变阶可解族的带权逼近与插值逼近

本文讨论了变阶可解逼近族的插值逼近和带权逼近(权在插值点集Z上趋于无穷而在Z外为1)的关系.指出对变阶可解族而言,当逼近解为非亏损时,稠密性假设是自然满足的,且此时的最佳插值逼近等于该带权最佳逼近的极限.     

负离子元素杂质破坏模型

探讨了HfO₂薄膜中负离子元素杂质破坏模型，并得出薄膜中的杂质主要来源于 镀膜材料. 用电子束蒸发方法沉积两种不同Cl元素含量的HfO₂薄膜，测定薄膜 弱吸收和损伤阈值来验证负离子元素破坏模型. 结果表明，随着Cl元素含量的增加薄膜的弱 吸收增加损伤阈值减小. 这主要是因为负离子元素在蒸发过程中形成挥发性的气源中心而产 生缺陷，缺陷在激光辐照过程中又形成吸收中心. 因此负离子元素的存在将加速薄膜的破坏 . 关键词： 负离子元素杂质 缺陷 吸收     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

高斯光束照射下的圆盘夫琅禾费衍射

推导了高斯光束照射圆孔或圆盘的衍射场普遍表达式，计算了半波带数接近于零的情况下上述衍射场的数据，进而分析了圆盘衍射场在艾里斑中增加一个暗环的原因。     

30CrNi3MoV钢热塑剪切带内的应变和应变速率

本文提出了３０ＣｒＮｉ３ＭｏＶ低合金钢正交切削的试验结果和计算规则，锯齿状切屑上热塑剪切带内的应变和应变速率的模型及计算公式。计算结果表明正交切削试验中出现的热塑剪切带的切应变可达２０００％应变速率高达１０￣５ｓ￣（－１）。     

双奇核184Au中πi13/2⊙νi13/2转动带的结构特征研究

利用重离子熔合蒸发反应和在束γ谱学实验方法,研究了双奇核184?Au的高自旋态能级结构.扩展了基于πh9/2ν7/2–[514]和πi13/2νi13/22准粒子组态下的转动带能级纲图,建立了两个转动带之间以及πh9/2ν7/2-[514]带与基态的谱学连接.从而确定了πi13/2νi13/2带能级的自旋和宇称,证实了此转动带在低自旋区出现旋称反转.分析了πi13/2νi13/2带和相邻核转动带的准粒子顺排特征,指出此带的第一回弯以及相邻核转动带在低频观测到的顺排异常可能与h9/2质子顺排有关.     

氧化锌纳米带中的面缺陷

面缺陷是纳米带中非常普遍和非常重要的一类缺陷.在有些情况下,面缺陷对于高表面能指数面的出现起着决定性的作用, 同时,它们可以诱导纳米带沿着特殊的方向生长.面缺陷可以是孪晶或双晶,层错和由杂质原子聚集在特定原子面所形成的间隙原子层.在本文中,利用透射电子显微术,我们将介绍氧化锌纳米带中被发现的几种面缺陷.我们确认了两种孪晶/双晶结构,它们的孪晶面分别是(0113)和(2112)面.基面层错有I1 和I2两种.在大尺寸的纳米带中,I1基面层错可以折叠到(2110)面形成棱面层错.当少量的In离子掺入氧化锌纳米带后,我们发现伴随着杂质In在基面的聚集,形成了两种倒反畴界.