压电材料V型切口端电弹场奇异性的实验研究

考虑了由电场和应力集中而引发的压电材料切口端的奇异性问题。通过云纹干涉法测量机电耦合载荷作用下三点弯试验中V形切口尖端的变形场,并利用该结果近似确定切口尖端的占主导地位的奇异性指数。结果表明:正电场使切口张开,切口端的奇异性指数随着切口角度的增大而下降。该结果与有限元法的计算结果定性相符,说明云纹干涉法能够用于判断切口端奇异性状况。     

ITO上AuPd合金和Au阵列图案的制备及电催化活性的SECM表征

利用电化学湿法印章技术在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上制备AuPd合金和Au的双组分阵列图案.采用具有微浮雕图案的琼脂糖印章存储足够多的溶液,并通过控制电沉积的时间来控制图案厚度.应用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),X射线能谱分析(EDX)和原子力显微镜(AFM)分别对ITO表面上的AuPd合金和Au的形貌和组分进行表征,并通过循环伏安(CV)技术和扫描电化学显微镜(SECM)研究比较了Au和AuPd合金的催化活性.利用扫描电化学显微镜(SECM)的针尖产生-基底收集(TG-SC)模式和氧化还原竞争(RC)模式,发现Au电极对二茂铁甲醇氧化物(FcMeOH+)电催化还原能力高于AuPd合金电极,而在AuPd合金上催化还原H2O2的能力显著高于Au.     

液相色谱-串联质谱法测定生姜中的氨基甲酸酯类农药及其代谢物残留

建立了液相色谱-串联质谱法定量测定生姜中27种氨基甲酸酯类农药及其代谢物残留的方法。样品用乙腈均质提取,氯化钠盐析分层,氨基固相萃取小柱净化,以乙腈–水(1∶1)为定容溶剂,经Agilent Eclipse Plus C18色谱柱分离,电喷雾串联质谱多反应监测模式测定,基质匹配标准溶液外标法定量。27种化合物在测定的范围内线性关系良好(r2＞0.99),方法的检出限为0.05 ~ 2.0 μg/kg。在加标水平为10、30、100 μg/kg时,方法的回收率为70.9% ~ 119.1%,相对标准偏差为1.0% ~ 10.8%。该方法样品前处理简单、分析时间短、选择性好、灵敏度高,适用于生姜中氨基甲酸酯类农药及其代谢物的快速测定。     

夹杂角端部奇异热应力场分析

本文提出了一种分析热载荷作用下夹杂角端部奇异应力场的简便方法。该方法是通过三个物理过程来完成的,研究结果发现夹杂角端部奇异热应力场问题可以等效地表示成一个双向等拉伸载荷作用下的奇异应力场弹性问题。换句话说,我们可以直接利用双向拉伸载荷作用下夹杂角端部奇异应力场现有数值结果计算奇异热应力场数值解。与有限元热弹性分析结果表明,本文提出的等效方法是正确的、有效的     

高维欧式期权定价模型的奇摄动解

讨论了一类欧式期权定价问题的随机波动率模型,其随机波动率采用快速均值回归的随机波动率模型.通过采用奇摄动方法,得到了多风险资产欧式期权价格的形式渐近展开式,得到该合成展开式的一致有效误差估计.     

一种多基阵机动目标被动跟踪算法

由多部声纳基阵获取的方位信息对水中机动目标的跟踪实质上是一个非线性状态估计问题,文中首先依据各基阵的方位信息,采用最小二乘法得到目标位置在各采样时刻的初步估计,然后将其作为测量值用于交互多模型算法(IMM)并结合线性卡尔曼滤波(KF)得到目标运动速度和轨迹,避免了应用非线性估计算法直接进行多个方位数据融合过程中存在的各种问题。仿真结果表明这一算法简便,与双基阵纯方位机动目标被动跟踪相比具有较快的收敛速度和较高的跟踪精度。     

狭缝式裂变探测系统的中子灵敏度解析计算方法

 利用基于解析公式的理论方法来计算狭缝式裂变探测系统的中子灵敏度。采用积分和泰勒展开法推导了铀裂变材料在中子作用下产生的碎片数目及PIN探测器接收碎片的概率,并得到该系统的中子灵敏度理论计算公式。在D-T中子源上对该探测系统的中子灵敏度进行了实验标定,并将实验结果与解析公式计算得到的理论值进行比较。结果表明：理论计算值与实验结果保持一致,两者之间的偏差小于10%。     

电热原子吸收光谱法测定奥沙利铂中的铅和砷

采用电热原子吸收光谱法测定抗肿瘤新药奥沙利铂中的痕量铅和砷,实验优选了灰化、原子化的最佳温度条件,进行了加标回收实验和精密度实验,加标回收率铅在97.88%—103.96%之间,砷在92.12%—105.72%之间。奥沙利铂是含贵金属的原料药,价格昂贵,检测时不耗费大量的样品、降低成本很重要。本法取样量少,不需要高温灰化和繁琐的样品富集和前处理技术,简单的酸溶解处理配成溶液后,即可直接上机测定,试样中的有机成分在灰化阶段可被除去。     

Mosaic Structure Evolution in GaN Films with Annealing Time Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

We investigate mosaic structure evolution of GaN films annealed for a long time at 800℃ grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition by high-resolution x-ray diffraction. The result show that residual stress in GaN films is relaxed by generating edge-type threading dislocations （TDs） instead of screw-type TDs. Compared to as-grown GaN films, the annealed ones have larger mean twist angles corresponding to higher density of edge-type TDs but smaller mean tilt angles corresponding to lower density of screw-type TDs films. Due to the increased edge-type TD density, the lateral coherence lengths of the annealed GaN films also decrease. The results obtained from chemical etching experiment and grazing-incidence x-ray diffraction （GIXRD） also support the proposed structure evolution.     

光电倍增管中子直照灵敏度响应

 光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响。分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理。中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应，导致窗玻璃产生荧光，从而使光阴极发射光电子。在5SDH-2小串列加速器上，选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验，得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线。结果表明：中子能量由低到高变化时，光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大；两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×10²~2.74×10²，该值与其相应的增益比量级一致。