铁磁多层膜中的力致磁电阻效应

通过研究外应力场下铁磁多层膜系统中的自旋结构,讨论了系统磁电阻对外应力的依赖关系.结果表明,外应力能够诱发磁电阻效应,且其磁电阻紧密依赖于外应力的大小和方向.一般地对铁磁性层间耦合,其磁电阻与外应力之间的关系紧密地依赖于两铁磁层的磁致伸缩系数以及磁晶各向异性之差异.具体地,大小一定的外应力由磁易轴向磁难轴旋转的过程中,磁电阻先缓慢增大后急剧减小,在磁难轴附近变化较敏锐,并出现峰值.外应力方向一定时,磁电阻随应力的增大先敏锐增强后缓慢减小,且应力方向偏离磁易轴越远,变化趋势越显著.特别地,当外应力完全垂直于磁易轴时,应力大小的变化会引起磁电阻翻倍.而外应力场介于8πM/5≤H_λ≤18πM/5时,磁电阻会随应力的旋转单调上升,并在磁难轴附近急剧增强,产生GMR效应;对反铁磁性层间耦合,其GMR效应对应力大小和方向的响应近似地相反于铁磁性层间耦合情形. 关键词： 铁磁/非磁/铁磁三层膜 自旋结构 磁电阻 应力场     

纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析

采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜. 傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量减少了一半以上,硅氢键合模式以SiH₂为主. 随着衬底温度的升高和晶化率的增加,纳米晶硅薄膜中氢的含量以及其结构因子逐渐减少. 关键词： 氢化纳米晶硅薄膜 红外透射谱 氢含量 硅氢键合模式     

VB金属离子掺杂TiO_2金红石构型与稳定性的分子动力学研究(英文)

在300 K与101 325 Pa下,用分子动力学模拟研究0.5mol%,2.1mol%,3.8mol%VB金属离子(V5+,b5+,Ta5+)TiO2金红石构型与总能量.当掺杂离子浓度为2.1mol%时,离子位置具有较小的平方位移,及较明显的原子晶面与高的稳定性,金红石构型保持较好的完整性.其中,与V5+,Ta5+掺杂离子相比,Nh5+离子由于具有Ti5+相匹配的价态与离子半径,能够较好地溶入到TiO6八面体中.     

Multiple Ionic-Covalent Couplings in Molecules and Clusters

由电正和电负组元构成的分子的电子态是共价构型和离子构型相互干涉作用的结果. 研究揭示了在Li2H、Li2F和Li4F等小分子中离子-共价耦合的复杂性. 将这一类分析扩展至金属团簇或者金属表面对亲电分子的吸附将会对于观测到的物理和化学性质提供全新的解释.     

拉曼强度中的分子结构信息

本文介绍了我们从拉曼光谱强度出发, 导出分子极化率, 从而研究分子结构信息的理论依据和研究方法, 并以硫脲分子为例, 通过分析其吸附在银电极上的表面增强拉曼光谱强度和水溶液的紫外拉曼光谱强度, 推断出硫脲在电极表面的吸附构形以及水溶液的结构, 结果表明: 从拉曼强度光谱出发, 确实可以得到许多有意义的物理结论, 而这些结论, 是单从拉曼频率是不能得出的。     

Energy dissipation in the deterministic and nondeterministic Nagel-Schreckenberg models

In this paper, we numerically study energy dissipation per unit time per car E_d in the Nagel-Schreckenberg (NS) model. Numerical results show that there is a critical density over which energy dissipation occurs, but below which no energy loss happens in the deterministic NS model. Energy dissipation depends on both the car density and initial configuration in the deterministic case. The energy dissipation rate, E_d, calculated starting from a completely jammed state whose value is minimum, decreases monotonously with the increase of car density above the critical density. In the nondeterministic case, however, there is no critical density and energy dissipation happens in the whole density region, and initial configuration has no effects on energy dissipation. The dissipated energy has two different contributions: one coming from the interactions and another from the braking noise in the stochastic case. The relative contributions of the two dissipation mechanisms are presented. In the free-flow state, E_d is proportional to p(1−p) where p is the stochastic braking probability. In the case of v_max=1,E_d is proportional to the mean density of “go and stop” car per time step ρ_gs, which is equal to n₀(1−n₀) where n₀ is the fraction of stopped car. Theoretical analyses give an excellent agreement with numerical results.     

温度对于掺杂在SrAl12O19中Pr3+4f5d发射的影响

测量了在真空紫外光激发下,SrAl12O19∶Pr3 在不同温度(308~483 K)时的发射光谱,同时观测到了电偶极禁戒的4f2→4f2和电偶极允许的4f5d→4f2跃迁。随温度升高,4f5d→4f2与1S0发射的相对强度逐渐增强。运用Pr3 4f2组态最高的能级—1S0能级和4f5d组态最低能级间的热平衡模型成功解释了SrAl12O19∶Pr3 发射光谱随温度变化的现象。     

原子结构的几种处理方法及其比较

主要论述了处理原子结构问题中常见的几种处理方法,着重论述了全实加关联的理论方法,对这几种方法进行了比较,并总结出它们在处理原子结构问题中的优点和缺陷.     

Ba原子6pnd(J=1, 3)自电离光谱的实验研究

采用三台可调谐激光实施孤立实激发,分三步将处于基态的Ba原子激发到6p_1/2nd(J=1,3)和6p_3/2nd(J=1,3)自电离态上,获得了分别从6snd¹D₂(n=7—15)和6snd³D₂(n=7—12) 激发而得到的6p_1/2nd(J=1,3)和6p_3/2nd (J=1,3)自电离光谱,重点对主量子数n较低的自电离态进行了实验研究. 通过光谱的线形拟合得到了上述能级的位置和宽度等数据,进而获得了量子亏损和约化宽度等信息. 通过对不同系列的自电离光谱的分析和比较,详细讨论了这些自电离态的光谱特征及其复杂光谱结构的成因. 关键词： 孤立实激发 组态相互作用 自电离态     

棱镜-薄膜耦合结构中光束Goos-H(a)nchen位移的增强

棱镜-薄膜耦合结构是单侧镀电介质膜的双棱镜结构中的一种,在光信号传输方面具有十分重要的作用.利用稳态相位法分析了这种结构中反射和透射光束的Goos-Hanchen位移,研究结果表明,反射和透射光束的Goos-Hanchen位移随薄膜厚度或入射角的增大除出现共振峰外,还存在反射光束的Goos-Hanchen位移共振峰为负值的新现象.在共振点处透射和反射光束的正向或负向位移量最大可达百余波长.这一结构中薄膜和入射角.对光束Goos-Hanchen位移的调制在设计新型光位移调制和光传感器件中具有潜在的应用.