C*-代数的迹迹秩

引入C*-代数迹迹秩的概念,讨论它的基本性质.另外,迹迹秩为零和迹拓扑秩为零的C*-代数等价,同时讨论这类代数的拟对角扩张性质.设0→I→ A→A/I→0是拟对角扩张的短正合列,证明如果TTR(I)≤k且TTR(A/I)=0,则TTR(A)≤k.     

双乙酰丙酮缩乙二胺双核稀土(Ⅲ)配合物的合成

合成了８个新型的双乙酰丙酮缩乙二胺双核稀土配合物，经元素分析、红外光谱、紫外－可见光谱、氢核磁共振谱及摩尔电导的测定对配体及配合物进行了表征．     

NiTi形状记忆合金相变过程的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,As=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.     

热丝法气相沉积纳米金刚石薄膜

纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。     

带启动时间及不耐烦等待的多级适应性休假M/G/1排队

本文研究了多级适应性休假的带启动期及不耐烦等待策略的MIG／1连续时间排队，给出了稳态队长的母函数，等待时间的LST及其随机分解结果，并推导出忙期和全假期的均值。     

非齐次泊松过程模型的参数计算方法

在软件可靠性分析中，应用最大似然估计方法估计三参数非齐次油松过程模型的参数时，所得到的方程组出现奇异性．直接求解存在很多困难．本文针对这种奇异性，采用区间优选法解决了这一问题，并实现了计算机自动求解．     

Shannon信息论的若干新发展——兼论通信系统网络化中的数学理论

自1948年C.E.Shannon奠基性论文发表以来,信息论的发展是十分迅速的,尤其是在近十余年内,许多新的研究课题不断产生,思想十分活跃,内容也日趋丰富,它的基本理论成为近代通信工程中不可缺少的一个组成部分,而且正在为新的一代通信系统进行理论储备,其中也提出了一系列有趣的数学模型与问题。     

初等算子与Putnam-Fuglede定理

本文证明若A =(A1 ,A2 ,… )和B =(B1 ,B2 ,… )是Hilber空间H上的交换的正常算子列 ,满足条件 ∑∞j=1A j Aj=I和 ∑∞j=1B jBj =I.则对H上任何有界线性算子X ,由 ∑∞j=1AjXBj =X 可推得 :等式AjX =XBj和A jX =XB j 对所有的j成立     

注入器二极管区约束磁场的匹配设计研究

从分析影响注入器低能强流电子束稳定传输的主要因素出发，提出了注入器二极管区约束磁场匹配设计条件：阴阳极间足够高的磁场梯度和阴极面零磁场发射。阐述了满足匹配条件的磁场配置的设计方法，并利用数字模拟对设计方法进行了验证。