可调谐激光晶体S因子和声子能量的估算

本文采用了一种特别的多模电-声子耦合模型,利用室温光谱数据估算可调谐激光晶体的黄昆-里斯(Huang-Rhys)S因子,并与单模耦合模型的结果作了比较.最后,还讨论了S因子与晶场强度及基质晶体价键特性之间的关系.     

多目标规划的对偶二阶条件

本文针对多目标规划 ( VP)的 Lagrange对偶规划 ( VD) ,从几何直观的角度出发 ,给出对偶规划( VD)的二阶最优性条件 ,即对偶二阶条件 ,并证明了相应的最优性定理 .     

GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价

本文对GaAs光电阴极片UHV系统中原子级表面清洁方法做了研究,它们是:光加热法、直接加热法、离子轰击加退火法、热子加热法,表面清洁效果用装于UHV系统中间在线俄歇检测,表面质量用Aa/GaAuger峰高进行比较,指出两种用于第三代象增强器光电阴极的表面清洁方法:CS-离子轰击加退火法和热子背加热法。     

NEA GaAs光电阴极激活工艺研究

本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.     

右连续上鞅的提升及其应用

本文首先给出了一个右连续上鞅的ＳＤ提升，在引进Ｓ－上鞅和强Ｓ－上鞅概念之后，研究了一一致可积上鞅与Ｓ－上鞅，类上鞅与强Ｓ－上鞅之间的关系，并得到了Ｓ－上鞅与强Ｓ－上鞅的许多性质，作为其直接结果，给出了类上鞅的Ｄｏｏｂ－ＭＮｅｙｅｒ分解。     

1979年9月19日白光耀斑的半经验模型

本文对1979年9月19日3B级白光耀斑的连续辐射和CaⅡK线强度进行了测量和分析,给出了它们随时间的变化,并利用非局部热动平衡理论,计算了对应连续輻射较强时刻的大气半经验模型。结果表明,耀斑光球层温度增加达150—250K,且连续辐射主要由负氢离子产生。文中并就耀斑光球层的加热机制进行了一些讨论,发现加热能量可能直接产生于大气的较深层。     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.     

Nd0.5Sr0.4Pb0.1MnO3的结构和磁性

通过室温下的中子衍射和磁性测量对多晶样品Nd0.5Sr0.4Pb0.1MnO3的结构和磁性进行了实验研究.中子衍射结果表明,该样品具有正交的钙钛矿结构,空间群是Pnma,即结构发生了晶场畸变.由M-T和R-T曲线可知,居里温度TC=273 K,其特征是随着温度的增加样品经历了从铁磁金属态转变到顺磁半导态,且转变温度Tp＝225 K;用锰氧化物晶场和双交换作用的竞争解释了其温度Tp以下的金属特性.