全文获取类型
收费全文 | 1715篇 |
免费 | 745篇 |
国内免费 | 664篇 |
专业分类
化学 | 879篇 |
晶体学 | 61篇 |
力学 | 132篇 |
综合类 | 71篇 |
数学 | 348篇 |
物理学 | 1633篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 56篇 |
2022年 | 68篇 |
2021年 | 55篇 |
2020年 | 48篇 |
2019年 | 90篇 |
2018年 | 89篇 |
2017年 | 83篇 |
2016年 | 68篇 |
2015年 | 76篇 |
2014年 | 143篇 |
2013年 | 113篇 |
2012年 | 121篇 |
2011年 | 135篇 |
2010年 | 115篇 |
2009年 | 144篇 |
2008年 | 124篇 |
2007年 | 102篇 |
2006年 | 123篇 |
2005年 | 103篇 |
2004年 | 105篇 |
2003年 | 96篇 |
2002年 | 95篇 |
2001年 | 76篇 |
2000年 | 66篇 |
1999年 | 80篇 |
1998年 | 81篇 |
1997年 | 64篇 |
1996年 | 83篇 |
1995年 | 55篇 |
1994年 | 46篇 |
1993年 | 43篇 |
1992年 | 44篇 |
1991年 | 48篇 |
1990年 | 29篇 |
1989年 | 32篇 |
1988年 | 15篇 |
1987年 | 32篇 |
1986年 | 22篇 |
1985年 | 18篇 |
1984年 | 32篇 |
1983年 | 19篇 |
1982年 | 16篇 |
1981年 | 13篇 |
1980年 | 8篇 |
1979年 | 4篇 |
1978年 | 9篇 |
1974年 | 3篇 |
1966年 | 3篇 |
1965年 | 7篇 |
排序方式: 共有3124条查询结果,搜索用时 89 毫秒
1.
半导体材料中的自旋色心是量子信息处理的理想载体,引起了人们的广泛兴趣.近几年,研究发现碳化硅材料中的双空位、硅空位等色心具有与金刚石中的氮-空位色心相似的性质,而且其荧光处于更有利于光纤传输的红外波段.然而受限于这类色心的荧光强度和谱线宽度,它们在量子密钥分发和量子网络构建等方面的实际应用依然面临严峻的挑战.利用光学腔耦合自旋色心实现荧光增强和滤波将能有效地解决这些难题.将光纤端面作为腔镜,并与自旋色心耦合可以实现小模式体积的腔耦合,而且天然地避免了需要再次将荧光耦合进光纤而造成损耗的缺点.本文理论计算了耦合碳化硅薄膜的光纤腔的性质和特征.首先通过优化各项参数包括薄膜表面粗糙度、腔镜反射率等,理论分析了存在于光纤腔中的不同模式的特点,以及光纤腔耦合色心的增强效果及相关影响因素.进一步地研究了对开放腔而言最主要的影响因素—振动对腔性质、色心的增强效果以及耦出效率的影响,最终得到在不同振动下的最大增强效果以及对应的耦出透射率.这些结果为今后光纤腔耦合色心的实验设计提供了最直接的理论指导,为实验的发展和优化指明了方向. 相似文献
3.
量子力学中很少有系统能够精确地计算传播子, 特别是在考虑了自旋轨道耦合效应的情况下. 利用相空间的群论方法, 首先导出了有原子自旋轨道耦合的各向异性量子点传播子的精确解析表达式. 随后利用传播子来计算自旋高斯波包的演化与相应的概率密度, 并研究了原子自旋轨道耦合效应和磁场强度对距离期望值的影响. 相似文献
4.
晶体硅表面钝化是高效率晶体硅太阳能电池的核心技术,直接影响晶体硅器件的性能。本文采用第一性原理方法研究了一种超强酸-双三氟甲基磺酰亚胺(TFSI)钝化晶体硅(001)表面。研究发现,TFSI的四氧原子结构能够与Si(001)表面Si原子有效成键,吸附能达到-5.124 eV。电子局域函数研究表明,TFSI的O原子与晶体硅表面的Si的成键类型为金属键。由态密度和电荷差分密度分析可知,Si表面原子的电子向TFSI转移,从而有效降低了Si表面的电子复合中心,有利于提高晶体硅的少子寿命。Bader电荷显示,伴随着TFSI钝化晶体硅表面的Si原子,表面Si原子电荷电量减少,而TFSI中的O原子和S原子电荷电量相应增加,进一步证明了TFSI钝化Si表面后的电子转移。该工作为第一性原理方法预测有机强酸钝化晶体硅表面的钝化效果提供了数据支撑。 相似文献
5.
6.
The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz. 相似文献
7.
本工作在正则量子化的基础上,对$\phi^4$ 模型的哈密顿量采取正规序来正规化真空零点能,然后微扰计算了至次领头阶的真空态修正。同时首次得到可以在$\phi^4$ 模型的两个真空态之间转换的算符,我们相信这个算符也是适当极限条件下产生$\phi^4$ 扭结(kink)的算符的形式。最后简要说明了真空能的应用。 相似文献
8.
本文对一维常微分算子及发展微分算子提出一种基于解析多项式特解(MPPS)的求解方法,通过使用这些特解公式,将微分方程的解显式表达为多项式特解的线性组合来求解复杂的微分方程,如可以使用这些公式来求解右端具有不连续驱动项的微分系统.文中给出一系列数值例子,数值模拟结果精度很高,而且误差非常稳定. 相似文献
9.
10.
区别于基于半空间理论的传统直齿轮弹流润滑模型,本文基于有限长空间解建立考虑轮齿自由端面影响的渐开线直齿轮有限长弹流润滑模型. 采用叠加法构造自由端面,矩阵法和半解析法求解自由端面的影响,快速傅里叶变换算法加速齿面弹性变形计算;采用统一Reynolds方程法求解油膜压力和油膜厚度. 以啮合节点为特征位置,分析比较不同压力角下自由端面对直齿轮弹流润滑的影响. 结果表明:与半空间模型比较,考虑自由端面后端面峰值压力降低,压力分布更均匀,最小油膜厚度增大;增大轮齿压力角,节点压力水平减小,油膜厚度增大;当压力角不同时,自由端面对齿轮弹流润滑压力峰值的影响基本相当,对最小膜厚的影响较大. 相似文献