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制备了一种新型二烷基次膦酸盐阻燃剂,以乙酸为反应溶剂,使环己烯与次膦酸钠在自由基引发剂存在及常压条件下发生自由基加成反应,生成二环己基次膦酸钠,再加入硫酸铝溶液进行复分解反应生成二环己基次膦酸铝。通过红外光谱分析了产物结构,利用X射线能谱仪(EDS)测定P、C等元素含量,通过热失重分析其热稳定性,产物添加到聚酰胺(PA6)中进行极限氧指数测定及垂直燃烧实验考察其阻燃效果,讨论了引发剂种类、引发剂用量、实验温度、反应时间等因素对目标产物产率的影响,优化了合成工艺,并且分析了阻燃剂添加量对阻燃效果影响。结果表明:选择过氧化苯甲酰作为自由基引发剂且用量为5%,反应温度85℃,反应时间10h,可使产率达到84%。产物添加至PA6中,阻燃剂最佳用量为12%,此时极限氧指数为34.1%,燃烧等级为FV-0,阻燃效果良好。 相似文献
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研究了聚乙烯吡络烷酮(PVP)作为添加剂对CH3NH3PbI3钙钛矿基太阳能电池光电性能的影响.通过SEM、XRD和UV-Vis等手段,研究了不同浓度PVP掺杂CH3NH3PbI3钙钛矿前驱体对薄膜的表面形貌、结晶度和光学性能的影响.结果表明,少量的PVP添加可以调控钙钛矿薄膜的质量,添加了PVP的钙钛矿薄膜的吸收性能明显得到提高,且吸收峰红移了20 nm;同时,不仅增加了CH3 NH3 PbI3的结晶度,而且还明显提高了钙钛矿薄膜的覆盖率,减少了钙钛矿薄膜中的针孔结构.在CH3 NH3 PbI3前驱体溶液中添加质量分数为1%的PVP,得到的钙钛矿太阳能电池的能量转换效率达到8.38%.与未加PVP的标准电池器件效率(1.30%)相比,效率提高了544%.这些结果表明,通过添加剂来调控一步法CH3 NH3 PbI3的晶体生长和薄膜形貌来获取高性能的钙钛矿太阳能电池是很有前途的. 相似文献
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在微波作用下,由钙基膨润土和铁溶胶快速制备铁柱撑膨润土,分别用XRD、BET、SEM-EDS和TC-DSC测试技术表征了催化剂的组成和结构,结果表明,羟基铁阳离子进入膨润土层间取代Ca2+形成柱撑,膨润土孔结构基本不变,比表面积增加.考察了铁柱撑膨润土对光催化降解甲基橙反应的催化活性,确定了最佳降解反应条件为:体系pH=3,微波500W、80℃辐射10min制备的铁柱撑膨润土为催化剂,用量1.5g/L,H2O2浓度为7.345×10-3mol/L,甲基橙浓度100mg/L,紫外光照射60min,甲基橙的降解率可达98.1%. 相似文献
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生物预处理对甘蔗渣转化的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究不同种类产纤维素酶的菌株降解甘蔗渣的效果,结合已得出的最佳化学预处理方法,利用枯草芽孢杆菌、绿色木霉和烟曲霉三种高产纤维素酶的菌株对甘蔗渣进行生物预处理,比较降解效果;并用腺嘌呤缺陷型和非缺陷型酵母进行发酵,比较乙醇产量。结果表明:分解10 g甘蔗渣,枯草芽孢杆菌组还原糖产量为427.56 mg,绿色木霉组还原糖产量为887.36 mg,烟曲霉组还原糖产量为982.84mg。相同还原糖含量的烟曲霉组和绿色木霉组滤液用腺嘌呤缺陷型酵母发酵时,在27℃发酵25.5 h,乙醇浓度达到最高值,绿色木霉组为5.4%,烟曲霉组为5.5%。在三种产纤维素酶菌株中,烟曲霉降解甘蔗渣的效果最好。 相似文献
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The mobility limited by cluster scattering in ternary alloy semiconductor quantum wire(QWR) is theoretically investigated under Born approximation. We calculate the screened mobility due to clusters(high indium composition InGaN) scattering in the InxGa1 xN QWR structure. The characteristics of the cluster scattering mechanism are discussed in terms of the indium composition of clusters, the one-dimensional electron gas(1DEG) concentration, and the radius of QWR. We find that the density, breadth of cluster, and the correlation length have a strong effect on the electron mobility due to cluster scattering. Finally, a comparison of the cluster scattering is made with the alloy-disorder scattering. It is found that the cluster scattering acts as a significant scattering event to impact the resultant electron mobility in ternary alloy QWR. 相似文献
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The effects of V/Ⅲgrowth flux ratio on a-plane GaN films grown on r-plane sapphire substrates with an InGaN interlayer are investigated.The surface morphology,crystalline quality,strain states,and density of basal stacking faults were found to depend heavily upon the V/Ⅲratio.With decreasing V/Ⅲratio,the surface morphology and crystal quality first improved and then deteriorated,and the density of the basal-plane stacking faults also first decreased and then increased.The optimal V/Ⅲratio growth condition for the best surface morphology and crystalline quality and the smallest basalplane stacking fault density of a-GaN films are found.We also found that the formation of basal-plane stacking faults is an effective way to release strain. 相似文献