不同产地蒙古黄芪矿物元素比较研究

无机元素与药材的药效密切相关,其通过对次生代谢途径中各种酶活性的调节作用而影响中药中次生代谢产物的合成,是中药质量控制不可或缺的特征参数。为有效鉴别蒙古黄芪产地和品质差异,找出蒙古黄芪的特征元素及其与产地的关系。实验采用电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）测定青海省不同产地蒙古黄芪无机元素的种类与含量,分别用SPSS 22.0和R包对数据进行聚类分析和主成分分析。测定了黄芪中的12种元素,主成分分析结果显示Ca,Fe,Li,P,K,Mg,Zn,AL,Na元素为蒙古黄芪的特征元素。聚类结果表明不同产地的蒙古黄芪样品中无机元素的种类和含量与产地有一定的关联性,当欧氏距离为8时,可聚为三大类,S12为一类,S1,S2,S4,S5,S6,S7,S10,S11,S13,S16聚为一类,其余的产地聚为一类,结合ArcGIS样点分布图,可更为直观地看出产地与其品质的关系。此外,建立了蒙古黄芪中无机元素的分布特征图谱,不同产地蒙古黄芪无机元素特征图谱相似度均为0.996以上,因此可结合指纹图谱对不同产地的蒙古黄芪进行识别分析。从无机元素含量的主成分分析结果来看,产于S10（互助县东沟乡纳卡村）的黄芪质量最优,总因子得分值F最高,其次是S7和S8,可见,互助县整体蒙古黄芪的品质较好。结果表明蒙古黄芪具有丰富的矿物元素,其含量受产地影响,关注药材中元素的含量和种类,不仅是对药理成分的补充说明,更能从元素角度进一步揭示其品质优劣,研究结果为蒙古黄芪的资源开发利用及品质鉴定提供参考依据,为蒙古黄芪的质量安全控制提供保障。     

飞秒激光泵浦LaAlO3/SrTiO3异质结产生太赫兹波辐射

自铁磁金属在飞秒激光泵浦下的超快退磁效应发现以来,电子的自旋属性逐渐被应用于太赫兹电磁波的产生.利用逆Rashba-Edelstein效应产生太赫兹辐射首先在Ag/Bi界面得到证实,而LaAlO₃/SrTiO₃界面通过该效应产生直流的自旋-电荷转换效率要高于Ag/Bi界面约一个数量级,但利用该结构转化自旋流来产生太赫兹的有效性尚待系统的研究.本文制备了NiFe/LaAlO₃//SrTiO₃(001)系列样品,在飞秒激光泵浦下观察到了太赫兹辐射的产生及其对磁场方向的依赖效应,并通过改变LaAlO₃层的厚度验证了超扩散模型与光学传输模型的有效性,观察到了在LaAlO₃/SrTiO₃界面由于多次反射导致太赫兹波的减弱,为进一步优化太赫兹波的产生提供了实验和理论支持.     

太阳能玻璃表面高强度双层减反膜制备研究

用膜系设计软件设计了λ/4-λ/2的W型的双层减反射薄膜,优化了薄膜的光学常量,并使用溶胶-凝胶技术在玻璃基底上成功镀制了该双层折射率梯度的减反射薄膜.用椭圆偏振光谱仪、紫外-可见-近红外分光光度计、原子力显微镜等分析表征了薄膜的性能.结果表明,镀制了该双层薄膜的玻璃在400 nm～800 nm波段平均透过率增加了近6%,同时薄膜显示出了极佳的机械强度.     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定中药材中汞和砷

用氢化物发生-原子荧光光谱法测定了产于海南省的5种中药材,即槟榔、益智、砂仁、巴戟天及沉香中汞含量及砷含量.对试样的预处理和消解方法以及仪器的工作条件作了详述,还对各种对测定有影响的因素,包括试样消解所用的酸的种类及其浓度,硼氢化钾的加入浓度,五价砷的预还原和共存金属离子的干扰等也作了研究并予以优化选择.方法的检出限分别为1.5 ng·g-1(汞)和7.0 ng·g-1(砷).在对5种药材的实样进行分析的基础上作了回收率试验,所得结果为90%～93%(汞)和90%～91%(砷).     

