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981.
Dynamic investigation of the finite dissolution of silicon particles in aluminum melt with a lower dissolution limit 下载免费PDF全文
The finite dissolution model of silicon particles in the aluminum melt is built and calculated by the finite difference method, and the lower dissolution limit of silicon particles in the aluminum melt is proposed and verified by experiments, which could be the origin of microinhomogeneity in aluminum-silicon melts. When the effects of curvature and interface reaction on dissolution are not considered; the dissolution rate first decreases and later increases with time. When the effects of curvature and interface reaction on dissolution are considered, the dissolution rate first decreases and later increases when the interface reaction coefficient (k) is larger than 10 1, and the dissolution rate first decreases and later tends to be constant when k is smaller than 10-3. The dissolution is controlled by both diffusion and interface reaction when k is larger than 10-3, while the dissolution is controlled only by the interface reaction when k is smaller than 10-4. 相似文献
982.
The performance of a double sided silicon strip detector (DSSSD), which is used for the position and energy detection of heavy ions, is reported. The analysis shows that although the incomplete charge collection (ICC) and charge sharing (CS) effects of the DSSSD give rise to a loss of energy resolution, the position information is recorded without ambiguity. Representations of ICC/CS events in the energy spectra are shown and their origins are confirmed by correlation analysis of the spectra from both the junction side and ohmic side of the DSSSD. 相似文献
983.
A readout electronics system used for space cosmic-ray charge measurement for multi-channel silicon detectors is introduced in this paper, including performance measurements. A 64-channel charge sensitive ASIC (VA140) from the IDEAS company is used. With its features of low power consumption, low noise, large dynamic range, and high integration, it can be used in future particle detecting experiments based on silicon detectors. 相似文献
984.
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。 相似文献
985.
基于不可逆热力学原理的油藏多孔介质耦合作用模型 总被引:1,自引:0,他引:1
油藏多孔介质渗流过程存在多场耦合作用,目前的一些研究方法和分析模型具有一定局限性。本文将不可逆热力学原理应用于油藏复杂渗流过程,在局域平衡和连续性假设基础上,提出了基于表征单元体(Representative Elementary Volume,简称REV)的元胞描述方法;推导出了多孔介质渗流过程考虑导热和扩散作用的耦合方程;基于所建模型,分析了稠油热采过程的熵产变化特性。稠油热采过程除包括热传导和扩散耦合作用外,还包括黏滞流动和化学反应等不可逆过程,可根据本文模型扩展。 相似文献
986.
We present a first-principles scheme to investigate the equation of state (EOS) of porous materials, based on our recently developed modified mean-field potential approach. By taking the effect of the structural parameters on the free energy into account, we calculate the total energy of materials with initial different densities and then study the EOS of porous Mo and Sn as a prototype. The calculated results are in good agreement with the experimental data available, which demonstrates that our scheme is suitable for investigating EOS of porous materials over a wide r~nge of porosities and pressures. 相似文献
987.
Co-doped TiO2 thin films are grown on TiN buffered silicon substrates by the pulsed laser deposition method and then hydrogenated. Transmission electron microscopy and high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy measurements have shown that the TiN buffer layer can suffer a 400℃ deposition temperature and prevent the growth of silicon dioxide on silicon. After that, the room temperature ferromagnetism behaviors are observed in the hydrogenated samples, which are measured by the alternating gradient magnetometer. X- ray photoelectron spectroscopy and x-ray absorption fine structure measurements have revealed the existence of cobalt clusters. According to the material analysis, the magnetic behavior after hydrogenation is suggested to be induced by the enhancement of cobalt dusters. 相似文献
988.
采用熔融法制备了CaO-MgO-Al2O3-SiO2系纳米晶玻璃陶瓷材料。在-190~310℃温度范围,利用显微共聚焦拉曼光谱测量分析了该体系纳米晶玻璃陶瓷硅氧四面体结构的变化规律。结果表明,随着温度的降低具有不同非桥氧键的硅氧四面体结构单元变化并不一致,位于三维硅氧四面体结构边缘的具有二个非桥氧键的硅氧四面体(Q2)和具有三个非桥氧键的硅氧四面体(Q1),以及完全独立于三维硅氧网络结构外的具有四个非桥氧键的硅氧四面体(Q0)受温度影响明显,其拉曼光谱均向高波数移动,键的力常数变强,硅氧键长变短。为丰富外环境对纳米晶玻璃陶瓷材料结构与性能影响的研究提供了实验依据,也为控制该体系纳米晶玻璃陶瓷材料的膨胀系数提供了一定的实验依据。 相似文献
989.
用平面波展开法对硅背景下的通信波段不同晶格类型和气孔形状光子晶体的能带结构进行数值计算与分析,提出了相应的物理模型.结果表明:利用光子受限效应和晶格对称性效应可以有效地调控光子带隙.随光子晶体填充率的增加,其约束光子的能力增强,光子带隙在一定范围内展宽且其中心频率蓝移;带隙随晶格对称性增加而变宽.对基元形状和旋转角度的研究发现,光子带隙随基元旋转角度变化具有周期性和对称性,表现出各向异性,由此优化出对应的不同晶格的最佳谐振腔型结构. 相似文献
990.