全文获取类型
收费全文 | 5971篇 |
免费 | 2895篇 |
国内免费 | 2212篇 |
专业分类
化学 | 1489篇 |
晶体学 | 116篇 |
力学 | 554篇 |
综合类 | 261篇 |
数学 | 1508篇 |
物理学 | 7150篇 |
出版年
2024年 | 47篇 |
2023年 | 168篇 |
2022年 | 192篇 |
2021年 | 212篇 |
2020年 | 159篇 |
2019年 | 185篇 |
2018年 | 154篇 |
2017年 | 196篇 |
2016年 | 207篇 |
2015年 | 259篇 |
2014年 | 525篇 |
2013年 | 367篇 |
2012年 | 338篇 |
2011年 | 417篇 |
2010年 | 502篇 |
2009年 | 530篇 |
2008年 | 601篇 |
2007年 | 523篇 |
2006年 | 600篇 |
2005年 | 502篇 |
2004年 | 545篇 |
2003年 | 457篇 |
2002年 | 499篇 |
2001年 | 383篇 |
2000年 | 323篇 |
1999年 | 326篇 |
1998年 | 242篇 |
1997年 | 250篇 |
1996年 | 216篇 |
1995年 | 227篇 |
1994年 | 184篇 |
1993年 | 119篇 |
1992年 | 164篇 |
1991年 | 146篇 |
1990年 | 121篇 |
1989年 | 120篇 |
1988年 | 27篇 |
1987年 | 18篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 6篇 |
1982年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
992.
本文讨论以叉积C(X)×_αZ_n的理想构造,这里X是紧Hausdorff空间,α是X的一个同胚,并且周期为n,即α ̄n=id(n是固定的正整数)。我们刻划了C(X)×_αZ_n上所有的纯态的西等价类,及其所有的本原理想,由此给出它的任何闭双侧*理想的特征。 相似文献
993.
第Ⅱ种强度不等的两态叠加多模叠加态光场的等阶N次方H压缩——1腔模总数与压缩阶数两者之积取偶数的情形 总被引:2,自引:0,他引:2
利用多模压缩态理论研究了第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ(ab)Ⅱ〉q的等阶N次方H压缩特性.结果发现:1) 当腔模总数q与压缩阶数N的乘积取偶数,亦即qN=2p时,无论p=2m(m=1,2,3,…,…),还是p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…),只要各模的初始相位差(φ(a)j-φ(b)j)、态间的初始相位差(θ(aR)nq-θ(bI)nq)及光子干涉项的幅度∑qj=1R(a)jR(b)j等分别满足一定的条件,则态|Ψ(ab)Ⅱ〉q的第一和第二正交分量总可分别呈现出周期性变化的等阶N次方H压缩效应.2) 当qN=2p且p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…)时,若构成态|Ψ(ab)Ⅱ〉q的两个不同的量子光场态中各对应模的强度(即平均光子数)和初始相位相等,亦即R(a)j=R(b)j和φ(a)j=φ(b)j(j=1,2,3,…,q),则态|Ψ(ab)Ⅱ〉q可呈现出"等阶N次方H压缩简并"现象 相似文献
994.
金茂明 《南昌大学学报(理科版)》2002,26(4):323-327
在任意实Banach空间中讨论Φ—伪压缩映象带误差的Ishikawa迭代程序的收敛性问题。我们的结果改进和推广了Chang和Tan,Chidume,Osilike,Li和Liu,Zeng,Gu的相关结果。 相似文献
995.
利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高 度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长 .由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为14 eV. 通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱 的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带 态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.
关键词:
同步辐射
光电子能谱
Au/GaN欧姆接触
态密度 相似文献
996.
应力为GBVE分布强度为指数分布下结构可靠度的估计 总被引:12,自引:0,他引:12
本文考虑应力服从GBVE分布,强度服从指数分布的应力一强度模型,分别在应力参数未知和强度参数未知情形下给出了该模型可靠度的估计并讨论了其性质. 相似文献
997.
用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4 ( x = 1.25, 1.33, 1.60) 多晶.X射线衍射结果表明样品没有杂项,且都是四方层状K2NiF4结构[1].电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为.对于x= 1.25和1.33的样品,热电势为正值;而对于x= 1.60的样品,热电势在60K发生了由正到负的转变.所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值,在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂,表明在低温下样品存在类自旋玻璃态.我们同时测量了x = 1.25样品在110 K到300 K温区的电子自旋共振谱,发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争,强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化. 相似文献
998.
稠密Ar等离子体不透明度的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
用屏蔽氢离子模型计算了冲击压缩产生的温度T~1.8 eV,密度ρ~0.0044 g/cm3稠密氩等离子体随光子能量变化的辐射不透明度,并与实验作了比较,探讨了冲击压缩产生的稠密等离子体中自由-自由吸收、束缚-自由吸收和束缚-束缚吸收对不透明度的贡献.计算结果表明,对冲击压缩产生的稠密等离子体,自由-自由吸收对不透明度的贡献非常大,特别当光子能量较低时(hv~2.0 eV )自由-自由吸收为不透明的主要部分,因此较好地计算自由-自由吸收项对冲击压缩产生的稠密等离子体不透明度的研究是非常重要的. 相似文献
999.
1000.
通过融合蒸发反应144Nd(19F,5n)布居了双奇核158Tm的高自旋态. 扩展了原来已知的带结构, 并建立了一条新转动带. 通过与相邻核的比较, 讨论158Tm核中两条四准粒子带的内禀组态, 并分别指定为πh11/2\otimes νh9/2(α=+1/2)\otimes (νi13/2)2和πh11/2\otimes νh9/2(α=-1/2)\otimes (νi13/2)2
组态. 建立在πh11/2\otimes νi13/2组态上的转动带被观测到呈现持续旋称反转现象, 而前述的两条高自旋区的
四准粒子转动带也呈旋称反转. 对这两种类型的旋称反转现象的可能机制进行了简单而定性的讨论. 相似文献