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1.
本文叙述了用两个硅半导体探测器和~(58)Ni(n,p)~(58g+m)Co与~(58)Ni(n,2n)~(57)Ni反应截面比定D-T中子的平均能量的方法,得到了该截面比与中子能量的关系曲线并与所引文献中的结果进行了比较.  相似文献   
2.
107Ag(n,2n)106mAg反应截面测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报告了En=13.50—14.73MeV中子能区用活化法以27Al(n,2)24Na截面为中子注量标准得的107Ag(n,2n)106mAg的反应截面.在En=13.50,13.60,13.90,14.10,14.35,和14.73MeV处的截面分别为469±22,480±22,503±24,538±25,555±25和572±26mb.在文中还列举了一些国外已发表的截面数据以作比较.中子能量用铌锆活度比法测定.  相似文献   
3.
本文报告了En=13.6—14.8MeV中子能区用活化法以27Al(n,α)24Na截面为中子注量标准得的63Cu(n,α)60Co的反应截面.在中子能量为13.64,13.79,14.03,14.33,14.60和14.80MeV的截面值分别为58.3±3.1,56.3±2.4,53.4±2.0,50.8±1.9,48.4±1.7和47.4±1.7mb.在文中还列举了一些作者的数据以作比较.中子能量是用铌锆截面比法测定的.  相似文献   
4.
本文叙述了用两个硅半导体探测器和58Ni(n,p)58m+gCo与58Ni(n,2n)57Ni反应截面比定D-T中子的平均能量的方法,得到了该截面比与中子能量的关系曲线并与所引文献中的结果进行了比较.  相似文献   
5.
产生长寿命核的几个(n,2n)反应截面的测量   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了En=13.5—14.8MeV中子能区几个长寿命生成核的(n,2n)反应截面的测量.测量方法是以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准的相对活化法.测量的几个反应为:151Eu(n,2n)150mEu、153Eu(n,2n)152Eu、159Tb(n,2n)158Tb和109Ag(n,2n)108mAg.中子能量是用铌锆截面比法测定的.本文的结果和已收集到的测量结果进行了比较.  相似文献   
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