多层栅介质层有机薄膜晶体管的存储与光响应特性

在真空室内一次性制备了具有多层栅介质层结构的有机薄膜晶体管(OTFTs).结果表明,制备的OTFTs具有电控开关、存储和光敏多重功能特性.分析认为,存储特性归功于器件的结构,采用了分离的CaF2纳米粒子岛作为电荷俘获中心.在光照环境下,观察到了两种不同类型的光响应特性.快速的光响应来自于有源层吸收了能量大于带隙的光子所...     

大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析

通过有机化学气象沉积(MOCVD)技术在n型GaAs衬底上生长制作了发射波长为850nm的VCSELs4×4列阵器件,介绍了VCSELs的制作工艺流程.对器件进行了相干性测量,计算了干涉条纹可见度,分析了影响干涉条纹可见度的因素.     

Tapered Bragg reflection waveguide edge emitting lasers with near circular twin-beam emission

An edge emitting laser with two symmetrical near-circular spots located far field （FF） is demonstrated using tapered double-sided Bragg reflection waveguides （BRWs）. The BRWs consist of six pairs of top p-type and bottom n-type A10.Ga0.9 As/A10.3 Ga0.7As Bragg reflectors with a period thickness of 850 nm. The device has a 4° tapered angle configuration and exhibits two stable circular beams with a separation angle of 52°. Typical FF angles of 5.87° and 7.8° in the lateral and vertical directions, respectively, are achieved. The lateral FF angle in the ridged section is independent of the injection current （〉0.8 A） beeause of narrow ridge （-10 μm） confinement. By contrast, the FF angle in the tapered section shows an increase rate of 1.2 1.66°/A. The periodic modulation of the lasing wavelength is observed to be sensitive to self-heating effects.     

Dependence of Junction Voltage Saturation on Uniformity and Quality of Laser Diode Bars

The dependence of the sinkage at the threshold of the electric derivative curve （IdV/dI-I） on the uniformity and the quality of the laser diode bar is analyzed. By using the equations derived from the equivalent circuits of the bars, the influence of the bar uniformity on the depth of the dip is investigated in theory under certain conditions. Furthermore, the experimental results based on the presented technique indicate that the depth of the dip is interrelated to the uniformity and the quality of the corresponding bar. The present technique can be used conveniently and effectively to measure the laser diode bars in practice.     

高功率半导体激光器结温与1/f噪声的关系研究

高功率半导体激光器的结温上升, 不仅影响它的输出功率、斜坡效率、阈值电流和寿命, 而且还会产生光谱展宽和波长偏移. 因此, 热管理成为抽运激光器研发中的一个主要问题. 本文首先建立了噪声功率谱与结温变化的物理模型, 根据压缩感知理论, 将测量得到含有高斯白噪声和1/f噪声的混叠复合噪声信号稀疏化后, 进行基追踪算法去噪, 通过改变算法的迭代次数及测量矩阵大小, 获得1/f噪声电压功率谱与结温变化关系曲线, 避免了直接测量结温的复杂性.通过数值估计结果, 可以较好地指导高功率半导体激光器的热管理工作. 关键词： f噪声')" href="#">1/f噪声 结温度 热阻 高功率半导体激光器     

Tapered Bragg reflection waveguide edge emitting lasers with near circular twin-beam emission简

Experiments on developing a frequency-stabilized 555.8-nm laser are presented. The 555.8-nm laser＇ is obtained by frequency doubling of a l lll.6-mn diode laser through single-passing a periodically poled lithium niobate （PPLN） waveguide. Tile 555.8-nm laser is then locked to a stable high-finesse Fabry Perot （FP） cavity by tile Pound Drever--Hall （PDH） technique. Tile finesse of the cavity is measured by tile heterodyne cavity ring-down spectroscopy technique. The linewidth of the 555.8-nm laser is investigated. Alter the laser is locked, the laser line width is reduced to about 3 kHz. This frequency-stabilized 555.8-nm laser is used in experiments on the laser cooling and trapping of ytterbium atoms to develop an ytterbium optical clock.     

970nm反射式垂直腔半导体光放大器的设计与制作

设计并制作了970 nm反射式垂直腔半导体光放大器(VCSOA),基于放大器结构,对放大器的噪声特性、增益和带宽特性进行了实验研究和理论分析.研究了反射式放大器的增益与垂直腔半导体激光器出光口径的关系,发现增益随着出光口径的增大而增大.对于970 nm的信号光,经过出光口径为400 μm的VCSOA后,最高获得了26 ...     

1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计

对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能。为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠。发现所设计的In_0.28Ga_0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9 nm和3个,输出功率可以达到瓦级。另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性。最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好。     

低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性

测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.     

温度对短链多烯生物分子β胡萝卜素拉曼光谱的影响

用Gobin Yvon hr800拉曼光谱仪及与之相连接的Linkam,Thms600加热装置,测量了含9个C-C共轭双键的β胡萝卜素分子在二甲基亚砜中在25～73℃范围内的拉曼光谱.结果表明,短链多烯生物分子β胡萝卜素在液体中有很大的拉曼散射截面[6.5×10-23cm2/(molecule·Sr)],除共振效应外,β胡萝卜素分子结构有序产生较强的弱阻尼C-C键相干振动,是获得大拉曼散射截面的重要因素.温度对多烯类链状线性分子结构有序性影响很大.温度升高,分子结构有序性下降,C-C键弱阻尼相干振动减弱,C-C键长变短,各C-C键键长略有不同,使拉曼散射截面减少,拉曼光谱谱线蓝移,振动频率成分增加使线宽增加.