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993.
994.
以Mn2O3和氢氧化锂为原料,通过焙烧合成出o-LiMnO2。用X射线衍射和扫描电镜对不同温度下合成的粉末样品进行了表征,并研究了材料的电化学性能。通过对不同温度条件下烧结样品的晶胞参数、布拉格(110)晶面峰半高宽及电化学性能研究发现:600 ℃下合成样品的半高宽最大,堆垛层错率高,同时电化学性能也最好,首次放电容量达到156 mAh·g-1,20次循环后仍保持在140 mAh·g-1以上。中高温固相合成的o-LiMnO2材料,在晶粒范围大小相近时,材料电化学性能与材料堆垛层错率相关。 相似文献
995.
电沉积AuInSe2半导体薄膜上的电化学振荡现象 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电沉积制得的AuInSe2半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为,对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析,同时采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率,为金铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础. 相似文献
996.
采用直流极谱和循环伏安等多种手段研究了卟啉配位剂(H_2TCPP)在汞电极上的极谱性质。在碱性介质中,H_2TCPP的电极反应具有以下三个特性:(1)第一步为受扩散控制的2e并有2H~+参与的可逆还原过程,第二和第三步为不可逆各为2e的还原反应;(2)H_2TCPP在汞电极上存在强吸附性;(3)第一步电极反应产物可发生随后的化学反应,即前两步还原经由ECE机理进行。 相似文献
997.
998.
新型有机锗倍半氧化物及硫化物的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
已先后合成的倍半氧化物类及倍半硫化物类化合物的前体,即有机锗三氯化物中只含1个锗原子。为了考查从含2个锗原子的前体合成的有机锗倍半氧化物及硫化物的药物活性,我们合成了1类化合物及相应的倍半氧化物(2类)及倍半硫化物(3类),并合成了酰基苯胺化合物1_e、2_e及3_e。结果见表1。 相似文献
999.
在1,2-聚丁二烯链分子中,导致仲碳(—CH_2—)谱峰分裂的原因是存在着两种gauche排列。在这样一个复杂体系中,由于主链仲碳与叔碳的gauche排列占有重要的位置,因此主链叔碳对化学位移的贡献对于仲碳谱有着决定性的影响。相比之下,乙烯基的贡献要小得多。两种贡献分别是γ_1=—6.37——6.41ppm与γ_2=0.0——1.56ppm。在不计入侧基的影响或同时考虑乙烯基的贡献这两种情况下,均方误差MSE分别是0.166×10~(-2)和0.364×10~(-2)ppm~2。本文同时讨论了模型链的种类、链长以及温度对键概率的影响。并指出有个别反常的情况发生。文中还对间同1,2-聚丁二烯的链结构进行了分析。 相似文献
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