤灯照射下,光线通过420 nm滤光片后,在80 min内1%C/g-C_3N_4对10μmol·L~(-1)的罗丹明B降解率高达87%,是纯g-C_3N_4在同样条件下催化性能的3倍,且稳定性良好。     

薄膜物理及其应用讲座：第四讲 立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用…

立方氮化硼具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性，化学稳定性，在力学，光学和电子学等方面有广泛的应用前景，从立方氮化硼薄膜的性质，制备方法，目前研究工作的进展，存在的主要问题，以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。     

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０^１１ｃｍ^-2。 关键词：