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951.
考虑动态条件下的两种典型分段非线性约束, 根据广义耗散Lagrange原理建立一类具有弹性和阻尼双分段非线性约束系统动力学模型. 采用平均法求解得到系统在周期激励下的幅频响应关系. 分别比较系统在不同分段非线性约束条件下的时域响应、分岔响应和幅频响应, 得到受分段非线性约束的系统响应特性以及约束条件变化时系统响应的变化规律. 对比两种约束条件下的幅频响应, 研究得到系统稳定性受不同分段非线性因素影响及两种分段非线性约束之间的相互影响规律. 相似文献
952.
953.
设计了一种新型双壳层靶丸金属层电沉积装置,借助计算机模拟了其设计原理,分析了微球的运动及镀层的生长模式,介绍了其各部分结构和功能。借助理论计算,确定了镀槽的整体尺寸,其中槽体半径确定为5cm。镀槽的特殊结构使微球上部镀层沉积速度较快,结合小球的自转及围绕圆柱体的公转运动实现镀层均匀沉积。镀液及微球的运动模式使镀液流速合并了主盐浓度、小球平动速度、小球转动速度三个关键参数,简化了对沉积过程的控制。在新旧装置上进行了电沉积实验,制备出了镀层厚度分别为9μm和2μm的空心金微球,结果表明:使用设计的装置可制备表面质量良好、厚度均匀且可控的金属微球,镀层厚度由沉积时间、金属层密度、镀液比重、微球芯轴的等效密度等决定。 相似文献
954.
高质量光学元件表面缺陷中存在一些深度较浅或者宽度较窄的划痕,在暗场成像检测中,该类划痕产生的散射光灰度值很低,甚至淹没在背景光中,很难被目视或常规机器视觉识别,造成划痕缺陷的漏检。针对该问题,以既有的疵病检测系统为基础,根据划痕灰度的等级特征,提出双阈值法分类处理划痕缺陷。在低阈值的弱划痕处理中,根据弱划痕和背景的频率特征以及空间对比度特征,设计了频域滤波及背景差分算法。通过空间域以及频率域的滤波处理,排除高频噪声以及高亮度噪声,根据几何特征等提取弱划痕图像中的复杂背景。经差分处理后,提取弱划痕并增强对比度,最后与正常灰度级划痕信息一同通过高阈值(正常阈值)进行后续划痕的特征提取,即得到所有的划痕信息,为划痕缺陷总长度计算以及最大长度的分级判定奠定基础。实验结果表明,该算法避免了过低二值化阈值引入的背景等不规则噪声,使得划痕与背景的对比度大大增强。目前该算法已经应用于惯性约束聚变系统中大口径光学表面划痕的定量检测,并且使长度计量的准确度已提升到约80%。 相似文献
955.
本文报道了2种二维同构配位聚合物{(NH2(CH3)2)2[M(L)]}n(M=Fe (1)、Co (2),H4L=1,1''-(1,4-苯基双(亚甲基))双(1H-吡唑-3,5-二羧酸))的合成、晶体结构和磁性。X射线单晶衍射结构分析表明,2种配合物属于相同的单斜晶系P21/n空间群,中心金属离子M(Ⅱ)是六配位的八面体构型。该配合物的特点是配离子带有2个负电荷,溶剂DMF分解形成的二甲基胺离子作为阳离子而使配合物保持电中性。在聚合物中,每个配体通过吡唑环上的N、O原子和该吡唑环上的单齿O原子桥联2个金属离子,形成···M-L-M-L···一维链,此一维链相交形成包含M4L4单元的无限二维网络结构。磁性研究表明,配合物1和2具有反铁磁性。 相似文献
956.
通过结合固相和液相包覆在Al掺杂LiCoO2表面共包覆了钛酸锂(Li4Ti5O12)和聚吡咯(PPy)。这种双包覆方法不仅稳定了高电压下LiCoO2的表面,还增强了材料的离子和电子电导率。电化学测试表明,当活性物质、导电剂和黏结剂的质量比为80∶ 10∶10时,在0.5C (1C=180 mA·g-1)电流下,循环300周后的容量保持率为76.9%,且在5C电流密度下可逆比容量为150 mAh· g-1;由于双包覆后LiCoO2电子电导率大幅提高,当活性物质、导电剂和黏结剂的质量比为90∶3∶7时,在0.5C电流下,循环200周后的容量保持率为82.8%,且在5C电流密度下可逆比容量为130 mAh·g-1。X射线光电子能谱测试表明,包覆层可以在循环中保持稳定且能抑制LiCoO2材料在高电压下的表面副反应。 相似文献
957.
通过低温等离子体技术对聚乙二醇双丙烯酸酯(PEGDA)/甲基丙烯酸β-羟乙酯(HEMA)共聚物水凝胶生物材料进行表面改性,以骨髓基质干细胞(BMSc)为细胞模型,考察了细胞在等离子体表面改性前后的水凝胶材料的黏附和增值行为,材料的表面性能通过 X 射线光电子能谱、接触角和扫描电镜进行表征.研究结果表明,材料表面经氩等离... 相似文献
958.
设计并合成了4个对称联苯双酯类液晶化合物,化合物结构通过红外和核磁表征,它们的介晶性通过差示扫描量热仪(DSC),X射线衍射仪(XRD)和热台偏光显微镜(POM)进行了研究.并测定了4,4'-3,3',5,5'-四甲基联苯-二(4-甲基苯甲酸酯)(Ⅲa)的单晶结构,结果显示:晶体属于单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数为a=18.525(3)(A),b=12.196(2)(A),c=12.195(2)(A),β=97.142(2)°,V=2733.7(9)(A)3,Z=4,Dc=1.163 Mg/m3,R=0.0521,Rw=0.1161.化合物均为热致型互变液晶,并讨论了氧原子、不饱和端基和端基链长对介晶性的影响. 相似文献
959.
960.