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Low-Temperature Growth of Polycrystalline silicon Films by SiCl4/H2 rf Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 总被引:4,自引:0,他引:4 下载免费PDF全文
Polycrystalline silicon film was directly fabricated at 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapour deposition method from SiCl4 with H2 dilution. The crystallization depends strongly on the deposition power.The maximum crystMlinity and the crystalline grain size are over 80% and 200—50Onm, respectively. The results of energy dispersive spectroscopy and infrared spectroscopy measurements demonstrate that the film is mostly composed of silicon, without impurities such as Cl, N, C and bonded H. It is suggested that the crystallization at such a low temperature originates from the effects of chlorine, i.e., in-situ chemical, etching, in-situ chemical cleaning, and the detachment of bonded H. 相似文献
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以三溴苯基环氧丙基醚、四氯化硅及1,3-二氯丙醇为主要原料合成新型硅、氯、溴三元素协同高效阻燃剂硅酸三(二氯丙基)三溴苯氧基氯丙基酯。探讨了反应温度、时间及物质的量比对产率的影响,最适宜的工艺条件为:三溴苯基环氧丙基醚与四氯化硅及1,3-二氯丙醇物质的量比为1:1:3.5,100℃反应5h,产率达98.0%。并采用FTIR、1H-NMR、极限氧指数等方法表征了产品的分子结构及阻燃性能等。 相似文献
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制备了 Ti Cl4/ Ni(acac) 2 / Mg Cl2 -Si O2 -Zn Cl2 / Al R3复合催化剂 .研究了促进剂四氯化硅 (Si Cl4)和各种聚合条件对乙烯聚合的影响及其表观聚合动力学 .用 DSC、IR、1 3C NMR对聚合产物进行了结构性能的分析和表征 .结果表明 ,促进剂 Si Cl4有很好的提高催化效率的作用 ;Ti Cl4/ Ni(acac) 2 复合催化剂有催化乙烯齐聚和原位共聚功能 ,获得了熔点和结晶度较低的、有一定支化度的中、低密度聚乙烯 . 相似文献
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提出了气相色谱法测定四氯化硅的纯度。采用LD-SE-54(0.53 mm×30 m,1.2μm)石英毛细管色谱柱分离,热导检测器检测,面积归一化法定量。方法用于分析四氯化硅标准样品,测定值与标准值的相对误差为0.18%,相对标准偏差(n=5)为0.12%。 相似文献
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应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术和自制10cm光程的不锈钢液体池,建立了光纤原料四氯化硅中微量三氯氢硅的定量分析方法。该法具有安全,简便,灵敏和重复性好的特点。 相似文献