聚乙烯咔唑LB膜的制备及其结构形态

利用LB技术，研究了具有光电活性的聚乙烯咔唑(PVK)的单分子膜及PVK与十八胺(ODA)混合分子膜的聚集结构形态．结果表明纯PVK分子由于弱的亲水作用可以形成较好单分子膜，此时PVK分子形成片状聚集；而在混合体系中，在一定比例下PVK形成颗粒状团聚．改变不同的比例可以得到不同的纳米图案，当PVK：ODA=10：1时形成尺寸较均一的纳米球状致密覆盖分子膜；当进一步增加PVK比例时，ODA不能再调控PVK聚集，混合膜表现出平坦的PVK，ODA分相片状聚集．     

聚喹啉/十八胺/稀土杂多阴离子杂化LB膜的制备、结构及电性质

将聚喹啉(PQ)、十八胺(OA)和含稀土元素的1;11钨系双系列杂多阴离子RE(PW₁₁O₃₉)₂^11-(RE=Ce^Ⅲ,Eu^Ⅲ,Gd^Ⅲ)通过LB技术掺杂,成功地制备了三种PQ/OA/稀土杂多阴离子杂化LB膜,通过π-A曲线、荧光、吸收光谱和原子力显微镜等手段对PQ/OA/稀土杂多阴离子杂化LB膜的成膜方式、性能、结构及形貌进行了表征;扫描隧道显微镜研究表明,将稀土杂多化合物掺杂到聚喹啉中可使聚喹啉的导电性明显增强.     

聚乙烯咔唑/杂多阴离子杂化LB膜的制备、结构与光电性质

首次选用聚乙烯咔唑（PVK）、二十二烷酸（BA）与杂多阴离子用LB技术制备 了五种有机/无机杂化LB膜，PVK/BA/HPC（HPC = Na_5(PZ(H_2O)Mo_(11)O_(39)]· 5H_2O, Z = Mn, Co, Cu, Zn, Ni）。用原子力显微镜（AFM），UV-vis，小角X射 线衍射（LAXRD），表面光电压谱（SPS），荧光光谱等对LB膜的结构与性质进行了 表征。结果表明：它们在空气/水界面有好的成膜性能，崩溃压为22 ～27 mN/m， 杂多阴离子作为一个单层夹在PVK和BA双层之间。PVK/BA/HPC LB膜的光致发光具有 PVK激基缔合物的特征荧光，其光电压谱有较强的光电响应。