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81.
考虑了热电制冷循环中热阻、热漏和焦耳热等主要不可逆性,引入了特征参量功率消耗比r,借助装置设计参量X表征了内、外不可逆性,利用有限时间热力学建立了制冷功率、制冷系数与特征参量之间的基本优化关系,导出了协调制冷功率与制冷系数的参量r、X以及电流I的优化准则。 相似文献
82.
本文基于Anderson s-d混合模型和Falicov s-d库仑互作用模型,利用格林函数方法,得到局域态电子占有平均值的自治方程,定量地分析在给定不同的参数下,局态电子占有数平均值和局域磁矩,研究了稀磁合金的s-d混合效应和s-d库仑互作用效应对热电势的影响。 相似文献
83.
热电联产中热、电分摊比的合理确定 总被引:15,自引:1,他引:14
符号表D蒸汽量HF燃料热值W电量下角标h供热比拥m煤耗。分摊比e环境,电n乏汽h比烙q比热量f给水0新汽在热电联产的成本分摊中,如何确定热、电分摊比,一直是一个很有争议的问题[‘-‘]。采用不同分摊方法,其热、电所得的经济效益相差甚大。因此,它直接关系到热力价格的合理制定,影响着供热企业的经济效益和热用户的利益,对热电联产事业的发展有着重要影响。本文在分析现有各种分摊方法的基础上,提出一个新的更为合理的分摊方法。1现有的分摊方法及其缺陷和应用范围1.1热量法将总热耗量按热、电两种能量数量的比例来分配[‘-‘… 相似文献
84.
稀磁合金的杂质效应对热导率和热电势的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文采用李正中的Hamiltonian,讨论了稀磁合金中sd互作用效应(孤立杂质效应和RKKY关联效应)对热导率和热电势的影响. 相似文献
85.
采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25. 相似文献
86.
采用熔体旋甩法结合放电等离子烧结技术(MS-SPS)制备了p型填充式方钴矿化合物Ce0.3Fe1.5Co2.5Sb12,研究了熔体旋甩工艺对微结构以及热电性能的影响规律.结果表明,较高的铜辊转速和较低的喷气压力有利于提高熔体的冷却速率,使带状产物晶粒细化.薄带经SPS烧结后得到致密、基本单相、晶粒尺寸均匀细小(150—300 nm)的块体.与传统方法制备的试样相比,MS-SPS试样虽然电导率有所降低,但因具有较大的Se
关键词:
熔体旋甩
p型填充式方钴矿化合物
微结构
热电性能 相似文献
87.
采用高频感应熔融、退火结合放电等离子烧结方法制备高锰硅(HMS)化合物MnSi1.70+x(x=0,0.05,0.1,0.15),系统研究了Si含量变化对材料相组成、微结构和热电性能的影响规律.结果表明,当x0.1时,样品由HMS和贫Si的MnSi金属相两相组成,随着Si含量x的增加,MnSi相相对含量减小;当x=0.1时,所得样品为单相HMS化合物;当x0.1时,样品由HMS和过量Si两相组成.随着x的增加,由于样品中高电导的金属相MnSi含量逐渐减少,样品的电导率逐渐下降,而Seebeck系数随之增加.室温下样品载流子浓度和有效质量随x增大逐渐减小,而迁移率逐渐增加.MnSi和Si杂相与HMS相比均为高热导相,因此当x=0.1时,由于样品为单相HMS,从而表现出最低热导率和最高ZT值.MnSi1.80样品在800K时热导率最小值达到2.25W·m-1K-1,并在850K处获得最大ZT值(0.45). 相似文献
88.
89.
研究了单个热电制冷控制单元的设计原理和工作机制,详细分析了热电制冷单元散热模型和主要参数之间的关系式。在此基础上,提出了基于分布式的热电制冷控制单元的工作原理和制冷效果,并以非均匀产生热量的电子芯片为散热对象,论证了基于分布式热电制冷控制方案的可行性,并通过实验测试验证了制冷效率在非均匀产生热量的芯片中更高。 相似文献
90.