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91.
92.
本文利用60Coγ源和兰州重离子加速器,开展不同累积剂量下,静态随机存储器(static random access memory,SRAM)单粒子效应敏感性研究,获取不同累积剂量下SRAM器件单粒子效应敏感性的变化趋势,分析其辐照损伤机理.研究表明,随着累积剂量的增加,SRAM器件漏电流增大,影响存储单元低电平保持电压、高电平下降时间等参数,导致"反印记效应".研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术支持. 相似文献
93.
In our previous studies, we have proved that neutron irradiation can decrease the single event latch-up(SEL) sensitivity of CMOS SRAM. And one of the key contributions to the multiple cell upset(MCU) is the parasitic bipolar amplification,it bring us to study the impact of neutron irradiation on the SRAM's MCU sensitivity. After the neutron experiment, we test the devices' function and electrical parameters. Then, we use the heavy ion fluence to examine the changes on the devices' MCU sensitivity pre-and post-neutron-irradiation. Unfortunately, neutron irradiation makes the MCU phenomenon worse.Finally, we use the electric static discharge(ESD) testing technology to deduce the experimental results and find that the changes on the WPM region take the lead rather than the changes on the parasitic bipolar amplification for the 90 nm process. 相似文献
94.
建立了一种同时分离、测定赤砂糖水解产物中的乙酰丙酸(LA)、5-羟甲基糠醛(5-HMF)和甲酸(FA)的高效液相色谱法。采用Agilent TC-C18色谱柱(4.6×250mm,5μm)、Agilent 1200 series VWD紫外检测器,以乙腈:磷酸-磷酸二氢钠缓冲溶液(pH2.6)=15∶85(体积比)为流动相进行分离,检测波长210nm,柱温30℃,流速1mL/min。在此条件下,三种物质的色谱峰面积与浓度线性良好,线性相关系数r在0.9993~0.9999之间,平均回收率为99.02%~106.28%,精密度实验的相对标准偏差为0.25%~1.30%(n=5)。 相似文献
95.
在制备水溶性硫辛酸酯封端的甲氧基聚乙二醇-聚己内酯嵌段共聚物(MPEG-PCL-ALA)单层包覆金纳米粒子的基础上, 在水溶液中, 利用α-环糊精(α-CD)与单层包覆金纳米粒子的包合作用构建杂化超分子水凝胶. 透射电子显微(TEM)照片显示, 金纳米粒子的尺寸为6~8 nm. X射线衍射测试表明, 所制备的水凝胶中含有α-环糊精与MPEG-PCL嵌段共聚物包合形成的多聚准轮烷的特征衍射峰(2θ=19.7°). 紫外-可见吸收光谱显示, 单层包覆金纳米粒子的水溶液及其与α-CD包合形成的水凝胶在525 nm处均出现表面等离子共振吸收峰, 单层包覆金纳米粒子溶液存放3个月后, 其表面等离子共振吸收峰未发生明显红移, 表明单层包覆金纳米粒子的水溶液具有较好的稳定性. 相似文献
96.
Ag-Cu-MoS2复合材料的真空载流磨损性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用粉末冶金方法制备了含有不同Cu质量分数(2%~4%)的Ag-Cu-MoS_2复合材料,并对其力学性能、电学性能和真空载流磨损性能进行了研究.结果表明:较高Cu质量分数的Ag-Cu-MoS_2复合材料表现出较高的硬度和抗弯强度;中等Cu质量分数(2.5%和3%)的Ag-Cu-MoS_2复合材料电刷表现出较低的电压降和电噪声;滑动速度的增加会降低材料间的接触稳定性,进而导致较高的电压降和较大的电噪声.在真空载流条件下与Ag合金盘滑动摩擦过程,不同Cu质量分数的Ag-Cu-MoS_2复合材料电刷均表现出较低的磨损,其磨损率在1×10~(–14)m~3/(N·m)~2.5×10~(–14)m~3/(N·m)范围,其磨损机理主要为疲劳磨损以及黏着磨损. 相似文献
97.
98.
多壁碳纳米管/壳聚糖-联吡啶钌复合物修饰的石墨电极上电化学发光行为的研究及分析应用 总被引:3,自引:0,他引:3
基于盐酸曲马多对联吡啶钌(Ru(bpy)32+)的电化学发光信号有较强的增敏作用, 建立了一种多壁碳纳米管/壳聚糖-联吡啶钌复合物修饰的石墨电极上电化学发光检测盐酸曲马多的电化学发光新方法. 通过循环伏安扫描结果表明, 多壁碳纳米管表现出极好的电分析活性, 对联吡啶钌具有较好的电催化作用, 并可应用于盐酸曲马多药物的测定. 在最佳实验条件下, 测定曲马多浓度在6.0×10-4~5.0×10-6 mol/L与相对发光强度成线性关系(r=09982), 检出限(S/N=3)为2.0×10-6 mol/L. 连续平行测定曲马多溶液(5.0×11-5 mol/L) 8次, 发光强度的RSD为3.1%. 相似文献
99.
在玻碳电极上成功制备了多壁碳纳米管修饰电极(MWCNTs/GCE),优化了该修饰电极的制备条件.研究了联吡啶钌和盐酸氯丙嗪在该修饰电极上的电化学行为和电化学发光行为,建立了电化学发光法测定尿液中盐酸氯丙嗪的分析方法.结果表明,联吡啶钌-氯丙嗪体系在MWCNTs/GCE上表现出很好的电化学活性和电致化学发光响应,多壁碳纳米管不但增大了玻碳电极的比表面积而且加快了联吡啶钌在电极表面的电化学氧化,对联吡啶钌的电化学发光强度具有明显的增敏作用,同时盐酸氯丙嗪对联吡啶钌在该修饰电极上的电致化学发光具有很强的增敏作用.在0.1 mol/L的磷酸盐(pH 7.5)缓冲溶液中,盐酸氯丙嗪在该修饰电极上的检出限(S/N=3)为6.0×10-7 mol/L,在1.0×10-6 ~4.0×10-4 mol/L范围内浓度与相对发光强度呈线性关系(r=0.995 2).连续测定6.0×10-5 mol/L的盐酸氯丙嗪溶液13次,发光强度的RSD值为2.50%,表明该修饰电极具有较好的重复性.该方法已经成功地应用于尿样的检测. 相似文献
100.
以一锅法合成的CdS量子点为核心,采用单源分子前驱体法成功制备了高质量的油溶性CdS/ZnS核-壳量子点,量子点荧光量子产率高达43.7;,荧光寿命为306 ns.进一步用谷胱甘肽作为相转移剂,将油溶性CdS/ZnS量子点成功转入水相.采用紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、荧光光谱(PL)、时间分辨荧光光谱(TRF)、透射电镜(TEM)和X-射线粉末衍射(XRD)对量子点的光谱性质和形貌、结构进行表征.结果表明:谷胱甘肽修饰的量子点水溶性好,粒径均匀,分散性良好,荧光量子产率高,荧光寿命长,显示了较好的生物分析应用前景. 相似文献