5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉与钍的显色反应及应用

研究了钍与5-(对羧基苯偶氮)-8-羟基喹啉(5-CPAHQ)的显色反应条件:在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)存在下,pH4.4-5.4缓冲介质中,形成稳定的橙红色络合物,最大吸收波长为490nm,ε=1.10×105L·mol-1·cm-1,钍在0-9μg/25mL范围内符合比尔定律。用TBP萃淋树脂分离,该方法可用于测定矿石中的微量钍。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

N[a,b]类中边界Nevanlinna-Pick插值(I)

用所谓的Hankel向量方法求解N[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlina-Pick插值(BNP(N[a,b]))问题,并建立BNP(N[a,b])问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间等价的可解条件以及解之间明确的一一对应关系.这使得当BNP(N[a,b])问题有多解时,能通过带约束条件的矩量问题的可解性准则和解获得BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述,而在唯一解的情况下,通过BNP(N[a,b])问题解的存在唯一性准则和唯一解来获得带约束条件的     

G(F4′)条件与加强形式的停止定理

首次提出了Ｇ（Ｆ４′）条件，给出了Ｇ（Ｆ４′）条件的两个等价关系，得到了加强形式的停止定理和强鞅的一个等价关系．     

HBTMPTP与伯胺N1923对稀土元素(Ⅲ)的协同萃取

研究了二（2，4，4-三甲基戊基）单硫代膦酸（HBTMPTP，HL）和伯胺N1923的正己烷溶液从硫酸介质中对稀土元素（Ⅲ）的协同萃取．并以La（Ⅲ）为例，用斜率法、恒摩尔法和饱和法确定了协萃配合物的组成为（RNH3）3L2La（SO4）2，计算了协萃配合物的生成常数及热力学函数，观测了协萃配合物的IR谱．     

两个新的4-羧基苯氧乙酸铜配合物的水热合成

由于CPOA^2-和HCPOA^-阴离子在反应体系中存在平衡关系，氯化铜与4-羧基苯氧乙酸和4,4¢-联吡啶在水热条件下反应得到了两个新的配位聚合物[Cu(CPOA)(4,4′-bpy)(H₂O)₂]·1.5H₂O (1) 和 [Cu₂(HCPOA)₄(4,4′-bpy)₄] (2) (H₂CPOA=4-羧基苯氧乙酸, 4,4′-bpy=4,4¢-联吡啶) 。研究结果表明配合物1具有三重穿插的CdSO₄-型网络结构，同时形成一维孔道，晶格水分子填充在孔道中。配合物2具有由配位键和O-H···N氢键组装形成的一维梯形链状结构。