有限总体指标值的线性函数的可容许估计

基于超总体模型的观点讨论容许性问题。在期望均方误差准则下获得了有限总体指标值的线性函数之线性估计在线性估计类以及全体估计类中为可容许的充要条件。     

强流脉冲电子束应力诱发的微观结构

利用强流脉冲电子束装置在各种工艺条件下对奥氏体不锈钢、单晶铝及多晶铝等面心立方金属进行辐照处理.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等详细分析了辐照样品的变形组织与结构.通过分析，在一定程度上建立起强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系，并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了分析.实验结果表明，强流脉冲电子束能够在材料内部诱发10²—10³MPa的应力，其传播方式与材料的 晶体结构关系密切.这一应力是导致材料深层性能与微观组织结构发生变化的根源所在. 关键词： 强流脉冲电子束 应力 微观结构 变形     

在非降损失函数类及其子类下的同时估计

<正> §1 引言在Wald的统计判决理论中,可容许等概念都是针对一个损失函数而言的,但在实际问题中,损失函数往往难以精确地选定,因此,考虑在一类损失函数下估计量是否具有优良性就显得很必要了,在这方面已有不少结果,如[1],[2]等。本文考虑的是,在非降损失函数     

四磺基钴酞菁/MCM-41的制备、表征及其催化性能

将四磺基钴酞菁（CoTSPc）通过共价结合连接在氨基化的介孔分子筛MCM-41孔道壁上，制成负载酞菁催化剂，对其进行了X射线衍射（XRD）和红外分析，并研究了其对巯基乙醇的催化氧化反应动力学．结果表明，负载酞菁催化剂有优良的催化性能，在液相反应过程中扩散阻力较小．这种负载催化剂有酶催化特点，即遵循米氏动力学规律，米氏常数Km为0．015mol／L．反应完成后，通过沉淀即可从反应体系中分离，解决了酞菁催化剂无法回收利用和对环境造成新的污染的问题．在工业生产和环境保护方面有着良好应用前景．     

法联络平坦子流形与第二基本张量

本文首先将常曲率黎曼流形中Ｂ．Ｙ．Ｃｈｅｎ和Ｍ．Ｏｋｕｍｕｒａ关于数量曲率和截面曲率关系间的一个著名不等式推广到环绕空间是局部对称共形平坦黎曼流形的情形．作为应用，较简捷地将Ｍ．Ｏｋｕｍｕｒａ在［２］，［３］中的结果推广到这种环绕空间中法联络是平坦的子流形上去．     

低能离子注入形成氮化硅薄膜特性的研究

低能离子束与表面相互作用主要呈现溅射、注入等现象。本文研究了在1.35keVN₂⁺离子注入形成氮化硅的特性,并研究了注入和溅射的并存过程。在高剂量、低能(<10keV)注入的情况下,提出了有效剂量的概念,并建立了刻蚀速率、射程与有效注入剂量的关系。还用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)、背散射分析(RBS)测定了薄膜的有关特性。 关键词：     

光电过程原子能级截面大量计算的实现

在ＨＦＲ方法的基础上，考虑束缚组态间的相互作用，解决了Ｃｏｗａｎ程序光电计算过程中小能量区间误差偏大及一次计算自由电子能量范围受限制的问题，确定了阈能点的计算方式，从而使大量计算成为可能．分析证明了计算结果的正确性并估计了计算精度．并对锂、钠与铯原子计算的结果与参考文献做了比较，从理论上分析了能极水平光电截面求和后的结果与轨道水平光电截面的过渡关系与差别．     

离子束溅射沉积制备高JcYBa2Cu3O7—δ超导薄膜

本文报道应用离子束溅射沉积制备高 T_c 高 J_c YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.较详细地考察了影响薄膜组份比和晶粒取向的主要因素.实验表明采用本文提出的组合溅射靶可方便而又精确地调节薄膜 Y、Ba、Cu 组份比.详细描述了获得高度取向薄膜的工艺条件,获得了零电阻温度 T_(c0)=88～90.5K 和临界电流密度 J_c=1.5×10~3A/cm~2(77K)的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.     

半导体的CO2激光退火和合金化

本文主要研究连续CO₂激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO₂激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO₂激光照射半导体有如下特点:CO₂激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO₂激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO₂激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。 关键词：     

凸表面单排孔30°喷射气膜冷却流场近场特性的实验研究

本文对弯曲通道凸壁面单排孔30°喷射时气膜冷却流场的近场特性作了比较精细的测量,测量的数据包括壁面静压分布、速度矢分布及气膜冷却有效温比分布。测量表明,弯曲通道凸壁面上30°喷射时对流场的干扰,在孔近场区是显著的,在孔下游约一倍孔径的范围内,流向及侧向的压力变化均甚大;而在进一步下游,主流绕流射流所产生的结构复杂的“绕流区”也是明显的.由于壁面曲率的影响,射流贴附壁面的程度,在M<1.0时,要优于平壁;而当M>1.0时,由于射流的“穿透”作用,其附壁程度又劣于平壁.在X/D>10之后,射流产生的扰动已趋衰减,射流的侧向扩散使流场的三维特征逐渐消失,而接近于二维连续缝槽气膜冷却流场的规律.在本试验条件下,M=0.5左右,可以获得最佳的气膜冷却效果。