(■)与三段论

如何用数理逻辑的观点表述三段论,这是值得我们探讨的问题,现就自己的肤浅体会叙述如下: 一、逻辑依据: 在推理中,三段论是重要的推理形式,应用很广泛。那么,什么是三段论推理的逻辑依据呢?这在形式逻辑中是通过三段论公理表达的。三段论公理的内容为“凡是肯定了(或否定了)     

强场物理与快点火靶的制备

采用本体聚合技术合成全氘代聚苯乙烯（DPS），所得聚合物分子量约250000，分散度约3，氘代率为98．7％。采用热诱导相分离技术制备全氘代聚苯乙烯泡沫。在室温溶解DPS于溶剂中，然后转入轴向冷却模具，进行单向冷却，直到溶剂完全冷冻，最后取出冷冻样置于冷冻干燥仪中进行冷冻干燥，待溶剂完全脱出后即得泡沫。通过对二恶烷／环己烷混合溶剂相图，以及PS一混合溶剂体系的相图的测定，     

含芘苯乙烯/二乙烯苯共聚物的光物理研究

本文首次用稳态光谱法研究了含芘苯乙烯/二乙烯苯共聚物的光物理行为。结果表明,当共聚物中芘基的摩尔百分数低于0.006％时,其荧光光谱仅呈现芘基的单体荧光,并伴随以0—0发射谱带强度降低和精细振动结构的部分消失;当芘基的含量高于0.3％时,共聚物的荧光相继出现在420,440和475nm处的发射谱带。这一结果可归因于芘基各种基态和激发态聚集体的形成,集中地反映了交联共聚物凝聚态的非均匀性。     

D—AKNS族的换位表示

本文根据曹策问教授的想法,求得了与D-AKNS族发展方程相联系的特征值之泛函梯度与Lenard算子对;并由此得到了D-AKNS族非线性发展方程的换位表示。文末还讨论了换位表示与定态D-AKNS方程之间的关系.     

用函数记录仪描绘LRC电路暂态过程

引言现有的普通物理实验教材中,对RC、RL和LRC电路暂态过程的描绘,多采取用方波发生器代替直流电源,用示波器观察或用照相法摄取暂态曲线,RC电路的暂态过程,也可以用电压表和秒表逐点测量来描绘曲线。这些方法或只能观察,定量分析不便,或虽能定量分析,但实验过程复杂,效果都不理想。本文介绍用函数记录仪直接描绘RC、RL和LRC电路的暂态过程曲线,实验方法简便,而且利用图象进行定量分析和计算都很方便。     

离轴光学系统中象散和焦点的纵向漂移

在许多激光应用中,用光学系统对只部分地通过系统孔径的离轴光束进行聚焦。本文在衍射理论的基础上得出了若干分析表达式,对于因象散和纵向焦点偏移象差而受损的光学系统中的均匀和高斯离轴光束而言,这些公式给定了衍射焦点、归一化峰值强度以及容限条件。其结果可用在激光束聚焦系统的设计中。     

First-Principles Study on the Electronic Structures for Y^3＋：PbWO4 Crystals

The possible defect models of Y^3＋：PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3＋ ions are studied by using the general utility lattice program （GULP）. The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3＋ ：PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^＋ ＋ VPb^2-], and in the heavily doped Y^3＋ ：PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^＋, forming defect clusters of [2Ypb^＋ ＋Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3＋ ：PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal.     

声光调制器在激光腔倒空技术中的应用

本文介绍了以36°Y切铌酸锂为换能器,以熔石英为声光互作用介质,驱动频率为389。5MHz的声光调制器的设计;计算并选定了换能器的各镀层厚度,研制成了用于激光腔内的中心频率389.5MHz声光脉冲调制器;叙述了该器件在同步泵浦染料激光器腔倒空技术中的应用。实验表明,当驱动平均功率约0.2W时,用该器件所实现的激光腔倒空的倒空比约40％。     

关于不含k-C-圈的n阶r-一致超图的若干结果

主要讨论了不含k-C-圈的n阶r-一致超图,对不同的k,分别得出了它的极大边数的一个下界,并且得出在有些情况下它的下界是最大的.另外,我们得到了Krn含k-C-圈的一个充分必要条件.