强流脉冲电子束作用下纯镍表层中织构及结构缺陷的演化行为

利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。     

温度、密度对磁化等离子体光子晶体缺陷模的影响

采用等温近似,用磁化等离子体的分段线形电流密度卷积(Piecewise Linear Current Density Recursive Convolution,PLCDRC)时域有限差分(Finite-differentce Time-domain,FDTD)算法研究了具有单一缺陷层的一维磁化等离子体光子晶体的缺陷模特性;以高斯脉冲为激励源,用算法公式计算所得的电磁波透射系数,讨论了温度和等离子体层密度对其缺陷模的影响。结果表明:改变温度和等离子体层密度可以获得不同的缺陷模。     

原子偶极压缩的相干控制和Cauchy-Schwarz不等式的破坏

通过研究孤立二能级原子与双模纠缠相干光场的相互作用,分析了体系中原子偶极压缩量子效应的时间演化规律.体系中作用场模的性质决定了原子偶极压缩程度;同时定义了体系的Cauchy-Schwarz不等式破坏参数ΔV,研究了不同条件下参数ΔV的时间演化特性,Cauchy-Schwarz不等式破坏程度和体系中所具有的非经典特性是一致的;即可以通过调控相干场参数来远程控制体系中的非经典特性. 关键词： 量子光学 双模纠缠相干态 偶极压缩效应 Cauchy-Schwarz 不等式     

N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO₂材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO₂的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出     

正交振幅正关联正交位相反关联光束的贝尔态直接测量

提出了一种新的EPR光束关联度直接测量的方法.这种方法可以不用本地光直接测量具有正交振幅正关联、正交位相反关联特性的EPR光束的关联度.然后提出了在这种测量方法基础之上的量子密集编码实验方案.     

V替代Mn对La_(0.45)Ca_(0.55)MnO_3电荷有序相及自旋玻璃态的影响

用固相反应法制备了La0.45Ca0.55Mn1-xVxO3(x=0.00,0.10)多晶样品.通过X射线衍射谱、质量磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱,研究了V5+替代Mn3+/Mn4+对La0.45Ca0.55MnO3电荷有序相和自旋玻璃态的影响.实验结果表明,当x=0.10时,不仅母体的电荷有序相基本破坏,而且母体在40K左右出现的自旋玻璃态也被融化.电荷有序相被破坏的主要原因是用V5+替代Mn3+/Mn4+后,增加了Mn3+与Mn4+的比例,使铁磁双交换作用优于反铁磁超交换作用;自旋玻璃态的融化是由于V替代Mn后破坏了反铁磁背景下有少量铁磁成分的自旋玻璃态的形成条件.     

PVK三线态激基复合物的发光及其受紫外光辐照的影响

用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即在PVK分子中相邻咔唑基团重叠程度。通过比较不同紫外辐照剂量后的PVK器件的发光,发现适度的UV辐照后的PVK分子构型中相邻咔唑基团处于全重叠的状态增加,在电致发光时会形成更多的三线态激子,因而提高了PLED器件的发光效率。     

原子核同核异能态诱发辐射研究进展

介绍了同核异能态的特点和诱发同核异能态的几种机制,如直接光激发、电子跃迁诱导核激发(NEET)和电子俘获诱导核激发(NEEC)。同核异能态的诱发辐射研究目前在国际上竞争激烈,尤其是对最近提出的NEEC的研究。同时探讨了在我国开展这些研究的可能性。     

1维圆柱掺杂光子晶体的滤波性能

为了研究1维圆柱掺杂光子晶体的滤波性质,利用光波在1维圆柱掺杂光子晶体中径向受限的条件,推导出光波在1维圆柱掺杂光子晶体中各个模式满足的关系式,研究了TE波和TM波各模式的缺陷模随模式量子数和杂质光学厚度的变化规律。TE波和TM波的缺陷模频率都随模式量子数的增加而增大;同一模式TE波和TM波的缺陷模频率都随杂质光学厚度的增加而减小。利用缺陷模随模式量子数的变化规律可以实现多通道滤波,利用缺陷模随杂质光学厚度的变化规律可以实现调谐滤波。     

光学薄膜的激光损伤研究进展

从理论、实验两方面对薄膜的激光损伤机理和提高损伤阈值的手段进行了回顾。概括了现有理论模型及其适用范围,对缺陷的行为进行了多方面的论述,重点比较了各种制备方法及后处理手段的特点,分析了主要工艺参数对薄膜损伤阈值的影响。结合本实验室及国内外同行的工作,对溶胶-凝胶法制备高损伤阈值薄膜的工艺进行了总结。从吸收、热传导、抗拉强度等角度对物理膜和化学膜在结构与性能上进行了比较,提出了从化学键、成膜过程等方面分析损伤机理的建议,并结合真空污染、亚表面损伤等新问题提出了未来工作的发展方向。