GPC-GC-MS对食用植物油中多种类型农药残留的同步测定

基于凝胶渗透色谱(GPC)对脂类优良的分离能力,研究了其对有机氯、有机磷、氨基甲酸酯、拟除虫菊酯等多种类型农药与油脂基体的分离行为,建立了一种可同步测定食用植物油中4种类型共29种农药残留的分析方法.样品用凝胶渗透色谱提取净化,然后用自动快速浓缩仪浓缩后直接用气相色谱-质谱法(GC-MS)测定,其在0.05、0.10、0.20 mg/kg 3个添加水平的平均回收率为82% ～119%,相对标准偏差为1.35% ～10.2%,29种农药方法检出限和定量下限分别为0.1 ～10.0 μg/kg和0.4 ～33.0 μg/kg,可以满足食用植物油中农药残留限量的检测要求.     

金属有机物化学气相法制备YBCO超导薄膜研究

运用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD),在LaAlO3(LAO)单晶上沉积YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜。通过使用优化的进液装置,使金属有机源连续、稳定地输送至蒸发皿进行闪蒸。通过优化总气压、氧分压等生长条件,获得高质量的YBCO薄膜。在固定的温度条件下,调节反应总气压和氧分压,在总压为380Pa,氧分压为180Pa获得YBCO薄膜临界电流密度Jc=0.6MA/cm2。随着氧分压增大,YBCO薄膜产生a轴取向,(005)峰向左偏移,且薄膜中的Cu/Ba由1.0变化至1.63。在Cu/Ba=1.48时,YBCO薄膜结构与性能较优。     

Au5Si2/Si Heterojunction Nanowires Formed by Combining SiO Evaporation with Vapour--Liquid--Solid Mechanism

Crystalline AusSi2/Si heterojunetion nanowires （AusSi2/SiNWs） are obtained by thermal evaporating SiO pow- ders on thick gold-coated silicon substrates in a low vacuum system. Structure analysis of the produced AusSh/Si heterojunetions is performed by employing a transmission electron microscope （TEM） and a selected area electric diffraetometer. The chemical compositions axe studied by a energy-dispersive x-ray spectroscope attached to the TEM. A two-step growth model is proposed to describe the formation of the AusSi2/SiNWs. During the first step, crystalline SiNWs are formed via a growth mechanism combining the oxide-assisted growth process with the vapour-liquid-solid model at relatively high temperature. In the second step, the temperature decreases and one segment of the preformed SiNWs reacts with the remnant Au to form single crystalline AusSi2 nanowires by a solid-liquid-solid process. The present work should be useful for the future synthesis and research of high-quality gold silicide nanowires and microelectronic devices based on the nanowires.     

Switching Characteristics of Phase Change Memory Cell Integrated with Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

A Ge2Sb2Te5 based phase change memory device cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor （MOSFET） is fabricated using standard 0.18 #m complementary metM-oxide semiconductor process technology. It shows steady switching characteristics in the dc current-voltage measurement. The phase changing phenomenon from crystalline state to amorphous state with a voltage pulse altitude of 2.0 V and pulse width of 50ns is also obtained. These results show the feasibility of integrating phase change memory cell with MOSFET.     

高温超导薄膜J_c与微波非线性相关性研究

采用微带谐振器技术研究高温超导薄膜的微波非线性问题,介绍了微波非线性的测试方法,描述了测试现象,定量表征了微波功率非线性。将微波非线性与临界电流密度Jc大小的关联性进行分析研究,发现两者关联性弱;同时验证了功率压缩测试方法对高温超导薄膜微波非线性的研究是可行的。     

压缩产生等离子体强光源辐射功率计算方法

强光辐射技术是一项技术复杂、特点突出的高新尖端技术,在红外对抗中有着重要的应用。在爆炸激励等离子体产生强光辐射时,发光工质材料及其初始参数的选择成为一项关键技术,他们对辐射功率有着重要的影响。介绍了爆炸激励等离子体产生强光辐射功率的计算方法,用这种计算方法对各种发光工质的辐射功率进行计算,选择出了一种合适的发光工质的材料。分析了在产生强光辐射过程中发光工质的材料、初始参数对辐射功率的影响。推导出辐射功率与这些参数的函数关系,绘制了相应的关系曲线,通过特性曲线分析选择出适宜的初始参数。     

电极材料对碘化汞（α-HgI2）晶体I-V特性的影响

利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au／HgI2、AuCl3（Au）／HgI2、C（石墨）／HgI2接触的I-V特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α—HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1．0291和0．9380,接触电阻分别为3．0×10^8Ω和1．0×10^8Ω;而溅射Au与HgI2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0．8341,接触电阻为3．5×10^9Ω。这说明AuCl3在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触。C（石墨）化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C（石墨）／HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性。而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au／HgI2接触的欧姆特性变差。     

超短脉冲光通过光折变体光栅衍射及透射光强的瞬时变化特性研究

采用Kogelnik的耦合波理论,研究了超短脉冲光通过光折变体光栅的衍射及透射光强在时域的瞬时变化特性.发现衍射和透射脉冲波形与读出脉冲宽度、光栅周期、光栅厚度及光折变材料的折射率调制大小有密切关系.通过调整这些参量的数值,可以获得需要的脉冲形状.同时还发现衍射和透射脉冲在时间轴上有一定的偏移,偏移量的大小与参量选择有关.     

通过48Ca+249Bk 合成Z=117的可能性研究

利用两步模型对可能合成 Z=117 的核反应48Ca+249Bk 进行了研究。模型将熔合过程分为弹靶接触前的粘连过程和从弹靶接触到形成复合核的形成过程。结合统计蒸发模型,计算了297117 蒸发数个中子的剩余截面。结果表明,在激发能 E* = 31 MeV且复合核蒸发3中子时的剩余截面最大为 0.34 pb ,已经可以用实验方法进行探测。     

近壁方柱绕流非定常特性的TR-PIV测量

本文采用时变粒子图像速度场测试技术(TR-PIV),研究了低速循环水槽中近壁(G/D=0.1)二维方柱绕流的非定常流动特性.通过对实验得到的20000个连续瞬态速度场进行分析,得到了时均速度矢量场,速度大小分布和流向速度脉动强度分布.根据回流间歇系数的分布确定了时均再附点的位置.通过对原始速度场进行互相关分析,得到了流场中低频大尺度相干结构输运速度Uc=0.4U0.