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铁硫簇是普遍存在于生物体内的最古老的生命物质之一[1,2]。1960年人们对固氮细菌、亚线粒体片段及哺乳动物的起源进行研究时发现了一种具有高效氧化还原能力的蛋白质,后来被证明是铁硫蛋白,此后对铁硫簇的研究才得以迅速展开。铁硫蛋白结构中包含有铁与巯基丙氨酸中的硫结合成的具有一定构型的铁硫簇合物,基本结构单元主要以Fe2S2、Fe3S4、Fe4S4这3种簇合物的形式而存在。铁硫簇的一个重要结构特征,就是铁原子由无机硫原子以桥的方式联接,同时,蛋白质肽链中半胱胺酸的巯基作为配体与铁原子相结合。这些铁原子以高自旋Fe!或Fe"形式存在… 相似文献
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首次选用聚乙烯咔唑(PVK)、二十二烷酸(BA)与杂多阴离子用LB技术制备 了五种有机/无机杂化LB膜,PVK/BA/HPC(HPC = Na_5(PZ(H_2O)Mo_(11)O_(39)]· 5H_2O, Z = Mn, Co, Cu, Zn, Ni)。用原子力显微镜(AFM),UV-vis,小角X射 线衍射(LAXRD),表面光电压谱(SPS),荧光光谱等对LB膜的结构与性质进行了 表征。结果表明:它们在空气/水界面有好的成膜性能,崩溃压为22 ~27 mN/m, 杂多阴离子作为一个单层夹在PVK和BA双层之间。PVK/BA/HPC LB膜的光致发光具有 PVK激基缔合物的特征荧光,其光电压谱有较强的光电响应。 相似文献
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LB film of new hybrid Polyquinolin/Trilacunary heteropolytungstoilicate (PQ/SiW9) was prepared and characterized by π-A isotherm, UV-Vis absorption spectroscopy, atomic force microscope(AFM), fluorescence spectroscopy. The results indicated that they had good film-forming property on the air-water interface. The molecular areas for these monolayers at zero pressure were estimated to be 7.2 nm2·mol-1. The collapse pressure of LB film was 46 mN·m-1. Their I~V curves results showed that the title LB films had good electric conductivity and the conductivity of the LB film increased with monolayers number. 相似文献
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WO3纳米管的模板法制备及表征 总被引:5,自引:0,他引:5
0引言 WO3纳米材料具有光致变色、电致变色、气致变色等特性,可用于光学信息和储存显示器、pH值探测器、气敏传感器、灵敏窗口等[1,2];并且在太阳能的储存与利用、光电转换、光催化降解大气和水中的污染物等方面有着广阔的应用前景[3,4],成为近几年重点研究的半导体材料之一.以前纳米WO3的制备主要集中在薄膜上,其薄膜的制备工艺已经相当成熟,主要包括蒸发法、溅射法、CVD法、喷涂法、阳极氧化法、溶胶-凝胶法等[3]. 相似文献
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对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的“最佳相位"的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证.结果表明,对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)“三明治"测量结构,其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位.对于体相材料,“最佳相位"仅与测量条件有关;对于纳米材料等体系,光照可以改变MIS结构的等效电阻(Rins)、等效电容(Cins),从而将引起最佳相位角的显著变化,使“最佳相位”与所研究材料的特性直接关联起来.因此,该手段有可能成为一种新的纳米材料光电检测方法. 相似文献
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以氧氯化锆和二甲基二乙氧基硅烷为前驱体,在无任何表面活性剂的条件下,利用溶胶-凝胶法制备了片状SiO_2/ZrO_2复合材料.采用X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、傅立叶变换红外光谱仪、透射电镜等分析了产物的结构和形貌,并探讨了SiO_2/ZrIO_2纳米复合材料的取向生长机理.结果表明,在正丁醇和水的混合溶液中制备的SiO_2/ZrO_2纳米复合材料的粒径为18nm,将干凝胶的500℃空气气氛中焙烧2h可以得到四方相片状氧化锆晶体.化合物中的硅原子通过Si—O—Zr化学键与锆原子相连;硅的引入仅影响氧化锆晶体的形貌,而不导致四方相氧化锆结构和尺寸的改变.本文所述方法可望拓展用于制备其他具有类似分级结构的无机功能纳米材料. 相似文献
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本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物(ITO)基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜材料的结构性能,结果发现pH值对薄膜的化学成份、表面形貌、晶格结构都有显著影响,通过控制合适的浓度及酸度分别制备了高质量富铟与富铜薄膜。利用表面光电压(SPS)技术分别对富铟与富铜薄膜的光电分离特性进行了研究,结果发现富铟薄膜具有很强的光电响应;而富铜薄膜由于Cu-Se相的存在,在薄膜中形成了新的界面,电子-空穴对在其界面处因捕获而发生复合,从而导致其光电响应的强烈降低。所得到的结果为提高铜铟硒薄膜的光电效率提供了有价值的新思路。 相似文献