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1.
2.
无穷限广义积分比较判敛法的明显弱点是,在判别之前要先估计积分的敛散性,而后寻找一个适当的“尺度”与之比较。如果被积函数比较复杂,要作出正确的估计和选择恰当的“尺度”都并非易事。为弥补这一不足,我们给出如下根值判敛法。定理1 若f(x)在任意区间[1,b]上恒正、  相似文献   
3.
The Δ-scaling method has been applied to ultra-relativistic p p,C C and Pb Pb collision data simulated using a high-energy Monte Carlo package,LUCIAE 3.0.The Δ-scaling is found to be valid for some physical variables,such as charged particle multiplicity,strange particle multiplicity and number of binary nucleon-nucleon-nucleon collisions from these simulated nucleus-nucleus collisions over an extended energy ranging from E1ab=20 to 200A GeV.In addition we derive the information entropy from the multiplicity distribution as a function of beam energy for these collisions.  相似文献   
4.
周代梅  萨本豪  陆中道  蔡勖 《中国物理 C》2002,26(10):1072-1077
用强子–弦级联模型JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器研究相对论性核–核碰撞中带电粒子多重数的赝快度密度对能量和中心度的依赖关系.无需另调任何模型参数的条件下,此模型可以同时较好地描述相对论性pp实验数据及PHOBOS和PHENIX实验组的Au+Au实验数据.本文指出:因〈Npart〉并非严格定义的物理量,致使实验上和理论上确定〈Npart〉有一定任意性,从而使得每参加者核子对的带电粒子赝快度密度随着〈Npart〉的增加可能逐渐增大,也可能逐渐减小,因此用它来区分粒子产生机制是欠妥的.  相似文献   
5.
全同粒子间的玻色-爱因斯坦关联可以用来研究相对论性核碰撞中次级粒子源分布及有关的物理问题.本文用强子级联模型(HCM)模拟28Si(14.6AGCV/c)+Au反应,得到π-粒子的freeze-out状态,进而计算了π-π-关联函数,取得与实验一致的结果.还计算了freeze—outπ-源的均方根线度,并讨论了它与拟合方法抽取的源参数间的关系.  相似文献   
6.
热核破碎中的矩关联和临界现象   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文用蒙特卡罗方法,根据核素表和质量及电荷守恒律,产生热核Au*破碎的各种碎块组态,再对碎块电荷分布作条件矩分析.理论结果很好地再现了电荷分布实验数据中呈现的条件矩间的对数关联;但理论关联行为的导出与临界现象似乎没有联系.  相似文献   
7.
以四苯硼钠与甲胺磷在盐酸介质中生成的离子缔合物为电活性物质,首次研制出一种甲胺磷PVC涂层玻璃电极。并对该电极的响应机理及性能进行了研究。实验表明,该电极的Nernst响应范围为1×10-2~1×10-4(φ),斜率为50.28 mV/pφ。该电极响应迅速,重复性好,用于蔬菜中残留甲胺磷的测定,方法快速、准确,结果满意。  相似文献   
8.
灾害发生后,应急资源的需求预测与应急配送中心的合理选址是实现高效救援的关键。本文通过在网格化管理视角下的信息更新将应急救援过程划分为多个阶段,在开展救援的过程中实现救援信息收集和救援预测的同步开展,建立一种多阶段带时间约束的应急救援物资配送响应-时效性的选址模型。借助遗传算法(NSGA-II),实现了基于编码结构独立、路径相互关联基础上的多目标规划求解。本研究的决策模型及算法有着较好的搜索与寻优能力,对实际救援开展具有指导意义。  相似文献   
9.
运用连续介质模型和库仑屈服条件,介绍了库仑不等式的证明方法,研究了无黏性颗粒物质在自然堆积状态下的堆积角的形成机制及影响因素,通过理论模型导出理想状况下锥形堆的自然休止角与内摩擦角的关系.实验结果表明:颗粒的密度对于堆积角不存在确定的影响.不规则颗粒的自然休止角、内摩擦角与粒径间的变化趋势一致,粒径的分布对锥形堆的自然休止角产生影响;规则颗粒的几何尺寸对堆积角无明显影响,非球形颗粒的几何形状对堆积角有显著影响.底面摩擦系数较小时,锥体的堆积角与底面摩擦系数呈正相关,随着摩擦系数的增大,堆积角将达到饱和.  相似文献   
10.
本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.  相似文献   
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