金纳米棒状微粒的胶囊模型及吸收光谱

提出了金纳米棒状微粒的胶囊模型,用Waterman发展的T矩阵方法计算了金纳米棒状微粒的吸收光谱.计算谱和实验谱基本符合,520 nm左右处的吸收峰对应于金纳米棒的横向表面等离体子共振（横模）,长波长处的吸收峰对应于金纳米棒的纵向表面等离体子共振（纵模）.随着金纳米棒纵横比的增加,纵模吸收峰表现出显著的红移,横模吸收峰则微弱地蓝移.此外,计算结果表明,金纳米棒状微粒外部介质的介电常数必须随着金纳米棒纵横比的增大非线性地减小.     

介质保护膜在表面等离子体波探测器中的应用研究

基于表面等离子体波共振技术的探测器中金属膜通常与被探测物直接接触,在金属膜和被探测物之间增加一层介质膜,可以对金属膜进行保护.为了优化探测器的设计,通过对四层共振结构中表面等离子体波共振吸收峰随保护层厚度及其介电常数变化的计算,得到了对保护层参量的选择条件.     

KⅡ离子3p光吸收谱的MQDT分析

利用多通道量子数亏损理论对钾的一价离子的3p光吸收光谱进行了分析,计算并预言了80多个实验上未观察到的能级以及相应能级的朗德g因子,对于实验上未区分的能级做了重新的认定,预言了自电离区的3p5ns(1/2,1/2)n=17-21的能级,讨论了通道之间的干扰情况。     

双尾纤式多功能光隔离器研究

提出并成功研制了一种具有功能复用的新型的多功能光隔离器结构, 对其进行了传输特性性能理论分析, 分析表明, 该器件具有与单尾纤光隔离器相同的低插入损耗, 高隔离度等特性, 实验结果显示,所设计的1550 nm双通道多功能光隔离器插入损耗分别为0.28 dB和0.11 dB, 隔离度分别为55 dB和54 dB, 达到了隔离器需要满足的标准, 性能良好, 同时具有成倍降低器件制造成本的效用.     

双通道三端口反射式光环行器 结构与特性分析

为了降低广泛应用于光通信系统的光环行器的制造成本和占空比，增强系统中各器件的功能复用，提出一种功能复用反射式光环行器设计方案，利用透镜和反射镜组成光的空间交叉功能来实现功能复用以及光束方向传输引导，从而达到反射式光环行器输入 输出多尾纤之间的对应耦合。利用琼斯矩阵，从理论上对其主要性能进行了分析。分析结果表明，设计的光环行器在功能复用基础上具有低插入损耗、高隔离等特性，达到了光环行器的性能指标，在低插入损耗、高隔离的基础上具有功能复用效用。     

产生长寿命核的几个(n,2n)反应截面的测量

本文报道了E_n=13.5—14.8MeV中子能区几个长寿命生成核的(n,2n)反应截面的测量.测量方法是以⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面为中子注量标准的相对活化法.测量的几个反应为:¹⁵¹Eu(n,2n)^150mEu、¹⁵³Eu(n,2n)¹⁵²Eu、¹⁵⁹Tb(n,2n)¹⁵⁸Tb和¹⁰⁹Ag(n,2n)^108mAg.中子能量是用铌锆截面比法测定的.本文的结果和已收集到的测量结果进行了比较.     

在真空紫外区离子的光电离截面的测定

利用两束激光产生的等离子体(其一作为发射连续光谱背景的光源,另一作为吸收介质。)测得了真空紫外区轻离子的吸收光谱。测定了Be~+离子在电离极限处18.2eV附近的光电离截面,其结果与理论预言十分吻合。此外还观察到B~+离子2s2p~3P~0—2snd~3D和2s~2 ~1S—2snp~1P~o类型跃迁的吸收光谱。     

铝一价离子A1 Ⅱ高激发态能级的研究

利用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对Ａ１Ⅱ离子的两个ＭＱＤＴ模型进行了计算，预言了３ｓｎｓ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｄ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｆ３Ｆ３（ｎ＜８０）、三个主序列的未知能级，讨论了双激发态对主序列以及主序列之间的干扰情况。     

60Ni(n,p)60Co反应截面测量

本文报告了E_n=13.6—14.8MeV中子能区用活化法以²⁷Al(n,α)²⁴Na截面为中子注量标准得的⁶⁰Ni(n,p)⁶⁰Co的反应截面.在E_n为 13.64,13.79,14.03,14.33,14.60,14.80MeV处的截面分别为184.4±12.2,178.8±10.5,171.4±10.3,161.9±9.6,157.0±9.3,147.5±8.9mb.在文章中还列举了所能收集的一些作者的数据以作比较.中子能量是用铌锆截面比法则定的.