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以XLPE高压电力电缆内外侧绝缘中的电树枝特性为研究对象,通过分析电树枝引发与生长的统计实验规律和采用扫描电子显微镜分析发现,由于不同结晶状态的影响,电缆绝缘内外侧的电树枝特性存在很大的差异.引发于绝缘内侧电树枝引发时间短、生长速度快、电树枝形状具有多样性;起始于绝缘外侧的电树枝不仅引发时间长、生长速度极慢,而且电树枝形状(结构)比较单一.并对这两个位置电树枝的引发和生长机理进行了探讨.
关键词:
电树枝
结晶状态
统计规律
内侧和外侧绝缘层 相似文献
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为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管 (a-Si:H TFT) 的场效应电子迁移率, 研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层 制备, 不同的工艺参数对a-Si:H TFT场效应电子迁移率的影响. 研究表明随着对欧姆接触层 (n+层) 分层数的增加, 以及低速生长的栅极绝缘层 (GL层) 和高速生长的栅极绝缘层 (GH 层) 厚度比值提高, a-Si:H TFT的场效应迁移率得到提升. 当n+层分层数达到 3层, GL层和GH层厚度比值为4:11 时, 器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm2/V·s, 比传统工艺提高了约一倍, 显著改善了a-Si:H TFT 的电学特性, 并在量产线上得到了验证.
关键词:
非晶硅薄膜晶体管
电子迁移率
欧姆接触层
栅极绝缘层 相似文献
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Development and Characterization of Metal-Insulator-Metal Capacitors with SiNx Thin Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 下载免费PDF全文
We report the fabrication of high breakdown voltage metal-insulator-metal (MIM) capacitors with 200-nm silicon nitride deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition with 0.957 SiH4/NH3 gas mixing rate, 0.9 Torr working pressure, and 60 W rf power at 250℃ chamber temperature. Some optimized mechanisms such as metal source wiping, pre-melting and evaporation rate adjustment are used for increasing the yield of the MIM capacitors. N2 annealing and O2/H2 plasma pre-deposition treatment is proposed to increase the reliability of the MIM capacitors in high-temperature, high-pressure, and high-humidity environments. A 97% yield and up to 148 V breakdown voltage of a 13.06pF MIM capacitor with 0.04 mm^2 die area can be fabricated. 相似文献
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运用拓展的BTK理论研究了拓扑绝缘层上铁磁/铁磁超导隧道结的磁效应和塞曼效应,同时考虑了铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应.研究发现:在该系统中塞曼效应和邻近效应可以共存;铁磁体和铁磁超导体之间的费米能级错配效应能够增强系统中发生在eV=Δ处的Andreev谐振散射过程和邻近效应. 相似文献
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