紫外-可见漫反射光谱研究Pt-Sn/Al_2O_3体系催化剂的制备过程

以紫外-可见漫反射光谱为主要手段研究了Pt-Sn/Al_2O_3体系催化剂的浸渍、热处理过程。探讨了制备过程中铂的价态和配位环境的变化以及载体所起的作用。     

A FIXED POINT THEOREM OF ASYMPTOTICALLY NONEXPANSIVE MAPPINGS

In this paper we generalize a theorem of Goebel and Kirk,prove thatif X is a 2UR space,then each asymptotically nonexpansive mapping of none-mpty bounded closed convex subset of X into itself has a fixed point.     

万兆瓦可调谐窄线宽新型钕玻璃激光装置

本文报道了万兆瓦可调谐窄线宽新型钕玻璃激光装置的特色、所涉及的若干物理问题、装置的总体光路排布和关键技术,以及装置的总体输出性能。     

数字声呐系统的差分相关内插精确定向

本文讨论数字声呐系统多目标实时跟踪的核心问题,即精确定向问题。在对差分相关波束特性分析的基础上,建立了应用相邻两个差分相关波束定向的方法——差分相关内插定向方法。文中给出了极为简单的内插公式,计算分析了应用本方法的定向性能。     

区间[-1,1]上的a尺度双正交多小波的构造

本文研究了一元a尺度紧支撑、双正交多小波的构造.在区间[-1,1],给出了利用a尺度双正交尺度向量构造a尺度双正交多小波的推导过程得到了一种有效的小波构造算法,并给出了数值算例.     

国防科技大学“线性代数与解析几何”课程建设的特色

介绍国防科技大学线性代数与空间解析几何课程在教材内容的选取编排、分层教学的实施、考核方式的规范、试题库的建设和使用以及该课程与其他课程的衔接等问题上所做的特色研究和建设.     

半参数ACD模型及其在中国股票市场中的应用研究

本文提出了半参数ACD模型并基于模拟样本与调整后的中国股票市场的价格时间间隔样本对模型进行实证分析.半参数ACD模型对条件期望的函数形式与随机误差项的分布形式要求都没有参数ACD模型强,因此不会像参数ACD模型那样因模型形式设定错误而得出错误结论.这一点在我们的实证分析中可以得到证实.与非参数ACD模型相比,半参数ACD模型能够估计出参数,这增加了模型的解释能力.半参数ACD模型估计出来的各个可加部分图形的形状对于正确设定参数ACD模型具有一定的指导作用.     

光子晶体增强中红外发光研究EI北大核心CSCD

稀土掺杂硫系玻璃是实现中红外发光的重要手段,通过在稀土掺杂硫系玻璃样品上构造光子晶体结构可以大大增强其发光效率。制备了Tm3+离子掺杂硫系玻璃样品并测试了其光谱特性,通过设计光子晶体结构来增强Tm3+离子跃迁产生的3.73 mm处的荧光强度。利用有限时域差分法(FDTD)进行运算,模拟结果表明,通过优化设计的光子晶体结构参数,掺杂样品在3.73 mm处的光子态密度相比于未采用光子晶体结构所产生的光子态密度有极大提高,计算其Purcell放大因子可达到未进行结构设计的50倍以上。光子态密度的极大提高以及Purcell放大因子为增强发光强度提供了理论依据,该研究结果对实现高效率中红外光源器件具有重要的指导意义。     

Ge28Sb6S(66－x)Sex玻璃系统光学特性与结构

采用熔融-急冷法制备了系列Ge₂₈Sb₆S_(66－x)Se_xSe_x(x=0,10,20,30摩尔比)硫系玻璃样品.分别测试了样品的密度、折射率、可见-近红外透过光谱、红外透过光谱以及喇曼光谱,并分析了在Ge-Sb-S中引入Se对其物理、光学特性的影响.利用喇曼光谱讨论了玻璃的结构与特性之间的关系.结果表明：随着Se含量的增加,样品的密度和线性折射率都增大,可见和红外截止波长都发生红移,纯硫化物玻璃样品主要由GeS₄四面体和SbS₃三角锥组成,随着Se逐渐代替S,硫-硒混合样品中逐渐出现了GeS_4－xSe_x结构单元以及链状和环状的Se-Se键.     

轻量化20K以下温区斯特林型脉管制冷机

本文介绍一台20 K以下温区斯特林型脉冲管制冷机的最新研制结果,制冷机采用压缩机与脉冲管耦合在一起的一体式结构,蓄冷器和脉冲管采用同轴布置形式,制冷机整机质量15.5 kg。实验发现分别以最低温度和最大制冷量为优化目标所对应的双向开度存在着略微的区别.在250 W的输入电功下,双向开度以最低温度为优化目标时,无负荷最低温度14.7 K,是目前单级结构斯特林型脉冲管制冷机最低温度的一个新纪录;当双向开度略微减小以后,无负荷最低温度上升到15.4 K,但在20 K的制冷量从365 mW提高至398 mW.