卤代-D,L-苯丙氨酸盐酸盐的合成与表征

以乙酰氨基丙二酸酯和苄卤为原料,经缩合、碱性水解、脱羧和脱乙酰基,合成了一组卤代-D,L-苯丙氨酸盐酸盐,利片j核磁共振谱(1H NMR)和质谱(MS)表征了产物的结构,利用元素分析确定了其组成.     

元素掺杂对VH2解氢性能的影响

采用密度泛函理论（DFT）的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了Zr、Cu、Zn掺杂对VH2的电子结构和解氢性能的影响．计算结果显示Zr掺杂VH2后晶体模型的负合金形成热增加和费米能级目处电子浓度N（Ef）的减少,体系结构稳定性增强;V—H之间重叠集居数和电子密度计算也显示V-H之间相互作用增强;表明在VH2中掺杂Zr以后吸放氢最大容量增加,但解氢能力减弱．而Cu或Zn掺杂VH2以后晶体模型的负合金形成热减少和费米能级Ef处电子浓度N（Ef）增加,体系结构稳定性减弱;V-H之间重叠集居数和电子密度计算也显示V-H之间相互作用减弱;表明在VH2中掺杂Cu或Zn以后吸放氢最大容量降低,但解氢能力增强．与实验结论相符．同时Mulliken集居数计算结果还显示V-d轨道MuUiken集居数与掺杂有关,掺杂Zr以后V—d轨道Mulliken集居数减少;掺杂Cu或Zn以后V—d轨道Mulliken集居数增加．     

地西泮半抗原衍生物的合成

以2-氨基-5-氯二苯甲酮和氯乙酰氯为原料,经酰胺化、六亚甲基四胺关环、硫酸二甲酯甲基化、引入丁酸叔丁酯和三氟乙酸水解等5步反应,设计并合成了一种地西泮半抗原衍生物,其结构经1 H NMR,13 C NMR和MS（ESI）表征。     

N4H4分子取代基效应的量子化学研究

本文计算了甲基(-CH3),羟基（-OH）对1-丁氮烯和2-丁氮烯的取代基效应。当1-丁氮烯引入取代基后,N=N双键的键长变短,而N-N单键的键长增长。异构体2-丁氮烯的键长变化较小。当引入甲基或羟基后,N原子的孤对电子会与相应的N-C(N-O)键之间发生相互作用,使整个分子的超共轭作用增强。随着取代基数目的增多,总能量和生成热就会降低,取代基数目与分子能量（生成热）之间具有很好的相关性。     

理论计算电子碰撞氢分子(e,2e)反应的三重微分截面

通过发展的分子畸变波玻恩近似（MDWBA）方法,把坐标空间的分子多中心问题转化为动量空间的单中心问题,入射电子、散射电子以及被电离电子的波函数都使用了畸变波表象,经过求解动量空间Lippmann-Schwinger方程获得电子的畸变波函数。应用MDWBA方法计算了共面非对称动力学条件下入射能量为100eV 的电子碰撞氢分子（e,2e）反应的三重散射微分截面,并与其它理论和实验结果进行了比较。MDWBA方法的计算结果与实验结果符合的很好。     

金岛膜表面二硫双琥珀酰亚胺基丙酸酯分子吸附行为的表面增强红外光谱分析

二硫双琥珀酰亚胺基丙酸酯(dithiobis-succinimidyl propionate,DTSP)是一种重要的同源双功能偶联分子,广泛地应用于蛋白质在载体表面的共价固定。研究利用表面增强红外光谱分析了DTSP分子在真空蒸镀金岛膜表面的吸附特性。首先通过密度泛函理论对吸附于金表面的DTSP分子进行了结构优化,计算了该分子的振动模式和红外强度。表面增强红外吸收和变角偏振反射吸收测量结果表明TSP分子在金表面有序排列,其五元杂环平面与金表面法线成65°左右的二面角。此外,表面增强红外光谱还成功地监测到了TSP分子和Nα′,Nα″二(羧甲基)-L-赖氨酸在金表面的实时组装过程。     

乙烯基四配位硅与HEMA共聚物的制备及性能

Laine研究小组直接用二氧化硅和乙二醇在无机碱的作用下，合成了五配位硅化合物：Laine研究的意义在于他开创了低温合成配位有机硅化合物的先河，这种方法有四个优点，（1）能耗小；（2）原料来源丰富，价格低廉，二氧化硅占地壳的1／4，乙二醇也很便宜；（3）污染小；（4）制得的五配位硅化合物反应活性非常高。但Laine在聚合物方面做的工作较少，过去只是把这个方法应用于高性能陶瓷玻璃的制备以及离子导电聚合物的研究中J，主要是解决不了五配位硅钾化合物的水解可逆性问题。     

波导型钯(Pd)膜氢传感器数值模拟及优化

基于离子交换波导的集成型器件是氢敏传感器中很有发展潜力的一种. 传感区域由离子交换波导及其表面的金属钯膜组成, 通过有限差分法（FDM）计算了这种波导结构中的导模及表面等离子模的模场分布, 分析了其传播特性与钯膜光学常数的关系, 并结合束传播方法（BPM）对钯膜的厚度进行了优化, 使其具有最高的灵敏度.     

氢吸附导致的SiC表面金属化

文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC（001）-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC（001）-32表面金属化的一种新机制：通过形成氢桥键（Si-H-Si 复合结构）形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.