氨基硫脲和D-樟脑磺酸钠手性镧系配合物的合成与表征

报道了6种氨基硫脲和D－樟脑磺酸钠与镧系高氯酸盐形成的光学活性配合物，经元素分析确定其组成为C33H51N9O9S6Ln(其中Ln=La,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd;Ln:L=1:3），并通过摩尔电导，磁矩，热分析，X射线光电子能谱，红外光谱及紫外－可见光谱等分析测试手段对配合物进行了结构表征和性质研究。配体通过SNO与金属发生配位，Pr^3 和Sm^3 的电子光谱表明存在特征的f-f跃迁，并计算了成键参数（b^1/2)，共价键参数（δ）和电子云重排效应参数（β^-)，这些数据表明4f轨道在配合物形成过程中存在微弱的参与作用。利用圆二色谱对配合物的光学活性进行了研究。配合物绝对构型为（S）型。金属离子的配位数为9，提出了配合物可能的结合方式，为镧系配合物在生化方面的应用提供了依据。     

新型钯催化剂的制备及其在温和条件下对芳香醛的选择性还原

以邻苯二胺为配体，制备了一种新型的纳米钯催化剂（Pd-NPs），其结构经TEM, FT-IR, XRD, XPS, EA和ICP OES表征。常温常压下，以H₂作氢源，水为溶剂，研究了Pd-NPs对芳香醛选择性还原反应的影响，产物结构经¹H NMR和¹³C NMR确证。以苯甲醛的还原反应作为模板反应，研究了配体、催化剂用量和反应时间对苯甲醇产率的影响。结果表明：在最佳反应条件（配体为邻苯二胺，Pd-NPs用量10 mol%，反应5 h）下，苯甲醇产率达99%。     

易拉罐形状和尺寸的最优设计

研究易拉罐形状及尺寸的最优设计分析问题.首先,根据实际测量的数据,利用拉格朗日乘子法,验证了市售易拉罐设计尺寸的合理性与实用性.其次,给出了个性化的创新型美观设计方案,力求以节约材料和使用方面的优势征服厂家和消费者.最后,利用辛普生公式近似算法,得到了新造型设计的具体尺寸.     

Heterogeneous integration of InP HEMTs on quartz wafer using BCB bonding technology

Heterogeneous integrated InP high electron mobility transistors(HEMTs)on quartz wafers are fabricated successfully by using a reverse-grown InP epitaxial structure and benzocyclobutene(BCB)bonding technology.The channel of the new device is In_0.7Ga_0.3As,and the gate length is 100 nm.A maximum extrinsic transconductance gm,max of 855.5 mS/mm and a maximum drain current of 536.5 mA/mm are obtained.The current gain cutoff frequency is as high as 262 GHz and the maximum oscillation frequency reaches 288 GHz.In addition,a small signal equivalent circuit model of heterogeneous integration of InP HEMTs on quartz wafer is built to characterize device performance.     

Impact of symmetric gate-recess length on the DC and RF characteristics of InP HEMTs

We fabricated a set of symmetric gate-recess devices with gate length of 70 nm.We kept the source-to-drain spacing(L_SD)unchanged,and obtained a group of devices with gate-recess length(L_recess)from 0.4μm to 0.8μm through process improvement.In order to suppress the influence of the kink effect,we have done SiN_X passivation treatment.The maximum saturation current density(ID_max)and maximum transconductance(g_m,max)increase as L_recess decreases to 0.4μm.At this time,the device shows ID_max=749.6 mA/mm at V_GS=0.2 V,V_DS=1.5 V,and g_m,max=1111 mS/mm at V_GS=?0.35 V,V_DS=1.5 V.Meanwhile,as L_recess increases,it causes parasitic capacitance C_gd and g_d to decrease,making f_max drastically increases.When L_recess=0.8μm,the device shows f_T=188 GHz and f_max=1112 GHz.     

Enhancement of fMAX of InP-based HEMTs by double-recessed offset gate process

A double-recessed offset gate process technology for InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) has been developed in this paper. Single-recessed and double-recessed HEMTs with different gate offsets have been fabricated and characterized. Compared with single-recessed devices, the maximum drain-source current (I_D,max) and maximum extrinsic transconductance (g_m,max) of double-recessed devices decreased due to the increase in series resistances. However, in terms of RF performance, double-recessed HEMTs achieved higher maximum oscillation frequency (f_MAX) by reducing drain output conductance (g_ds) and drain to gate capacitance (C_gd). In addition, further improvement of f_MAX was observed by adjusting the gate offset of double-recessed devices. This can be explained by suppressing the ratio of C_gd to source to gate capacitance (C_gs) by extending drain-side recess length (L_rd). Compared with the single-recessed HEMTs, the f_MAX of double-recessed offset gate HEMTs was increased by about 20%.