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91.
本文通过对R.E.Walpole和R.H.Myers编著的教材《工程技术人员用概率统计学》中所体现的现代性与实用性较好统一的特点的分析以期对今后的教材建设提供一点可借鉴之处。 相似文献
92.
93.
94.
建立了一种理论模型和实验方法, 可以有效地修正来自于环境和介质对测温结果的影响。这种修正方法通过计入测温环境对辐射体的衰减系数,可以显著改善以灰体辐射为基础的测温技术的精度和普适性。首先,利用多通道CCD图像光谱仪快速准确地获得给定辐射体在空气中的指纹光谱,并将其等效为一个标准的灰体模型;其次,将该辐射体放入未知的环境和介质中,重复测量该辐射体的辐射光谱,并建立包含待测介质对辐射体的衰减特征的灰体模型。最后,通过对比上述两种情况下的灰体模型,便可精确确定该辐射体在该环境和介质下的温度。通过对处于不同环境和介质下的相同辐射体的系统实验,检验了该测温技术和修正方法的普适性和准确性。 相似文献
95.
离轴数字全息中使用倾斜的平面参考波以消除成像中的零级衍射和共轭像是一种简捷和常用的方法,然而该方法遇到的一个困扰是,由于倾斜参考波引入了附加的载波频率并很难通过实验测量准确地获得附加的载波频率值或倾角,因此会导致重建的相图出现一定的倾斜畸变而无法完全修正.本文提出了一种数字参考平面算法以解决这一问题.该算法利用重建相图的平坦区域选点构建一个能准确表征相图倾斜的数字参考平面,并建立该平面参量与参考波载波频率的数学关系和作为随后相图畸变修正迭代计算的判据.该算法简单有效,不仅能实现对倾斜相位畸变的准确修正,而且能准确地获得倾斜平面参考波的附加载波频率.由于在相位解包裹重建中结合了抑噪处理,因此该方法在环境和系统噪声的影响下仍然有效,实验结果验证了理论设计的有效性. 相似文献
96.
An efficient approach to characterizing and calculating carrier loss due to heating and barrier height variation invertical-cavity surface-emitting lasers 下载免费PDF全文
It is important to determine quantitatively the internal
carrier loss arising from heating and barrier height variation in a
vertical-cavity surface-emitting quantum well laser (VCSEL).
However, it is generally difficult to realize this goal using
purely theoretical formulas due to difficulty in deriving the
parameters relating to the quantum well structure. In this paper, we
describe an efficient approach to characterizing and calculating the
carrier loss due to the heating and the barrier height change in the
VCSEL. In the method, the thermal carrier loss mechanism is combined
with gain measurement and calculation. The carrier loss is
re-characterized in a calculable form by constructing the threshold
current and gain detuning-related loss current using the measured
gain data and then substituting them for the quantum well-related
parameters in the formula. The result can be expressed as a product
of an exponential weight factor linked to the barrier height change
and the difference between the threshold current and gain
detuning-related loss current. The gain variation at cavity
frequency due to thermal carrier loss and gain detuning processes is
measured by using an AlInGaAs--AlGaAs VCSEL structure. This work
provides a useful approach to analysing threshold and loss
properties of the VCSEL, particularly, gain offset design for high
temperature operation of VCSELs. 相似文献
97.
研究一种基于富铟团簇(IRC)效应的新型高应变InGaAs/GaAs自适应阱簇复合(WCC)量子结构,该结构具有比较灵活的能带调控能力,可产生一种特殊的偏振双峰光谱。为探究该WCC结构的偏振双峰辐射机制及能带特征,利用IRC效应生长获得了自适应WCC结构,并测量了该新型结构的偏振光致发光(PL)光谱,在横向电场(TE)和横向磁场(TM)模式下,PL光谱皆显示出特殊的双峰结构。这主要是铟原子的自适应迁移导致有源层同时存在铟组分正常和铟组分降低的InxGa1-xAs材料所致。根据半导体激光器的跃迁矩阵元理论和PL光谱的双峰能量间距,阐明不同偏振模式下的光谱双峰与多组分InxGa1-xAs材料的对应辐射机制,同时确定该WCC结构的混合能带特征。该研究内容对IRC效应和新型WCC发光结构的发展和应用具有重要研究意义。 相似文献
98.
三苯基膦为铑膦络合催化剂的基础原料,是石油化工、精细化工生产中均相催化剂的重要配体[1-2],也可作为染料工艺的增光剂,高分子聚合、彩色胶卷显像剂的抗氧化剂,聚环氧化的稳定剂,广泛应用于医药工业、有机合成、分析检测等领域。三苯基膦作为配体与过渡金属形成金属催化剂;是其重要应用之一,在其与过渡金属络合时,还会与钠、镁、铁等杂质金属络合,影响催化剂催化性能。 相似文献