离子注入物理在微电子技术中的应用

 微电子技术是在半导体芯片上采用微米或亚微米级加工工艺制造微小型电子元器件和微型化电路的新兴技术。这一技术是现代高科技腾飞的翅膀,是现代信息技术的基石,是世界新技术革命的先导。60年代以来,微电子技术的发展突飞猛进。     

对珠算无师自通的反思及其对策

珠算无师自通的误导，不利于纠正人们对珠算教师的传统偏见。这一误导长此以往，珠算教师只会越来越受冷遇，极大地挫伤了广大教师的教书育人的积极性和创造性。为在认识上和实际上把珠算教师视作办学的主体，我们的对策应该是名师出高徒。     

关于多项式和的Waring问题（Ⅰ）

设ｆｋ（ｘ）为ｋ次整系数多项式，最高次项系数为正且ｆｋ（ｘ）－ｆｋ（０）没有固定因子．Ｒｋ（ｎ）记整数ｎ表为这样的一个二次、五个三次及一个ｋ次多项式和的表法数，ｕｋ（ｎ）记ｎ表为两个二次、三个三次及一个ｋ次多项式和的表法数．本文得到了当ｋ＝３、４、５时，Ｒｋ（ｎ）的渐近公式及当ｋ≥２时ｕｋ（ｎ）的渐近公式．     

PP Kolmogorov-Smirnov统计量的极限分布的尾部下界(Ⅰ)

本文在相当一般情形(包括具正定散布阵的椭球等高分布以及正则且支撑有界的分布)下,给出 m 个正交投影方向产生的 PP Kolmogorov-Smirnov 统计量尾部概率的最好下界 c_1λ~(2((p-(m+1)/2)m+m-1)).exp(-2λ~2),其中 c_1为正常数,并把下列两种统计量的尾部概率的最好下界推广到一般情形,它们分别是超矩形上的 Kolmogo-rov-Smirnov 统计量(Adler 和 Brown,1986),以及超矩形上的 Kuiper 型统计量.     

次序统计量线性函数的随机加权逼近速度

设ｘ１，ｘ２，…ｘｎ（连续未知），Ｆｎ为经验分布函数，Ｈｎ（ｘ）为随机加权经验分布函数，。ｘｎ１≤ｘｎ２≤…≤ｘｎｎ为次序统计量．记以Ｆｎ取代σ２（Ｊ，Ｆ）中的Ｆ即得σ２（Ｊ，Ｆｎ）．     

高离化态氖的类H、类He离子激发光谱的研究

利用束箔技术研究由重离子加速器提供的４７ＭｅＶ能量的Ｎｅ离子，穿过厚度为３９μｇ／ｃｍ２的碳箔而产生高离化态类Ｈ（ＮｅＸ）、类Ｈｅ（ＮｅⅨ）离子激发谱的情况。     

用CCD分析光源的辐射光谱

本文介绍了利用光电图象技术对光源光谱进行分析的工作。利用ＣＣＤ线阵器件和计算机，我们获得了黑体、灰体及单色光源的光谱特性以及有关数据。     

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