电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光

用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的电导特性

稀土元素适量地掺入化合物半导体材料和非晶玻璃固体材料,均能有效地改善基质材料的光学、力学和其它物理特性。研究表明,三价的稀土离子容易进入非晶玻璃网格形成键合,它的不满4f电子受5s、5p电子层的屏蔽。因此,稀土离子受玻璃非晶体基质的配位场的影响较小,它在非晶体中的行为与在晶体基质中基本相似。非晶硅半导体材料,由于制备较简便,易实现大面积而受到重视。本文对a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性进行了研究,并结合薄膜的ESR特性,对实验结果进行了初步讨论。     

非晶硅钆合金薄膜的ESR研究

用ESR研究了电子束蒸发的非晶硅钆半导体合金薄膜a-Si_1-_xGd_x。其钆组分x的范围为0～10at％。薄膜的ESR信号的g因子在(2.0043±0.0001)到(2.0054±0.0001)内变化,谱线的线型因子l在(2.77±0.01)到(3.10±0.01)内变化,谱线的线宽ΔBpp在6.40×10~(-4)T到7.00×10~(-4)T内变化。用Barnes S.E.的ESR动力学理论,对薄膜的ESR信号参数随组分x的变化关系进行了分析。结果表明,Gd~(3+)离子对a-Si薄膜中悬挂键的部分补偿作用以及基质材料中的传导电子与局域自旋系统的交换互作用是薄膜的ESR谱线参数变化的原因。     

电子束蒸发a-Si1-xNdx薄膜的ESR研究

研究了电子束蒸发a-Si_1-xNd_x的薄膜的ESR参数g因子、线型因子l,峰-峰线宽△B_pp、自旋密度Ns随组分x变化的特性.基于这类薄膜的光吸收和电导特性,应用带Nd背键的悬挂键模型分析讨论了这些变化特性的物理原因.