BaF2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复. 关键词：     

经不同温度退火处理的纳米纤锌矿氮化硼的结构变化及长大规律

关键词：     

BaF_2微晶的γ辐照缺陷

用电子自旋共振(ESR)方法研究BaF_2微晶和单晶研粉的γ射线辐照损伤及其恢复情况,发现V_k心点缺陷的ESR信号随升温变化不象H,F和M心那样是单调衰减的,γ射线辐照可能会激发F~-离子上的Frendkel激子,该激子受热湮没而产生新的V_k心,因而使V_k心的ESR信号随开温增强,V_t心的朗德因子g也随升温而变化.单晶研粉的辐照损伤在400℃完全恢复,微晶的在355℃完全恢复.     

TP801单板计算机在热释光和发光温度特性研究中的应用

在热释光(TL)和发光温度特性研究中引入TP80l单板计算机,使其完成对加热系统的温度的实时控制和物理参数的自动测量等工作.该系统除可作一般的恒稳控制以研究样品的发光性能对温度的依赖关系,也可在0℃~160℃范围内给出不同的升温速率以研究不同升温速率下样品的陷阱深度及分布情况.与此同时,计算机将完成测量光强、计算陷阱能级深度和打印热释光曲线的功能.本文对系统的硬件及软件设计作了较详细的介绍.     

不同气氛退火对PbWO4单晶发光的影响

通过对不同气氛条件下退火的PbWO4(PWO)单晶样品的激发谱与发射谱的对双研究，发现真空退火从整体上抑制PbWO4的发光强度，氧空位（Vo）缺陷是420nm吸收和红光发射的原因，而空气退火可以有效抑制Vo缺陷，全面改善PWO的发光性能。另外，首次报道了310nm附近的激子激发峰发生劈裂的现象，其中波长较长的320nm激发对应于与Vo缺陷相关的激子激发态。     

GdVO4:Eu3+的热释光研究

GdVO4:Eu^3 有着十分优良的发光特性，它发光强度高，特别是具有很好的温度特性，在室温以上发光强度随温度的升高而增强，很利于在高温下使用此材料。本文对它的热释光进行了研究，其热释光峰值分别位于193，235和304K，根据计算可知它们的陷阱深度分别为0.39,0.47和0.61eV，陷阱的主要来源可能是F^ ,F和钒空位；Eu^3 掺入导致的晶格畸变，其中最主要的来源可能是空位导致的。     

Ce3+:YAG单晶闪烁体的激发和发光特性

铈激活钇铝石榴石(Ce3+∶YAG)单晶是综合性能优良的快衰减闪烁材料.本文以普通光源、激光、同步辐射以及阴极射线为激发源,对我们生长的Ce3+∶YAG闪烁晶体的激发和发光特性进行了系统的研究.结果表明:Ce3+∶YAG单晶的激发光谱(监测荧光波长为545nm)由五个激发峰组成.不同激发条件下的发射光谱均能用双高斯峰进行较好的拟合,拟合后得到的Ce3+的5d→2F5/2和5d→2F7/2发光带的中心波长分别约为520nm和570nm.但是,不同条件激发下5d→2F5/2和5d→2F7/2发光带的强度比有较大差异,这可能与不同的激发机制和激发能传输途径有关.     

以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性

分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 ,但反向特性明显优于他们的     

掺Y对PbWO4闪烁体的热释光影响

研究了纯PbWO4和PbWO4:Y晶体经γ射线辐照和可见光光照前后室温以上的热释光.发现大剂量辐照后掺Y可以有效地抑制热释光的强度并使热释光峰移向高温,说明掺Y有利于提高光输出的稳定性.可见光光照也会影响热释光并可以产生新的热释光峰,这可能是由于光释电子(或空穴)被浅陷阱重新俘获或是光照后产生了新型色心的结果.     

掺Gd~(3 ),Y~(3 )对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO4 (PWO), PWO:Y3+, PWO:Gd3+多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中，掺杂Y3+或Gd3+都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰，同时产生新的热释光峰，分别位于125和150K（掺Y掺Gd）.这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb3+，O-浓度外，还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶，掺杂Y3+可以消除253K的热释光峰，即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在，对此进行讨论，它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb3+，Gd3+，Y3+的电子库仑势不同，在PWO晶体中替代Pb2+后形成的电子陷阱深度有别（EPb>EGd>EY），从而解释了相应的热释光峰值温度的不同.