略论珠算与计算机各显其能

有人提出：“算盘笔墨失宠，微机大显神通”。并以此作为标题，在报刊上作了报导。我认为，这种论点是很不确切的。应为：“珠算仍然得宠，它与微机各显其能”。     

Preparation and Characterization of Storage and Emission Functional Material of Chlorine Anion: [Ca24Al28O64]4+·(Cl-)3.80(O2-)0.10

通过碳酸钙、γ-三氧化二铝、氯化钙在氯气/氩气混合气气氛下的固态反应制备了一种氯负离子存储-发射功能材料[Ca₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·(Cl^-)_3.80(O^2-)_0.10(C12A7-Cl^-)．通过离子色谱、电子顺磁共振、拉曼光谱验证,C12A7-Cl^-材料中存储的负离子主要是氯负离子,浓度为(2.21±0.24)×10²¹ cm^-3,此外还有小部分的氧二价负离子、氧负离子、氧分子负离子．这与通过飞行时间质谱得到的结果一致：从C12A7-Cl^-材料表面发射出的负离子主要是氯负离子(大约90%),还有小部分的氧负离子和电子．材料结构和表观变化分别由X射线衍射和场发射扫描电子显微镜表征     

微孔晶体材料C12A7-Cl-的表面氯负离子发射性能和机理

利用飞行时间质谱(TOF-MS)观测到氯负离子从合成的微孔晶体材料C12A7-Cl-(11CaO·7Al2O3·CaCl2)表面发射出来, 详细研究了C12A7-Cl-的发射特性, 包括发射强度分支比、温度效应、电场效应和表观活化能. 在我们的检测范围内从C12A7-Cl-表面发射的离子中绝大部分是氯负离子(最大强度分支比为98%), 此外还有弱的氧负离子和电子发射. 各种离子的绝对发射电流强度都随着表面温度升高或引出电场强度的增加而显著增强, 随着引出电场强度从200增加到1200 V·cm-1, 氯负离子发射的表观活化能从180.9 kJ·mol-1减小到110.0 kJ·mol-1. 氯负离子和C12A7-Cl-表面之间的结合能大约是228 kJ·mol-1. 研究了氯负离子的发射稳定性, 并且应用一种电化学注入法, 以获得持续的氯负离子发射. 基于上述实验还讨论了氯负离子的形成和发射机理. 目前的方法可望被用于发展氯负离子储存/发生器.     

溶胶-凝胶法制备多孔晶体材料C12A7-Cl-

利用溶胶-凝胶法制备了多孔晶体材料C12A7-Cl- (Ca12Al14O32Cl2), 制备凝胶的原料是四水合硝酸钙、九水合硝酸铝、氯化钙、尿素和乙二醇. 混合溶液经过搅拌2-3 h形成溶胶, 再经350 ℃热处理后形成凝胶体, 最终在流动氩气气氛中1000 ℃烧结后得到材料. 用X射线衍射, 场发射扫描电子显微镜, 热重分析, 电子顺磁共振和离子色谱等方法表征合成的C12A7-Cl-多孔晶体材料. 结果表明, 利用溶胶-凝胶法成功地生成了C12A7 结构, 氯负离子是材料中存储的主要负离子. 此外, 从C12A7-Cl-晶体材料表面发射的氯负离子也被飞行时间质谱观测到. 上述结果说明溶胶-凝胶法可被用于制备C12A7-Cl-晶体材料.     

把珠算这门应用科学提高到一个新的水平——对“题词”的几点理解

最近，国务委员兼财政部长王丙乾同志为全国首届珠算科技知识大赛题词指出：“加强珠算的学术交流和理论研究，把珠算这门应用科学提高到一个新的水平。”我的理解，这是对我们广大珠算工作者发出的向珠算科学技术的广度、深度和高度进军的动员令，是给我们珠协工作指出的今后前进方向和遵循的工作指导方针。对于进一步推动珠算事业的发展和继续珠算科学技术的高蜂攀登，     

Oxidation of silicon surface with atomic oxygen radical anions

The surface oxidation of silicon （Si） wafers by atomic oxygen radical anions （O- anions） and the preparation of metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitors on the O-oxidized Si substrates have been examined for the first time. The O- anions are generated from a recently developed O- storage-emission material of [Ca24Al2sO64]^4＋·4O^- （Cl2A7-O^- for short）. After it has been irradiated by an O- anion bean： （0.5 μA/cm^2） at 300℃ for 1-10 hours, the Si wafer achieves an oxide layer with a thickness ranging from 8 to 32 nm. X-ray photoelectron spectroscopy （XPS） results reveal that the oxide layer is of a mixture of SiO2, Si2 O3, and Si2O distributed in different oxidation depths. The features of the MOS capacitor of 〈Al electrode/SiOx/Si〉 are investigated by measuring capacitance-voltage （C - V） and current-voltage （I - V） curves. The oxide charge density is about 6.0 × 10^1 cm^-2 derived from the （C - V curves. The leakage current density is in the order of 10^-6 A/cm^2 below 4 MV/cm, obtained from the I - V curves. The O- anions formed by present method would have potential applications to the oxidation and the surface-modification of materials together with the preparation of semiconductor devices.     

溶胶-凝胶法制备多孔晶体材料C12A7-C1~-

利用溶胶-凝胶法制备了多孔晶体材料C12A7-Cl~-(Ca_(12)Al_(14)O_(32)Cl_2),制备凝胶的原料是四水合硝酸钙、九水合硝酸铝、氯化钙、尿素和乙二醇.混合溶液经过搅拌2-3 h形成溶胶,再经350℃热处理后形成凝胶体,最终在流动氩气气氛中1000℃烧结后得到材料.用X射线衍射,场发射扫描电子显微镜,热重分析,电子顺磁共振和离子色谱等方法表征合成的C12A7-Cl~-多孔晶体材料.结果表明,利用溶胶.凝胶法成功地生成了C12A7结构,氯负离子是材料中存储的主要负离子.此外,从C12A7-Cl~-晶体材料表面发射的氯负离子也被飞行时间质谱观测到.上述结果说明溶胶-凝胶法可被用于制备C12A7-Cl~-晶体材料.