类氦等电子系列离子n~(1,3)S和n~(1,3)P态统一的半经验能量计算公式

本文给出了类氦等电子系列离子n~(1,8)S和n~(1,3)P态统一的半经验能量计算公式,此公式是通过拟合Ermold6v和Jones关于类氦离子2≤Z≤42最低谱项(n=2—5)的计算值得到的。根据本文提供的公式,可以予言任何n~(1,3)S和n~(1,3)P高激发态能级值及相应能级之间跃迁的波长值,对一些ls~2一lsnp跃迁波长将本文的计算值与实验值进行了比较,结果表明除个别外在实验误差范围内两者十分吻合,此外还对类氦等电子系列离子量子数亏损的规律性进行了详细的讨论。     

GeⅢ实激发组态4p5p及偶宇称高激发态能级的理论计算

利用多通道量子数损理论（ＭＱＤＴ）对二价锗离子ＧｅⅢ偶宇称１１个Ｒｙｄｂｅｒｇ序列的高激发能级进行了计算和分析，预言了各序列ｎ＜５０的高激发态能级的位置，讨论了实激态对主序列的干扰，首次预言了实激发组态４ｐ５ｐ各谱项的位置。     

Ba(n,x)134Cs,134Ba(n,2n)133Ba,140Ce(n,2n)139Ce,142Ce(n,2n)141)Ce和23Na(n,2n)22Na反应截面的测量

用中子活化法相对于⁵⁴Fe(n,P)⁵⁴Mn反应,在13.50—14.80MeV中子能区测量了Ba(n,x)¹³⁴Cs,¹³⁴Ba(n,2n)¹³³Ba,¹⁴⁰Ce(n,2n)¹³⁹Ce,¹⁴²Ce(n,2n)¹⁴¹Ce和²³Na(n,2n)²²Na的反应截面.并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较,中子能量是用⁹⁰Zr(n,2n)^89m+gZr反应和⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面比法测定的.     

电子俘获材料CaS∶Eu,Sm光谱特性研究

研究了电子俘获材料CaS∶Eu,Sm多晶粉末的紫外-可见-红外吸收光谱及红外激励光谱.研究结果表明,CaS∶Eu,Sm中主激活剂Eu和辅助激活剂Sm分别以Eu2 离子和Sm3 离子的形式存在;ETM的吸收差谱及红外激励光谱所反映的光谱特性是不同的.紫外-可见光区的吸收差谱给出了ETM光谱存储灵敏度的信息,而红外光谱区的吸收差谱给出了ETM所俘获电子数量的信息及电子陷阱能级的特征(深度和宽度)信息.红外激励光谱则反映了ETM将不同波长的红外激励光的能量转换为特定波长处的红外辐射光能量的光谱转换灵敏度.二者结合起来可以更完整地描述ETM的光谱特性.     

钙原子4p_(1/2,3/2)ng(J=3)自电离Rydberg光谱的研究

利用Monte Carlo(MC)方法模拟研究了薄膜生长的初始阶段岛的形貌和岛的尺寸与基底温度和入射粒子剩余能量之间的关系.模型中考虑了粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发等过程.结果表明当基底温度从200K变化到260K时,岛的形貌经历了一个从分散生长逐渐过渡到分形生长的过程,并且在较低温度(200K)下,随入射粒子剩余能量的增加,岛的形貌也经历了同样的变化过程.进一步研究证明,随着基底温度的升高或入射粒子剩余能量的增加,沉积粒子的扩散能力显著增强,从而使岛的形貌发生了改变.     

金纳米颗粒的紫外、蓝紫光波段光致荧光特性

采用电化学方法制备出粒径在20～30 nm的悬浮胶体金纳米颗粒。研究了金纳米颗粒的荧光发射光谱特性。在377和459 nm观察到两个荧光发射峰,分别位于紫外和蓝紫光波段,对应的敏感激发波长为220 nm。减小激发光强度或降低金纳米颗粒的粒子数密度都会使377 nm处的荧光发射峰强度减弱。位于459 nm处的荧光发射峰对激发光强度和颗粒数密度变化更为敏感,并且在激发光强度降低到一定阈值或粒子数密度高于一定阈值后消失。随着激发光强度的增加,位于377和459 nm处的两发射峰强度逐渐靠近,其比值逼近于1。实验结果与随机分布介质的自组织散射式谐振腔理论符合得较好。这表明胶体金纳米颗粒中存在循环多重散射,并由此引发了蓝光及紫外波段的荧光增强,这在光存储和全色显示等方面具有潜在的应用前景。     

汞原子6sns 3S1,6snd 3D1 Rydberg系列的寿命

利用多通道量子数亏损理论计算了汞原子6sns^3S1(n=11～25),6snd^3D1(n=12～24)两个Rydberg系列的能级和寿命,给出了这两个系列寿命所遵循的公式,6sns^3S。系列为r=0．814v^2.835(ns),6snd^3D1系列为r=0．302v^2.926ns),其中v为有效量子数。     

电子俘获材料Eu,Sm∶CaS荧光特性的研究

研究了电子俘获材料Eu ,Sm∶CaS在室温下的荧光激发谱和荧光辐射谱。荧光激发谱由四个激发带构成 ,是由Eu2 + 的 4f7→ 4f55d跃迁和基质吸收所产生的。可见光激发下的荧光辐射谱是由一个极强的宽带和两个极弱的窄带构成 ,紫外光激发下的荧光辐射谱中不仅出现了以上三个辐射带 ,还出现了七个较强的窄带。这些荧光辐射带分别是由Eu2 + 的 4f65d → 4f7、Sm3 + 的 f→ f、Eu3 + 的 f→ f跃迁所产生的。研究还发现 ,当激剂浓度一定时 ,Eu2 + 的辐射带明显比Sm3 + 的辐射带强。     

在钠原子-分子系统中氩气参与的碰撞能量转移过程

我们报道了钠原子-分子系统有惰性气体氩原子参与的碰撞能量转移过程.观察到了由此而产生的分子单重态和三重态的紫区受激辐射.实验结果表明,氩原子参与的碰撞能量转移过程在适当的氩气气压下起到了有利的作用,但过高的气压会使布居的粒子数减少,起到荧光淬灭效应.我们利用瞬时速率方程拟合了实验结果,得到了部分相同的变化规律.     

类锂等电子系列离子LiⅠ-SII能量的半经验计算值与量子数亏损的规律性

根据B.Edlen提出的类锂等电子系列离子的半经验能量计算公式,设计了一个Fortran计算机程序,得到了类俚离子LiI-SiXII的ns~2Snp~2P、nd~2D和nf~2F态(直至n=12)的能级值及量子数亏损。算得的能级值,除个别外,在实验误差范围内与观察值一致。对类锂离子量子数亏损的规律性进行了详细的讨论,阐明了其规律性的物理本质。本文提供的类锂离子高激发态的能级数据,可供从事天体物理和实验室等离子体研究的光谱学工作者参考和进行检验。