基于GRIN透镜微小角位移的测量技术研究

根据1/2波节自聚焦（GRIN）透镜中光的传输特性,提出了一种新颖的测量微小角位移的模型,通过对模型中光线传输和几何关系的理论分析,推导了待测角位移与光耦合效率之间的传递函数.针对模型对测量范围的限制,提出了一种可行的拓宽测量范围的方法.研究结果表明,该模型不但测量范围宽,而且测量准确度高,线性度好.     

克尔介质中超连续谱的产生与自聚焦的抑制

 从（3+1）维非线性薛定谔方程出发，理论上分析了超短脉冲频谱展宽与自聚焦的影响因素。分析得出：通过改变泵浦光的功率和光束口径，可以实现光谱的极大展宽并避免自聚焦成丝。数值模拟了小口径强泵浦光束在BK7玻璃中的传输过程并进行了实验验证。模拟结果显示在超连续谱产生的同时小尺度调制被完全抑制。实验结果表明：降低泵浦光功率，使光束不会因为全光束自聚焦而发生塌陷，同时还能控制除自聚焦外的其它非线性效应，进而改善近场光束质量。由于自相位调制是超短超强脉冲产生超连续谱的重要机制之一，需要维持传输过程中的泵浦光功率，由此最佳的入射光功率应选在全光束自聚焦功率阈值附近。     

用于快点火研究的超短脉冲的相干合成

 利用傅里叶光学方法，建立了一个基于远场的多束超短脉冲相干合成的理论模型。研究了一个口径为50 cm，脉宽为1 ps的超短脉冲相干合成系统的各种误差对脉冲远场时域和空域特性的影响。结果表明：若要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90％，该系统的相位延迟误差小于0.63，沿x方向角度误差小于0.37 μrad，沿y方向角度误差小于0.34 μrad；若要求远场叠加脉冲的时域展宽小于25％，系统的剩余啁啾因子应小于1.32(不考虑相位延迟)或1.52(考虑0.63的相位延迟)。     

基于远场的拼接光栅压缩池的设计

 利用傅里叶光学方法得到了失调拼接光栅压缩池输出光束的远场振幅表达式，建立了分析拼接光栅的各种误差的理论模型，得到了拼接误差对脉冲的影响是附加相位延迟和角度偏转。在要求远场的一倍衍射极限区域的积分能量分布达到理想情况下的90％的条件下，对于含有口径为40 cm、脉宽为0.1~10 ps脉冲的系统进行分析并分别得到了各种误差的容限。     

散度型椭圆方程的解在Morrey空间上的细正则性

对具有不连续系数的散度型椭圆方程-(aijuxi)xj=(fj)xj的解在Morrey空间中的细正则性进行了研究,即如果aij∈VMO ∩ L∞(Ω),fj∈Lp,λ(Ω),u∈W1,q(Ω)(1＜q≤p)是方程的解,则 u∈W1,ploc(Ω)且uxj∈Lp,λloc(Ω).     

双瓶输液中的数理问题

医学上常用吊瓶式输液器给病人输液 ,而且往往是双瓶串起来进行 .在输液的过程中 ,涉及到许多中学数学和物理的知识 ,下面是笔者在研究性学习中 ,讨论的一个数理问题 .图 1　双瓶输液图例 1　如果我们将Ａ瓶内装入普通盐水 ,Ｂ瓶内装入药液 ,在两瓶如图 1连接情况下输液 ,那么 ,药液先从Ｂ瓶下面连接的软管中流入Ａ瓶中 ,经混合后 ,液体再从Ａ瓶下面的针管中流出 ,结果是Ｂ瓶内液体先流完 .试问 :当Ｂ瓶内液体流完时 ,从Ａ瓶下面流出的液体浓度为多少 ?解析　为了使问题简化 ,我们假设Ａ瓶内的液体是没有溶质的液体 ,Ｂ瓶内的液体全部是溶质…     

不等式(a+m)/(b+m)>a/b的教学价值

本篇设计生动地说明了 ,一个小小的数学例题 ,在转变了教学理念 ,拓宽了视野后 ,会挖掘出那么多深邃的有价值的教学内涵 .但可能有人要问一句 :教学上需要这样做么 ?值么 ?     

从万花筒到组合镜面的成像规律

 万花筒,是许多人都曾经玩过的玩具,那其中复杂却又充满规律性的图影曾让我们浮想联翩。其中有哪些规律呢?这似乎是一个非常有趣的问题。     

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

用两正交偏振光(SP)和两P偏振光(PP)作为记录光(λ=532nm)，记录光的功率均为5mW，用He—Ne激光器632．8nm红光作为读出光，分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜(MR／PVA)样品的光栅生长曲线．发现用两P偏振光作为记录光时，光栅生长曲线分为快、慢2个过程；两正交偏振光作为记录光时，光栅生长曲线只有一个过程，前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同．     

利用电泳技术在不锈钢和铁基底上制备MgB2带材

本文首次报道了利用电泳技术在铁和不锈钢基底上制备MgB2超导带材.电阻测量表明,沉积在铁和不锈钢基底上MgB2带材的超导零电阻转变温度分别为37.5K和31K,超导转变宽度分别为0.3K和1K.磁测量表明,(5K,OT)时不锈钢基底上带材的临界电流密度为6×105(A/cm2).X射线衍射谱和扫描电子显微镜图象表明样品结晶良好,晶粒生长致密.本工艺制备MgB2带材时不受系统真空度的限制,生长迅速,成本低廉,并且可以根据不同的需要任意选择基底的形状和大小.