饱和非线性光学介质中的变折射率光学工程

文章概述了在饱和非线性介质中的变折射率光学工程的主要目的、内容和记录方式的类型，展示了国内外的发展动态及目前存在的主要问题，并提出了相应的解决办法。对应于不同的信号光强与背景光强之比，作者提出了可以进行“梯度型”和“阶跃型”变折射率元以及器件的记录和制作的新思路。在光生伏打光折变介质中，针对极低的暗辐照导致很长的记录时间以及介质的各向异性引起二维变折射率元、器件的畸变等问题，可以采用非相干均匀辐照光束来解决。     

Fe：LiNbO3和（Fe，Tb）：LiNbO3晶体中入射光强对光折变性质的影响

用一种新的测量方法在不同入射光强下同时观测了Fe：LiNbO3和(Fe，Tb)：LiNbO3晶体中光致折射率变化△ns、吸收系数α和光电导σph与入射光强I的依赖关系，并从理论上对观测结果给予了初步解释。     

Fe∶LiNbO3和(Fe,Tb)∶LiNbO3晶体中入射光强对光折变性质的影响

用一种新的测量方法在不同入射光强下同时观测了Fe∶LiNbO3 和 (Fe,Tb)∶LiNbO3 晶体中光致折射率变化Δns、吸收系数α和光电导σph与入射光强I的依赖关系 ,并从理论上对观测结果给予了初步解释     

快速响应的光致折射率改变效应的实验研究

在LiNbO₃∶Fe晶体薄片中观察到快速响应（<0.1s）、各向同性、并具有信息存储功能的一种光致折射率改变效应.基于它的特征及其与光折变效应的区别，初步讨论了产生该效应的物理机理. 关键词： 光致折射率改变效应 光折变效应 热释电效应     

共享光栅对各向异性散射光锥的增强

在LiNbO_3:Fe晶体中双光束对称入射几何配置下观察到由共享光栅对多种各向异性散射光锥的增强(5—10倍),提出了由两组三波、四波混合共享光栅的六波、八波混合理论模型.理论计算与实验结果符合很好. 关键词：     

有机高分子光折变材料的研究进展

基于有机高分子材料独特的化学和物理性质，阐明了发展有机高分子光折变材料的重要意义。通过对有机高分子材料的光电导和电光效应的分析，讨论了有机高分子材料成为高性能光折变材料的可能性。着重介绍了有机高分子光折变材料的化学结构和光折变性能。同时，简单分析了有机高分子光折变材料的研究现状以及当前存在的一些问题。     

可见光红外图像转换薄膜的研究

针对红外成像制导半实物仿真系统对图像转换器的需求,基于物体吸收能量后温度升高而产生热辐射的原理,设计并制备出一种新型金黑可见光红外图像转换薄膜,建立了薄膜辐射的物理和数学模型,求解了薄膜一维和二维热传导的定解问题,分析了黑体薄膜时间和空间特性,提出了用周期性网格结构黑体薄膜提高转换薄膜的空间分辨率的方案,制备出的转换薄膜达到的技术指标为:薄膜尺寸52mm,像元尺寸140μm×140μm,像元间距29μm,时间常数6ms,空间分辨率6lpmm. 关键词： 金黑 周期性网格结构 薄膜     

A SINGLE-BEAM OPTICAL TRAP FOR AIR BUBBLES IN A LIQUID AND THE CHANGE OF THE OPTICAL FIELD

We report a single-beam optical trap for particles with refractive index lower than that of the surrounding medium—the air bubbles in the liquid. This phenomenon is explained by radiation pressure.     

LiNbO3:Fe光折变晶体实时光学相关存贮研究

在ＬｉＮｂO₃：Ｆｅ晶体中实现了光折变实时相关存贮。它兼备存贮器与相关器两种器件的优点，又具有光折变器件的实时特点，因而可从数个被存贮的信息中实时、快速地挑选出与输入信息相关的信息。从相关点的强度和位置可立即得到孩信息与输入信息的相关程度和编码序数，其原理基于光折变匹配滤波器的筛远性。因此该器件具有广阔的应用前景。 关键词：     

MOCVD外延Hg1-xCdxTe/Cd1-yZnyTe薄膜的光致发光

利用Raman显微镜系统对两块用MOCVD方法在Cd_0.96Zn_0.04Te衬底上生长的Hg_0.8Cd_0.2Te外延薄膜样品在光谱范围50～5000cm^-1进行了测量,在其中的一块样品上首次发现了143eV至193eV范围内出现的具有周期结构的光致发光峰,该发光峰对应的能带中心位于Hg_0.8Cd_0.2Te外延层导带底上方173eV,在另外一块外延薄膜样品中仅观察到四个Raman散射峰,没有周期结构的发光峰。为了分析上述光致发光的起因,对两块样品进行了X射线的双晶回摆曲线样品结构分析,得出样品在143eV至193eV范围的光致发光峰是由于改进MOCVD生长工艺提高了样品的结构质量所致,通过分析指出该光致发光峰是来源于Hg_0.8Cd_0.2Te外延层中的阴性离子空位的共振能级。