纳米微晶结构ZnO及其紫外激光

本介绍了的年来研制Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径——ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别：即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ-Ⅵ族硒化物和Ⅲ-Ⅳ氮化物之后的新型半导体激光器材料。     

同步辐射真空紫外（VUV）区中的团簇物理

本文概述了同步辐射在团簇物理研究中的应用,讨论主要集中在真空紫外(VUV)区。重点说明其实验方法、研究进展状况和实验设计的一般考虑;并选择介绍德国DESY的团簇物理实验站CLULU;最后,对未来的发展方向提出作者的一些观点。     

ZnO及其缺陷的电子结构

利用全势线性Muffin-tin轨道（FP-LMTO）理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.     

GdVO4：Eu^3＋的真空紫外激发光谱研究

报道GdVO4:Eu^3 的光致发光光谱和真空紫外－紫外激发光谱。GdVO4:Eu^3 是高效率的真空紫外－紫外激发荧光材料。GdVO4:Eu^3 在60－350nm真空紫外－紫外波段的激发可能主要来源于基质的吸收,有明显的Eu^3 及Gd^3 的4f^n-15d吸收,在GdVO4:Eu^3 中,存在如下能量传递过程：VO4^3-→Eu^3 ,Gd^3 →Eu^3 ,Gd^3 →VO4^3-→Eu^3 ;通过后两个过程,Gd^3 -Eu^3 可实现量子剪裁。     

GaN中的缺陷与杂质

GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究,以及对离子注入所产生的缺陷与深能级的研究。     

掺Gd3+,Y3+对PbWO_4低温热释光的影响

通过热释光方法研究了PbWO₄(PWO),PWO:Y³⁺,PWO:Gd³⁺多晶粉末及PWO,PWO:Y单晶的低温(<300K)热释光现象.多晶粉末中,掺杂Y³⁺或Gd³⁺都会大大降低甚至消除200K附近的热释光峰,同时产生新的热释光峰,分别位于125和150K(掺Y掺Gd).这表明掺三价离子除了起到电荷补偿作用以减少Pb³⁺,O^-浓度外,还可以产生新的陷阱能级.对于PWO:Y单晶,掺杂Y³⁺可以消除253K的热释光峰,即消除较深(～0.89eV)的陷阱,但PWO单晶中较浅的陷阱(～0.42eV)对应130K热释光峰仍然存在,对此进行讨论,它最可能源于氧空位缺陷.根据Pb³⁺,Gd³⁺,Y³⁺的电子库仑势不同,在PWO晶体中替代Pb²⁺后形成的电子陷阱深度有别(E_Pb>E_Gd>E_Y),从而解释了相应的热释光峰值温度的不同 关键词： 4')" href="#">PbWO₄ Y和Gd掺杂 热释光 陷阱     

紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应

在105－300K温区内,测量了X射线激发下Ce^3 :LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖（I－T）,在237－300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105-300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致,通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为0．51eV和0．55eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce^3 取代Sr^2 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F^-空位以及Li^ 空位所形成的本征缺陷。     

GdVO4：Eu3+发光的温度效应

研究了GdVO4:Eu^3 在高压汞灯的313和365nm激发下室温以上（300－600K）发光的温度依赖关系。发现来自^5Do的发射强度随温度的升高而显著增强,直到600K也未见饱和。其中^5Do→^7F2的619nm发射在600K温度时的强度是室温下的20多倍。我们认为Eu^3 的电荷迁移态作为中间态是造成其发光增强的根本原因。激发过程中,先激发到Eu^3 本身的^5DJ(J=1,2,3…）激发态,然后在温度的作用下上升到电荷迁移态（CTS）,温度升高时传递几率显著增强,并按^5D3,^5D2,^5D1依次使被激发的电子转入CTS态,从电荷迁移态直接弛豫传递给^5Do态,由于^5Do态电子数不断增多,致使来自^5Do的发射随温度升高而增强。     

（CaO）20．68（MgO）1．32（SiO2）4S2：Eu^2＋，Dy^3＋红光材料的制备与发光特性

研究了峰值波长651nm的红色发光材料（CaO）20.68（MgO）1.32（SiO2）4S2：Eu^2＋，Dy^3＋的制备及发光特性。通过XRD分析表明硫气氛中合成的材料为具有硫成分的硅酸盐相。红光发射带为硫元素进入晶格后在发光中心周围形成了类似长余辉材料CaS：Eu^2＋，Cl^-的局域结构。这也使材料具有了硫化物长余辉材料的发射光谱特征和硅酸盐材料高化学稳定性和高亮度的优点。热释光测量揭示它可能是一种潜在的红色长余辉材料。