以原子作砖块的建筑术——简介分子束外延技术

 一、引言分子束外延技术(简称MBE)是制备超薄多层晶体膜的技术之一.它制做的薄膜厚度可以薄到单原子层或单分子层的厚度,这就意味着如同用砖砌墙一样,可以用各种分子或原子“垒”出新的晶体材料,使其具有人们希望的性质,有人称其为“能带工程”,还有人比拟为生物学中的遗传工程、MBE技术已在半导体材料,器件和物理几方面都引起了巨大变化,取得很多重要成果,形成了新的研究领域.     

悼念我国物理学界前辈谢玉铭教授

1982年中国物理学会成立五十周年之际,《物理》杂志1982年第8期和第11期登载了一批纪念我国物理学界前辈的文章.《燕京大学物理系的变迁》一文第11期中,提及谢玉铭先生在抗日战争前在燕京大学担任物理系主任培育青年的事迹.1982年谢先生还健在台湾.不意不久前从海峡对岸传来噩耗,谢先生于1986年3月20日辞世.感伤之余,不禁回忆起我和谢先生昔年的交往陈迹,以及三十年代北京(当时称北平)物理学界的一些情况. 1931年,我初到北平,在北平研究院物理研究所工作.当时北平远离政治中心的南京,地处宁静,不少大学和研究所都设在这里,它是学术界人士汇…     

自发有序Ga0.5In0.5P合金的静压光致发光研究

在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ga_0.5In_0.5P合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的９２ｍｅＶ／ＧＰａ分别减小到７５，８１和８３ｍｅＶ／ＧＰａ．用Γ-Ｌ相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小．得到的Γ-Ｌ相互作用势分别为０.１９，０.１５和０.１０ｅＶ．表明在自发有序Ga_0.5In_0.5P合金中存在着的     

基于平均场支持向量机的混沌时间序列预测

提出了一种新的基于支持向量机的混沌时间序列预测方法，该方法利用平均场理论使支持向量机的学习过程变得简单高效。同时由于该方法将支持向量机的参数近似为高斯分布的，因此采用平均场理论能够容易的求解这些参数，这样获得的支持向量机的参数比传统的基于二次规划的算法更加精确，而且学习速度更快。最后利用该方法对嵌入维数与模型的泛化能力关系进行了探讨，并利用Mackey-Glass时间序列对该方法进行了验证，结果表明：该预测方法能精确地预测混沌时间序列,而且在混沌时间序列的嵌入维数未知时也能取得比较好的预测效果.这一结论预示着平均场支持向量机是一种研究混沌时间序列的有效方法.     

PrO-C*-代数的顺从性和核性

研究了Pro—C^*-代数的顺从性和核性．主要证明了(1)顺从Pro—C^*代数的闭理想是顺从的；(2)核Pro—C^*代数类对归纳极限封闭；(3)交换σ-C^*-代数和核C^*-代数都是核，σ-C^*-代数并且核σ-C^*-代数类对于商运算、张量积运算和可数逆向极限封闭．进一步得到核，σ-C^*-代数的扩张保持核性的条件。     

A Mathod to Solve Systems of Fuzzy Linear Equations

§１．　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｗｉｌｌｃｏｎｃｅｒｎｗｉｔｈｓｏｌｖｉｎｇｔｈｅｓｙｓｔｅｍｓｏｆｆｕｚｚｙｌｉｎｅａｒｅｑｕａｔｉｏｎｓＡｘ＝ｂｆｏｒｘ，ｗｈｅｒｅＡｉｓａｍａｔｒｉｘｏｆｆｕｚｚｙｎｕｍｂｅｒｓ；ｘａｎｄｂａｒｅｖｅｃｔｏｒｓｏｆｆｕｚｚｙｎｕｍｂｅｒｓ．Ｉｎ［２］，ｕｓｉｎｇｔｈｅｎｅｗｓｏｌｕｔｉｏｎｃｏｎｃｅｐｔ，ｓｉｘｎｅｗｓｏｌｕｔｉｏｎｓａｒｅｄｅｆｉｎｅｄ．Ｔｈｉｓｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｗａｓｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄｔｏｓｑ…     

不确定信息处理及在归纳学习中的应用

信息的不确定性是由于模糊性、随机性、不完全性、不精确性等因素造成的,不确定性信息在现实世界中广泛存在.关于这方面的研究主要集中在模糊性这种不确定性上.我们课题组在此领域的研究已经持续20余年,概括起来讲,早期的研究兴趣在于模糊(非可加)测度与积分的理论建立,主要研究了传统的可加测度与积分理论到非可加情况的推广;尔后的兴趣转向为如何用数值方法确定非可加测度;近期的研究兴趣在于从已有数据中获取模糊控制规则以及具有模糊表示的归纳学习问题.近10年的研究曾得到了多项基金项目资助,出版专著3部,发表学术论文100余篇,30余篇被SCI收录,20余篇被EI收录,省级以上奖励3项.以下是我们近期研究工作的一个总结,主要包括模糊决策树归纳;基于模糊信息的决策表简化;产生模糊规则的扩张矩阵算法;模糊归纳学习在其他领域中的应用;基于示例学习的模糊控制等.     

掺铕GaN薄膜的Raman散射研究

采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明，Eu离子注入剂量越大，对晶格的损伤越严重；Eu离子注入的能量越高，对晶格的损伤也越严重；采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火，可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明，1000℃的高温退火导致了GaN的分解。     

Na_2ZnCl_4·3H_2O:Mn~(2 )电子顺磁共振参量与晶格缺陷研究

假设在晶体Na_2ZnCl_4·3H_2aO:Mn~(2 )中,处于C_3轴上的一个Cl~-被一个O~(2-)取代,形成MnOCl_3基团,利用对角化能量矩阵的方法,计算了该晶体的电子顺磁共振(EPR)参量D,(?)和g(?)因子,以及单轴压力效应dD/dp和da/dp,得到与实验一致的结果,表明上述假设是合理的.     

快速冷却条件下银的比热及玻璃化过程的分子动力学模拟

本文采用以嵌入原子模型为基础的分子动力学方法对液态银快速冷却条件下的比热及玻璃化过程进行了模拟，得到了银的比热及其与温度的关系．同时，对快速冷却条件下银的结构特性以及动力学特性进行模拟和分析，结果表明在所模拟的冷却速率下，银在从 １２００ Ｋ冷却到 １０００ Ｋ的过程中发生了玻璃化转变，其玻璃化温度在 １０００ Ｋ左右．