双酚A在壳聚糖-FC-134-碳纳米管修饰电极上的电化学行为及其测定

采用十二烷基硫酸钠(SDS)与全氟辛基磺酰季碘化物FC-134作为碳纳米管的复合分散剂,制备了壳聚糖-碳纳米管修饰电极(MFC/GCE)。研究了环境激素双酚A在pH 8.0磷酸盐缓冲溶液中的电化学行为,并探讨了其电极过程机理。峰电位为0.450 V,峰电流与其浓度在2.5×10-7~1.0×10-4mol/L范围内呈线性关系,检出限为1.0×10-8mol/L。该法用于环境水样中双酚A含量的测定并与荧光法对照,测定结果吻合。     

Agilent快速高分离液相色谱(RRLC)/6410串联四极质谱测定二甲双胍的血药浓度

盐酸二甲双胍为常用口服降血糖药,可促进周围组织中糖的无氧酵解,增加肌肉等组织对葡萄糖的摄取、利用,抑制或延缓葡萄糖在胃肠道的吸收,促进胰岛素与受体的结合,增加胰岛素对血糖的消除作用.     

银杏内酯提取物中微量成分的LC-DAD-ESI-MS分析及结构鉴定

银杏叶ginkgo biloba .L中含有多种二萜内酯和倍半萜内酯.Furukawa.S于1932年首次分离得到银杏内酯混合物;直到1967年,才由Koji Nakanishi和Okabe.K等人鉴定出其中各个成分的结构,并分别命名为Ginkgolide A、B、C、M(简称GA、GB、GC、GM)[1];Weinges K等分别于1969年和1987年分离并鉴定出白果内酯(Bilobalide,BD)[2]和Ginkgolide J[3](GJ).银杏内酯具有抗血小板活化因子(PAF)的作用[4],引起了世界医疗行业的广泛关注.对银杏内酯的HPLC分析常见的检测方法主要有UV、RI和近年出现的ELSD[5],但这些检测方法都有各自的缺陷,UV需在末端检测,易受干扰;RI不适合作梯度洗脱;ELSD灵敏度相对较低.随着对该类化合物的深入研究,发现银杏内酯提取物中尚有一些微量成分,用这些检测方法不足以获得较好的信号响应,本实验以质谱作为检测器,获得了较高的检测灵敏度,结合UV和MS提供的光谱信息,有利于分析鉴别微量成分.     

一类Weyi型单李超代数

本文研究了单李超代数的构造理论.借助于张量积方法,定义了一类Weyl型结合超代数和一类Weyl型李超代数,并且证明了这类Weyl型结合超代数和Weyl型李超代数是单的充分必要条件.     

无机化学课程体系及内容的确定

本文依照教材的知识结构、学生的认识顺序及学生的心理发展顺序相结合的原则,力图打破无机化学课程内容单一的组织形式,依照“少而精“的内容原则,吸收学科结构模式、社会问题模式和实验探究模式的优点,建立新的无机化学课程体系及确立相应的内容.     

Cartan型李超代数H的导子代数

In this paper,the derivation algebra of Lie superalgebra H of Cartan-type over F are determined by the calculating method in the situations of CharF = p≥ 3 or m ≥ 2 or n≥1.The main result is following:DerFH=adH(H" Fh)⊕<{adDi)pt|i=1,2,…,m,t=1,2,…,ti-1}>.     

A 4H-SiC trench MOSFET structure with wrap N-type pillar for low oxide field and enhanced switching performance

An optimized silicon carbide (SiC) trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) structure with side-wall p-type pillar (p-pillar) and wrap n-type pillar (n-pillar) in the n-drain was investigated by utilizing Silvaco TCAD simulations. The optimized structure mainly includes a p$+$ buried region, a light n-type current spreading layer (CSL), a p-type pillar region, and a wrapping n-type pillar region at the right and bottom of the p-pillar. The improved structure is named as SNPPT-MOS. The side-wall p-pillar region could better relieve the high electric field around the p$+$ shielding region and the gate oxide in the off-state mode. The wrapping n-pillar region and CSL can also effectively reduce the specific on-resistance ($R_{\rm on,sp}$). As a result, the SNPPT-MOS structure exhibits that the figure of merit (FoM) related to the breakdown voltage ($V_{\rm BR}$) and $R_{\rm on,sp}$ ($V_{\rm BR}^{2}R_{\rm on,sp}$) of the SNPPT-MOS is improved by 44.5%, in comparison to that of the conventional trench gate SJ MOSFET (full-SJ-MOS). In addition, the SNPPT-MOS structure achieves a much faster-witching speed than the full-SJ-MOS, and the result indicates an appreciable reduction in the switching energy loss.     

AlON透明陶瓷的制备及其力学性能研究

AlON透明陶瓷因良好的透光性、热震稳定性、力学性能和良好的可加工性，在国防领域和民用领域有广阔的应用前景。本文采用改进的碳热还原氮化/沸腾床法批量制备AlON粉体，单批次产能可达2 kg,在AlON粉体的XRD图谱中未观察到第二相，激光粒径分析显示平均粒径为1.54μm,粒径分布均匀。使用该粉体进行冷等静压成型处理后，获得均匀性较好、致密度高的素坯。采用气压烧结法在1 850℃,氮气压力5 MPa下制备出光学透过率为82.3%,弯曲强度为310 MPa的AlON透明陶瓷片，对推进AlON透明陶瓷的应用具有一定的现实意义。