智能延迟触发产生器设计

在弹道测量、高速飞行物碰撞实验（如太空的‘垃圾’碎片对飞行的卫星、飞行舱的损害研究）及其它的类似实验中，需要准确测量飞行物碰撞前的一些状态：如速度、飞行姿态、断裂等情况，并且希望得到在碰撞前很短的距离处测量的数据。那么，在使用X光的阴影照相技术中有关X光机的触发问题就显得更加重要；如果X光机提前触发，此时飞行物还未进入照相区域或者离碰撞区的距离还远，则记录不到弹丸的X光图像或者位置不理想而造成数据不够准确；如果X光机延迟过多触发，则因已碰撞而无法获得碰撞前的状态参数：所以，X光机的触发时刻必须准确才能保证获得物体在希望位置处的X光阴影图像，并且降低实验成本。     

光参量啁啾脉冲饱和放大的增益稳定性

 光参量啁啾脉冲放大（OPCPA）在饱和放大区存在一个增益稳定点，据此设计了一个输出稳定的三级OPCPA系统；第一、二、三级分别选用准相位匹配的周期极化钛氧磷酸钾（PPKTP）晶体、LBO晶体和KDP晶体作为增益介质。饱和放大时，增益随泵浦光强度变化时的增益输出稳定性明显改善，在泵浦光强度抖动低于6%的情况下，各级光参量放大器OPA输出的增益抖动小于1%。前级采用准相位匹配的PPKTP晶体作为增益介质，在远低于破坏阈值的30MW/cm²的泵浦功率密度下，可得到2×10⁵的饱和放大增益和20%的能量转换效率。     

基于可靠性的相位去包裹算法

提出了一种新的基于可靠性的相位去包裹算法。采用了队列算法及去包裹可靠性的判别标准。与传统方法相比,能够自动避开噪声区域,解决了相位去包裹中的阴影遮挡以及空洞等问题,克服了传统去包裹方法中的误差传播效应,能准确快速地对全场进行相位去包裹。设计了一套基于此算法的三维形面测量系统。     

4英寸热氧化硅衬底上磁性隧道结的微制备

就如何在4英寸热氧化硅衬底上沉积高质量的磁性隧道结纳米多层薄膜材料和如何利用光刻方法微加工制备均匀性较好的磁性隧道结方面做了初步研究，并对磁性隧 道结的磁电性质及其工作特性进行了初步测量和讨论.利用现有的光刻设备和工艺条 件在4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结，其结电阻与面积的积 矢的绝对误差在10% 以内，隧穿磁电阻的绝对误差在7% 以内，样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性，可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要求. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁随机存储器 4英寸热氧化硅衬底     

纳米KMn8O16粉体的室温固相合成与表征

室温或近室温固相反应要求绿色化、清洁化[1,2]。我们以KMnO4和MnCl2·4H2O为原料,用室温固相氧化还原反应制备氧化锰粉体时,得到了一种对H2O2分解具有较高催化活性的纳米KMn8O16粉体,用XRD、SEM、IR等技术对其进行了表征,发现研磨时间对粉体性能有显著影响。1　实验部分1 1　粉体的制备按摩尔比(2∶3)准确称取一定量的分析纯KMnO4和MnCl2·4H2O,分别置于玛瑙研钵中充分研细,再混合研磨,固相反应立即发生,体系颜色逐渐加深,并有刺激性气体产生,充分研磨后70℃恒温12h,固相产物依次经水洗至中性、醇洗、抽滤,真空干燥得黑色粉…     

基于遗传算法构建巴耳末公式

基于遗传算法构建了巴耳末公式．通过建立合适的拟合数学模型，用计算机对数学模型进行优化，使之尽可能反映氢原子实际谱线分布，并求出经验常量和拟合公式，最后分析了所得结果．     

基于标准差和平均差的权系数确定方法及其应用

本文以工业经济效益的综合评价为应用背景 ,提出了一种确定多指标决策权系数的新方法———标准差和平均差极大化方法。运用该方法进行多指标决策和评价 ,概念清楚、涵义明确 ,决策和评价结果准确、可信、不具有主观随意性     

多质负风险和

依据理赔方式，风险保险业的险种主要分为正风险和与负风险和。本文主要研究了多质负风险和的Poisson模型的破产概率Ψ（u)，证明了破产概率的Lundberg不等式，即Ψ（u）≤Ce^-Ru。 在规模波动间隔有界情形证明了Ψ（u)=e^-Ru，拓广了经典负风险和相应结果。     

Cs-He光学碰撞中的非绝热跃迁

激光激发Cs He碰撞复合物,测量了Cs(62P)精细结构布居数分支比,由此证实了发生在光学碰撞中的非绝热跃迁.激光频率从Cs(6P3/2)红翼30cm-1调至蓝翼30cm-1,在6P3/2的近翼,分支比与矢谐量有很大的关系.同时测量了Cs(6PJ)态的精细结构转移截面,截面值σ21=9.8×10-19cm2.     

高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.