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本文介绍了一种基于超导氮化铌(NbN)热电子测辐射热计(HEB)的太赫兹(THz)直接检测器,并利用直流读出法和微波反射读出法,对微波与热偏置下HEB直接检测器的性能进行了比较.通过直流读出法,在最佳工作点处,测得微波偏置与热偏置条件下检测器的电流响应率分别为244A/W和20A/W,光学噪声等效功率(NEP)分别为4.5pW/√Hz和6.8pW/√Hz.相比于热偏置,微波偏置能够大大提高检测器的响应率.此外,我们利用微波反射读出法对微波偏置和热偏置下检测器的性能进行了比较.两种读出方式均可很好的表征检测器的性能,而相比于直流读出法,微波反射读出法更易于扩展到多像素阵列,同时具有很快的读出速度,对快速THz脉冲信号的检测具有重要意义. 相似文献
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氧化石墨烯作为石墨烯的一种带隙打开的衍生物,极大地丰富了其光学性质,并拓展了它在传感和成像方面的应用,特别是氧化石墨烯限域的π共轭结构对构建发光碳材料提供了十分便利的条件。目前,有大量的研究工作报道了氧化石墨烯及其衍生物能够产生多种颜色的荧光信号,然而,系统地总结这些研究去揭示氧化石墨烯发光机理的相关工作还比较少。本文总结了关于发光氧化石墨烯纳米材料的合成及其在光学成像方面应用的大量研究工作,为进一步开发新型的发光氧化石墨烯材料提供一些建设性意见。 相似文献
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基于铌(Nb)超导隧道结(STJ)的亚毫米波直接检测器可以达到宽频带响应,高灵敏度,适于组建大规模阵列的要求,满足亚毫米波段射电天文观测等应用领域的需求.本文设计了在650 GHz波段的约10%有效带宽的Nb STJ直接检测器,宽带耦合采用了分布式结阵列的方法,把多个同样尺寸的STJ用一根超导微带线串行连接.12个STJ在平面对数—周期天线的两翼组成2组6结阵列,构成一个检测器.通过对STJ阵列的详细分析,宽带所需要的N个谐振峰的结合需要N个短超导电感的双结通过N—1个长超导电感交替隔开.在液氦温度(4.2 K)下实际测量得到的检测器中心频率为655 GHz,带宽约50 GHz,直接检测的电流响应率约为1 A/W. 相似文献
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This paper demonstrates a new process of the photolithography technology,used to fabricate simply fine patterns,by employing surface plasmon character.The sub-wavelength periodic silica structures with uniform silver film are used as the exposure mask.According to the traditional semiconductor process,the grating structures are fabricated at exposing wavelength of 436 nm.At the same time,it provides additional and quantitative support of this technique based on the finite-difference time-domain method.The results of the research show that surface plasmon characteristics of metals can be used to increase the optical field energy distribution differences through the silica structures with silver film,which directly impact on the exposure of following photosensitive layer in different regions. 相似文献
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A novel room-temperature microbolometer array chip consisting of an Nb5N6 thin film microbridge and a dipole planar antenna, which is used as a terahertz (THz) detector, is described in this paper. Due to the high-temperature coefficient of the resistance of the Nb5N6 thin film, which is as high as -0.7% K-1 , such an antenna-coupled microbolometer is ideal for detecting signals in a frequency range from 0.22THz to 0.33THz. The dc responsivity, calculated from the measured I-V curve of the Nb5N6 microbolometer, is about -760 V/W at a bias current of 0.19mA. A typical noise voltage as low as 10 nV/Hz 1/2 yields a low noise equivalent power (NEP) of 1.3×10-11W/Hz 1/2 at a modulation frequency above 4kHz, and the best RF responsivity, characterized using an infrared device measuring method, is about 580V/W, with the corresponding NEP being 1.7×10-11W/Hz 1/2 . In order to further test the performance of the Nb5N6 microbolometer, we construct a quasi-optical type receiver by attaching it to a hyperhemispherical silicon lens, and the result is that the best responsivity of the receiver is up to 320V/W. This work could offer another way to develop a large scale focal-plane array in silicon using simple techniques and at low cost. 相似文献