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91.
电化学葡萄糖传感器检测血浆中的葡萄糖时,血浆中的电活性物质-对乙酰氨基酚会严重干扰检测结果。本研究以对乙酰氨基酚(ACP)为电子转移媒介体,研究了葡萄糖氧化酶(GOD)修饰电极的电化学行为,并探讨了不同pH条件下该修饰电极催化葡萄糖氧化的能力。研究发现ACP能有效地促进酶活性中心与电极间的电子转移,且Nafion涂覆的GOD修饰电极能有效排除尿酸(UA)和抗坏血酸(AA)的干扰。实验结果表明Nafion/GOD电极的氧化电流与葡萄糖浓度在0.6~15mmol/L范围内呈良好的线性关系,且对葡萄糖的检测限为59μmol/L。  相似文献   
92.
多光谱测温依据黑体辐射定律,通过辐射光强、多组波长即能推测出温度值,克服了比色测温要求光谱单一和比色光谱相近的约束,在工程实际中得到了广泛的应用。在多光谱温度反演的过程中,光谱发射率的求解及多光谱数据处理是精确测温的关键。目前,光谱发射率的求解大多以光谱发射率假设模型为主要的方法,当假设模型与实际情况接近时,反演的温度与光谱发射率精度很高,当二者不相符时,反演的结果与实际情况相差甚大,对于复杂材料和燃烧过程中材料性能动态变化情况下的测温,以光谱发射率假设模型的方法存在盲目性;近年来,基于神经网络的深度学习的方法应用于多光谱测温,避免了光谱发射率假设模型,可建立温度与多光谱的非线性统计规律关系,但需要海量数据与超强算力支撑,且建模过程复杂。针对上述问题,提出了一种基于多元极值优化的多光谱温度测量方法(MEVO),该方法利用不同温度下多光谱信号之间的关联性,通过分析在多光谱温度反演过程中各通道测量温度之间的联系,基于多光谱辐射测温原理以及温度反演过程中各通道数据之间的信息关联,建立多元温差关联函数,通过关联函数的寻优,建立高精度测温模型。该方法将建模过程简化为多元温差函数的寻优问题,避免了...  相似文献   
93.
本文考虑了在二元竞争风险场合下二元PL估计的问题.文中给出了关于二元PL估计的独立同分布表达式,即将估计的差表为均值为零的独立同分布过程的和,且其余项的阶为O((u-1logn)3/4)a.s.,并证明该过程弱收敛到一个二元Gauss过程.关于Bootstrap情况也得到了类似的结果.  相似文献   
94.
二硫蒽和全氘代二硫蒽与它们的自由基正离子高氯酸盐之间的电子转移反应表现出显著的~1H/~2H和~(32)S/~(33)S同位素效应,可作为一种新的高效分离同位素方法的基础。  相似文献   
95.
96.
用傅立叶变换光谱仪和光学长程装置,记录了CH_2Cl_2分子振动量子数v=1~4的红外吸收光谱(1200~12000 cm~(-1)),归属出CH的伸缩(v_1,v_6)振动和弯曲(v_2)振动和CH_2基团相对于CCl_2基团的摇摆振动(v_8)的泛频和合频能级共47个。考虑了摇摆振动与伸缩和弯曲振动的耦合,使用简正模模型对v_1,v_2,v_6和v_8这四种振动模式的泛频和合频能级进行了拟合,得到了非谐性常数和费米(Fermi)共振和达宁-丹尼生(Darling-Dennison)共振系数。结果表明,摇摆振动与伸缩振动之间的Fermi共振(k_(188)=-254.63 cm~(-1))大于弯曲振动与伸缩振动之间的Fermi共振(k_(122)=-54.87 cm~(-1));伸缩振动之间的Darling-Dennison共振(k_(1166)=-215.28 cm~(-1))大于弯曲振动与摇摆振动之间的Darling-Dennison共振(k_(2288)=-5.72 cm~(-1))。用拟合得到的光谱参数计算出CH_2Cl_2分子的振动能级,与实验数据很好地符合。  相似文献   
97.
根据简并A型三能级原子与单模光场的非共振相互作用系统的改进型有效哈密顿量,利用矩阵方法推导出任意初始情况下原子—光场系统的波函数,通过改变相互作用时间,制备出原子—腔场系统的纠缠态,提出利用原子—腔场系统的纠缠态进行概率传送腔场的奇、偶相干态的叠加态的有效方案,对于振幅很大的单模光场,通过实行Bell态测量,能成功地概率传送腔场的奇偶相干态的叠加态,其成功的总概率为0.25。  相似文献   
98.
本文用TPR技术考察了Sm2-xSrxNiO4的还原性能,探讨了Sr2+取代对其结构及性能的影响.Sm2-xSrxNiO4上有两个还原峰,低温还原峰的Tm值的变化趋势与Ni-OⅡ(//c-axis)键长随x的变化趋势相反,高温还原峰的Tm值的变化趋势与晶胞参数c值的变化趋势相反.它们分别对应于不同结合态的氧的还原.  相似文献   
99.
丁训民  董国胜  杨曙  陈平  王迅 《物理学报》1985,34(5):634-639
用光电子能谱结合LEED图样分析的方法研究了In在非解理的GaAs(111)面上的界面形成过程。观察到在这一过程中三维In集团的生长起支配作用。发现对于所有研究过的n型样品,包括Ga终止的GaAs(111)-A面和As终止的GaAs(111)-B面,淀积In之前的表面费密能级均在VBM上面0.75±0.05eV处,在淀积过程中迅速移至VBM上面0.90±0.05eV处。 关键词:  相似文献   
100.
介绍一种用集成电路和分立元件构成的混合式小型高压电源,并给出了这一电源用于微通道板象增强器的特性曲线。  相似文献   
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